期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到556篇文章
< 1 2 … 28 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理 被引量：2
1
作者 林丽艳 李用兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期663-666,共4页
对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结... 对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。 展开更多
关键词 gaas场效应晶体管(FET) 静电放电(ESD)实验 热模型 失效模式 损伤机理
在线阅读 下载PDF
外延生长具有厚度可调导电属性的非层状二维碲化锰纳米片用于p-型场效应晶体管和优异的接触电极
2
作者 贺梦菲 陈超 +10 位作者 唐月 孟思 王遵法 王立煜 行家宝 张欣宇 黄佳慧 卢江波 井红梅 刘翔宇 徐华 《物理化学学报》 北大核心 2025年第2期107-115,共9页
碲化锰(manganese telluride,MnTe)作为一种新兴的非层状二维材料,因其优异的性质以及在下一代电子和光电子器件中的巨大潜力,而受到研究学者们的广泛关注。然而,目前超薄二维MnTe的可控合成仍然是一个巨大的挑战,这限制了对其基础性质... 碲化锰(manganese telluride,MnTe)作为一种新兴的非层状二维材料,因其优异的性质以及在下一代电子和光电子器件中的巨大潜力,而受到研究学者们的广泛关注。然而,目前超薄二维MnTe的可控合成仍然是一个巨大的挑战,这限制了对其基础性质的研究和应用的深入探索。本文采用化学气相沉积方法成功合成了大面积的MnTe纳米片,并探究了其厚度对电学性质和器件应用的影响。通过提高MnTe纳米片的生长温度,样品厚度逐渐增加,晶畴尺寸从10μm增至125μm,形貌从三角形逐渐过度到六边形,最终生长成高度对称的圆形。结构表征和二次谐波测试表明,所制备的MnTe纳米片具有高度的结晶质量和优异的二阶非线性光学性质。此外,通过对不同厚度MnTe纳米片的电学输运测试,发现随着厚度从薄到厚,其导电特性从p型半导体逐渐转变为半金属。因此,利用半导体特性的薄层MnTe纳米片构建的光电探测器展现出出色的光响应性能。而将金属特性的厚层MnTe作为MoS2场效应晶体管的接触电极,显著提高了器件性能,如载流子迁移率可从12.76 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)(Au接触)提升到47.34 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)(MnTe接触)。 展开更多
关键词 二维材料 碲化锰 化学气相沉积 场效应晶体管 光电探测器 接触电极
在线阅读 下载PDF
β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器研究进展
3
作者 李晓旭 石蔡语 +4 位作者 沈磊 曾光 李晓茜 陈宇畅 卢红亮 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1352-1368,共17页
β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))由于具有直接和超宽带隙(~4.9 eV)、高击穿电场(~9 MV/cm),以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点,广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga_(2)O_(3)单晶块体上机械剥离出β-Ga_(2)O... β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))由于具有直接和超宽带隙(~4.9 eV)、高击穿电场(~9 MV/cm),以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点,广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga_(2)O_(3)单晶块体上机械剥离出β-Ga_(2)O_(3)纳米带作为沟道来探究新型β-Ga_(2)O_(3)器件结构不仅具有很大的灵活性,也将极大地降低成本。近年来,虽然β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究已取得了很大进展,但器件的综合性能依然受限而不能满足商业化的需求,尤其是迁移率较低且响应度低。本文首先介绍了β-Ga_(2)O_(3)材料的基本性质;接着对β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究现状进行总结与分析;最后指出β-Ga_(2)O_(3)基器件面对的困难与挑战,例如界面优化问题、器件可靠性系统研究缺乏等。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 纳米带 场效应晶体管 日盲紫外光电探测器 光电性能
在线阅读 下载PDF
GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
4
作者 陈松岩 李玉东 +3 位作者 王本忠 张玉贤 刘式墉 刘悦 《高技术通讯》 CAS CSCD 1995年第3期1-3,共3页
