在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非...在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非以饱和速度 Vsat渡越 BC结耗尽区 ,而是以更高的速度运动。基于上述理论 ,对产生截止频率误差的 BC结耗尽区电子渡越时间τsc进行了修正。利用修正后的公式对文献中的数据进行了重新计算 ,得到了令人满意的结果。展开更多
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器（VCO）,该VCO采用Colpitts双推（push-push）电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸...基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器（VCO）,该VCO采用Colpitts双推（push-push）电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸以降低其引入的1/f噪声,同时设计高Q值分布式谐振电路,从而有效降低了VCO的输出相位噪声。通过采用背靠背变容二极管对来增加VCO输出频率调谐带宽。测试结果表明,所设计芯片在5 V供电时的电流约180 m A,电调电压在1-13 V变化下输出频率覆盖8.8-10 GHz,典型输出功率为10 d Bm,单边带相位噪声为-115 d Bc/Hz@100 k Hz。芯片尺寸为2.5 mm×1.6 mm。展开更多
文摘在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非以饱和速度 Vsat渡越 BC结耗尽区 ,而是以更高的速度运动。基于上述理论 ,对产生截止频率误差的 BC结耗尽区电子渡越时间τsc进行了修正。利用修正后的公式对文献中的数据进行了重新计算 ,得到了令人满意的结果。
文摘基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器（VCO）,该VCO采用Colpitts双推（push-push）电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸以降低其引入的1/f噪声,同时设计高Q值分布式谐振电路,从而有效降低了VCO的输出相位噪声。通过采用背靠背变容二极管对来增加VCO输出频率调谐带宽。测试结果表明,所设计芯片在5 V供电时的电流约180 m A,电调电压在1-13 V变化下输出频率覆盖8.8-10 GHz,典型输出功率为10 d Bm,单边带相位噪声为-115 d Bc/Hz@100 k Hz。芯片尺寸为2.5 mm×1.6 mm。