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制... 提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。 展开更多
关键词 复合材料 金属半导体 场效应 晶体管 外延生长
在线阅读 下载PDF
i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究
5
作者 王德宁 顾聪 王渭源 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第3期286-292,共7页
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G,G_m,和C_G等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在V_G<2V,I_D<I_(DS)时两者符合得甚好... 本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G,G_m,和C_G等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在V_G<2V,I_D<I_(DS)时两者符合得甚好。本文讨论了温度对V_(ik)的影响;器件的结构参数:栅长L、栅宽W,源电阻R_S,GaAlAs厚度d,GaAs迁移率和温度对G_m的影响。并指出了提高HIGFETs性能的可能途径。 展开更多
关键词 异质结 场效应晶体管 绝缘
在线阅读 下载PDF
一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管 被引量：2
6
作者 骆东旭 李尊朝 +2 位作者 关云鹤 张也非 孟庆之 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期68-72,123,共6页
针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态... 针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构。该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比。仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10^(-13) A,开关电流比高达10^(10),平均亚阈值斜率为27mV/dec,漏致势垒降低效应值为126。 展开更多
关键词 隧穿 场效应晶体管 平均亚阈值斜率 隧穿势垒
在线阅读 下载PDF
高灵敏度互阻抗InGaAs/InP单片PIN场效应晶体管集成电路
7
作者 周方策 《发光快报》 CSCD 1992年第3期31-34,共4页
演示了高灵敏度长波 InGaAs/InP 单片PIN 场效应晶体管光电子集成电路(OEIC)接收器。该光电子单片集成电路采用倒相放大器,用离子注入技术和 MOVPE 生长的晶体制成。当波长为1.3μm时,该光电子单片集成电路在622Mb/s、1.2Gb/s 和2Gb/s ... 演示了高灵敏度长波 InGaAs/InP 单片PIN 场效应晶体管光电子集成电路(OEIC)接收器。该光电子单片集成电路采用倒相放大器,用离子注入技术和 MOVPE 生长的晶体制成。当波长为1.3μm时,该光电子单片集成电路在622Mb/s、1.2Gb/s 和2Gb/s 的灵敏度分别为—33.6、—26.5和—24.3dBm。使用同样技术,还设计并制出可用—5伏单电源运转的光电子集成电路。其灵敏度在622Mb/s 为—32dBm,动态范围22dB。噪声测量显示,噪声来源于第一个场效应管后面的回路以及反馈电阻中的热噪声。测量还表明,为获得极高灵敏度必须减小结型场效应管的栅噪声。 展开更多
关键词 集成电路 场效应晶体管 PIN
在线阅读 下载PDF
碳纳米管场效应晶体管制备的新进展:可降解聚合物包裹技术
8
作者 燕春晖(摘译) 《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期126-126,共1页
随着传统硅基技术接近物理极限,寻找新型半导体材料成为了研究热点。碳纳米管(CNTs),特别是半导体型碳纳米管(s-CNTs),因其卓越的载流子迁移率和低本征电容,被认为是未来高性能电子器件的理想材料。然而,传统聚合物包裹技术虽然能有效... 随着传统硅基技术接近物理极限,寻找新型半导体材料成为了研究热点。碳纳米管(CNTs),特别是半导体型碳纳米管(s-CNTs),因其卓越的载流子迁移率和低本征电容,被认为是未来高性能电子器件的理想材料。然而,传统聚合物包裹技术虽然能有效分离半导体碳纳米管(s-CNTs),但用于包裹的残留聚合物会严重影响器件性能。最近,北京大学彭练矛院士的研究团队开发了一种使用可降解聚合物对碳纳米管进行高纯度分离的技术,并可高效去除聚合物,相关研究成果发表于《ACS Nano》杂志上。 展开更多
关键词 半导体碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 可降解聚合物 载流子迁移率 新型半导体 团队开发 物理极限 半导体型
在线阅读 下载PDF
400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管 被引量：5
9
作者 刘英坤 王占利 +5 位作者 何玉樟 郎秀兰 张大立 夏雷 吴坚 周晓黎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期26-28,共3页
采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的高性能 VDMOSFET,其漏极效率大于 5 0 % ,增益大于 9d B。
关键词 Mo栅工艺 VDMOSFET 场效应晶体管
在线阅读 下载PDF
平面天线在场效应晶体管太赫兹探测器中的应用 被引量：6
10
作者 王晓东 颜伟 +3 位作者 李兆峰 张博文 黄镇 杨富华 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期1-13,共13页
为了提高场效应晶体管太赫兹探测器的响应度并降低噪声等效功率,需要对探测器集成平面天线的结构进行合理设计与优化,本文对集成平面天线结构的场效应晶体管太赫兹探测器的研究进行了深入调研。首先,对场效应晶体管太赫兹探测器的工作... 为了提高场效应晶体管太赫兹探测器的响应度并降低噪声等效功率,需要对探测器集成平面天线的结构进行合理设计与优化,本文对集成平面天线结构的场效应晶体管太赫兹探测器的研究进行了深入调研。首先,对场效应晶体管太赫兹探测器的工作原理进行了分析,介绍了集成平面天线如何解决耦合太赫兹波效率低的问题。然后,介绍了一些常用的平面天线结构,包括偶极子天线、贴片天线、缝隙天线、grating-gate和其他类型的结构,比较了各种天线的性能以及引入后对太赫兹探测器响应度的影响。通过对比不同天线结构的探测器响应度和噪声等效功率等参数指标,发现:采用平面天线结构之后,场效应晶体管太赫兹探测器的响应度有了大幅度的提升,各种类型的天线对探测器响应度都有不同程度的提升。本文着重介绍了几种集成于场效应晶体管的平面天线结构,包括各种天线的性能和研究进展,最后分析了场效应晶体管太赫兹探测器存在的问题和发展趋势。 展开更多
关键词 场效应晶体管太赫兹探测器 平面天线 grating-gate结构 响应度 噪声等效功率
在线阅读 下载PDF
蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管 被引量：4
11
作者 王伟 石家纬 +5 位作者 郭树旭 刘明大 张宏梅 梁昌 全宝富 马东阁 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期203-206,共4页
以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电... 以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。 展开更多
关键词 全蒸镀 全有机薄膜场效应晶体管
在线阅读 下载PDF
碳纳米管场效应晶体管设计与应用 被引量：8
12
作者 许高斌 陈兴 +1 位作者 周琪 王鹏 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2010年第10期969-978,共10页
碳纳米管具有一些独特的电学性质,在纳米电子学有很好的应用前景。随着纳米技术的发展,新的工艺技术也随之产生。纳米器件的"由下至上"制作工艺,是在纳米技术和纳米材料的基础之上发展起来的,在新工艺基础之上,可以利用纳米... 碳纳米管具有一些独特的电学性质,在纳米电子学有很好的应用前景。随着纳米技术的发展,新的工艺技术也随之产生。纳米器件的"由下至上"制作工艺,是在纳米技术和纳米材料的基础之上发展起来的,在新工艺基础之上,可以利用纳米管、纳米线的性质制作成各种新的电子器件。由于碳纳米管可以和硅在电子电路中扮演同样的角色,随着基于碳纳米管的纳米电路研究的深入发展,电子学将在真正意义上从微电子时代进入纳电子时代。从分析碳纳米管分立场效应晶体管典型结构特点入手,分析阐述了碳纳米管构建的典型纳米逻辑电路结构特征及碳纳米管在柔性纳米集成电路方面的应用。 展开更多
关键词 碳纳米管 场效应晶体管 纳米逻辑门电路 柔性纳米集成电路 纳米电子学
在线阅读 下载PDF
单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究 被引量：3
13
作者 刘兴辉 张俊松 +7 位作者 王绩伟 曾凡光 李新 敖强 王震 王振世 马迎 王瑞玉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期636-641,共6页
为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了... 为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了CNTFET输出特性、转移特性、跨导、亚阈值摆幅、开关态电流比等电学特性;在等效栅氧化层厚度相同的情况下,对比了采用不同栅介质材料时上述电学特性在数值上的差异,发现随栅介质介电常数的增加,漏感应势垒降低效应变得显著,这不但导致开态时从源注入到漏的电子浓度增加、电流增大,也导致关态电流增大,开关态的电流比减少。研究还发现在通常的栅源和漏源电压下,沟道中出现热电子。 展开更多
关键词 碳纳米管 场效应晶体管 环绕栅 漏感应势垒降低 热电子
在线阅读 下载PDF
亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究 被引量：3
14
作者 胡伟达 陈效双 +2 位作者 全知觉 周旭昌 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期90-94,共5页
采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和D IBL效应以及沟道跨道,获得了... 采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和D IBL效应以及沟道跨道,获得了最佳硅鳍宽度(Tfin)和栅极长度(Lg)参数.模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较,表明由于电子束缚效应对器件性能的影响,考虑量子效应对F inFET器件的性能优化尤其重要. 展开更多
关键词 自对准双栅场效应晶体管 量子力学计算 短沟道效应 量子效应
在线阅读 下载PDF
石墨烯场效应晶体管电子识别葡萄糖 被引量：2
15
作者 魏昂 潘柳华 +3 位作者 龙庆 汪静霞 董晓臣 黄维 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 2011年第4期130-133,共4页
以铜箔为衬底,采用化学气相沉积的方法制备大面积单层石墨烯薄膜并制备相应的石墨烯场效应晶体管,过氧化氢电子识别研究表明,石墨烯场效应晶体管的电性能对由过氧化氢产生的外来干扰非常灵敏。利用末端带有吡啶环功能基团的葡萄糖氧化... 以铜箔为衬底,采用化学气相沉积的方法制备大面积单层石墨烯薄膜并制备相应的石墨烯场效应晶体管,过氧化氢电子识别研究表明,石墨烯场效应晶体管的电性能对由过氧化氢产生的外来干扰非常灵敏。利用末端带有吡啶环功能基团的葡萄糖氧化酶对石墨烯场效应晶体管进行表面改性后,葡萄糖电子识别结果表明其器件对葡萄糖有非常灵敏的电子识别性能,其检测下限小于0.1 mM,且具有生物传感器响应快、稳定性好的特点。 展开更多
关键词 石墨烯 场效应晶体管 葡萄糖 电子识别
在线阅读 下载PDF
碳纳米管定向网络场效应晶体管的制备及特性 被引量：2
16
作者 翟春雪 王若铮 +6 位作者 马超 尹铁恩 吴志华 赵丽丽 陈骞 张志勇 邓周虎 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期976-980,共5页
目的采用简单易行的方法,制备以碳纳米管定向网络为导电沟道的场效应晶体管。方法采用氧化及酸处理的方法对碳纳米管进行提纯,用高频交流电泳在电极间形成碳纳米管的定向网络,并据碳纳米管的导电特性确定半导体性碳纳米管的耗尽栅压,利... 目的采用简单易行的方法,制备以碳纳米管定向网络为导电沟道的场效应晶体管。方法采用氧化及酸处理的方法对碳纳米管进行提纯,用高频交流电泳在电极间形成碳纳米管的定向网络,并据碳纳米管的导电特性确定半导体性碳纳米管的耗尽栅压,利用大电流烧蚀法去除金属性碳纳米管。结果制备出背栅型碳纳米管定向网络场效应晶体管,测量了输出特性。结论经过提纯处理的碳纳米管纯度提高,碳纳米管在电极间的定向分布效果随交流电场频率的提高而改善,制备出的碳纳米管场效应晶体管具备一定的场效应特性。 展开更多
关键词 碳纳米管定向网络 碳纳米管提纯 金属性碳纳米管 场效应晶体管
在线阅读 下载PDF
高频大功率VDMOS场效应晶体管 被引量：1
17
作者 郎秀兰 刘英坤 王占利 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期34-36,共3页
采用Ｍｏ栅工艺技术和ｎ沟道增强型ＶＤＭＯＳ结构，研制出了在９５－１０５ＭＨｚ，脉宽Ｐｗ＝５０ｕｓ，占空．比ＤＦ＝５％的条件下，输出功率Ｐｏ≥６００Ｗ，共源结构输出功率达６００ Ｗ的高性能ＶＤＭＯＳＦＥＴ。
关键词 场效应晶体管 高频 高功率 VDMOSFET
在线阅读 下载PDF
低电压并五苯薄膜场效应晶体管 被引量：1
18
作者 王伟 石家纬 +6 位作者 张宏梅 梁昌 全宝富 郭树旭 刘明大 方俊峰 马东阁 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期107-109,共3页
利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.
关键词 并五苯薄膜场效应晶体管 全蒸镀法 聚甲基丙烯酸甲酯 场效应迁移率
在线阅读 下载PDF
基于石墨烯场效应晶体管的研究进展 被引量：3
19
作者 王聪 刘玉荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期561-569,579,共10页
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子... 在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。 展开更多
关键词 石墨烯 场效应晶体管(FET) 带隙调控 超高迁移率 制备工艺
在线阅读 下载PDF
砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析 被引量：1
20
作者 陈贵灿 K.L.Wang +1 位作者 刘之行 邵志标 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期79-86,共8页
本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解... 本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快. 展开更多
关键词 场效应晶体管 肖特基势垒栅 砷化镓
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 28 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部