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国产GaAs微波单片集成电路的氢中毒效应 被引量：1
1
作者 丁有源 黄杰 席善斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期976-981,共6页
对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱... 对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱动放大器对氢气氛较为敏感,试验后线性增益、1 dB压缩点输出功率和驱动电流均发生了不同程度的退化,表现出氢中毒效应。在试验过程中,一种型号的低噪声放大器的驱动电流表现出先小幅度波动后快速下降,最终稳定基本不再变化的趋势。对GaAs MMIC发生氢中毒的作用机理进行了详细地探讨和分析,认为H原子引起载流子浓度的减少和肖特基肖势垒高度的改变是导致参数退化的主要原因。最后,给出了几种降低电路因氢气氛暴露所引起的可靠性风险的方法。 展开更多
关键词 gaas 微波单片集成电路(mmic) 低噪声放大器(LNA) 驱动放大器(DA) 氢中毒 可靠性
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高性能GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器
2
作者 田彤 罗晋生 吴顺君 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期46-50,共5页
在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术 .该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器 ,在输入端设计π型宽带匹配电... 在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术 .该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器 ,在输入端设计π型宽带匹配电路 ,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管 .模拟结果表明 ,该压控带通滤波器性能优越 ,有 1 0dB以上插入增益 ,通带宽度约 30MHz ,调频范围宽约 4 0 0MHz ,工作于 1 .4 4～ 1 .82GHz. 展开更多
关键词 负阻 压控 有源滤波器 微波单片集成电路 砷化镓
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宽带低噪声放大器单片微波集成电路 被引量：5
3
作者 戴剑 要志宏 +2 位作者 赵瑞华 宋学峰 刘帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期259-263,共5页
从行波放大器设计理论出发，研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计的2～20GHz单片微波集成电路（MMIC）宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益，采用了一个共源场效应... 从行波放大器设计理论出发，研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计的2～20GHz单片微波集成电路（MMIC）宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益，采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构，每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明，本款低噪声放大器在外加＋5V工作电压下，能够在2～20GHz频率内实现小信号增益大于16dB，增益平坦度小于士0．5dB，输出P-1dB大于14dBm，噪声系数典型值为2．5dB，输入和输出回波损耗均小于-15dB，工作电流仅为63mA，低噪声放大器芯片面积为3．1mm×1．3mm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(mmic) 低噪 声放大器 宽带 行波
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单片微波集成电路的快速电磁仿真技术 被引量：1
4
作者 戴居丰 张国祥 吴咏诗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期17-25,共9页
本文概述了单片微波集成电路(MMIC)电磁仿真的基本原理,提出了电路特性参量的直接摘取法,研究了两项矩阵降阶技术,从而建立了一套省时、实用的MMIC快速电磁仿真技术。两个仿真实例证明了该技术的有效性,仿真速度约可提高一个数量级。
关键词 单片 微波 集成电路 电磁仿真
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微波单片集成电路常用结构的时域分析 被引量：1
5
作者 戚颂新 杨铨让 薛建辉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期112-114,共3页
本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法，其空间网格能沿任意轴向变化，而且具有高阶离散精度，从而节省了机时，提高了计算精度，并首次应用于微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）常用结构的定模分析，具体研究了空气桥、... 本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法，其空间网格能沿任意轴向变化，而且具有高阶离散精度，从而节省了机时，提高了计算精度，并首次应用于微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）常用结构的定模分析，具体研究了空气桥、通孔接地对电路性能的影响，其结果与有关文献相一致，验证了算法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 时域 单片集成电路 空气桥 非均匀网络 微波
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Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计 被引量：4
6
作者 周守利 张景乐 +2 位作者 吴建敏 周赡成 程元飞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期30-34,共5页
基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用... 基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12~18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°^+9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。 展开更多
关键词 KU波段 砷化镓 数字衰减器 高衰减精度 微波单片集成电路
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国内外微波毫米波单片集成电路的现状和发展趋势 被引量：5
7
作者 刘自明 李淑芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期8-23,共16页
本文综述了美国、日本及西欧等国在微波、毫米波单片集成电路MMIC方面的研究现状及发展趋势;指出我国MMIC研制情况与差距,并提出了开发建议。
关键词 微波 集成电路 单片集成电路
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Si基微波单片集成电路的发展 被引量：1
8
作者 杨建军 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期205-208,281,共5页
随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽... 随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。 展开更多
关键词 硅基微波单片集成电路 三维 隔离槽 硅高阻硅衬底 锗硅
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SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究
9
作者 魏欢 陈建新 +6 位作者 邹德恕 徐晨 杜金玉 韩金茹 董欣 周静 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期31-35,共5页
SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。
关键词 异质结双极晶体管 单片微波集成电路 锗化硅
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单面单片微波集成电路对偶矩量法电磁仿真
10
作者 张旭东 戴居丰 吴咏诗 《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第3期193-198,共6页
本文应用对偶原理配合矩量法研究了槽线与共面波导的电磁仿真，提出一种利用对偶原理计及空气桥效应的简化方法，形成一种统一的单面单片微波集成电路的电磁仿真新方法。仿真实例证明了此方法的有效性。
关键词 对偶原理 矩量法 单面 单片 微波集成电路
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可变增益的功率放大器单片微波集成电路
11
作者 刁睿 赵瑞华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期264-267,共4页
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在... 根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6～9GHz频率范围内，1dB压缩点输出功率大于33dBm，当控制电压在-1～0V之间变化时，放大器的增益在5～40dB之间变化，增益控制范围达到了35dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上，面积仅为3．5mm×2．3mm，具有灵活易用、集成度高和成本低的特点，可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。 展开更多
关键词 功率放大器 可变增益 单片微波集成电路(mmic) ADS软件 砷化镓
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单片微波集成电路中的MIS共面带线特性分析
12
作者 陆范 李嗣范 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1990年第3期58-62,31,共6页
本文用全波法——谱域技术分析了单片微波集成电路中的MIS共面带线的传播特性和特性阻抗,研究了MIS共面带线的结构参数对其特性的影响,得出了一些设计准则。由于至今还未见到分析MIS共面带线的报导,因此我们间接地验证了结果,即用同样... 本文用全波法——谱域技术分析了单片微波集成电路中的MIS共面带线的传播特性和特性阻抗,研究了MIS共面带线的结构参数对其特性的影响,得出了一些设计准则。由于至今还未见到分析MIS共面带线的报导,因此我们间接地验证了结果,即用同样的方法分析了MIS共面波导,所得结果与有关文献报导的一致。从而表明本文所用的分析方法以及分析结果是正确的。 展开更多
关键词 单片 微波 集成电路 MIS 共面带线
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DC～35GHz超宽带单刀四掷开关单片集成电路 被引量：5
13
作者 谭超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期576-580,共5页
设计了一款工作频率为DC～35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁... 设计了一款工作频率为DC～35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁场仿真验证,在GaAs PHEMT工艺线上进行了流片,对制作的芯片进行了在片测试,测试结果表明,在DC～35 GHz频率范围内,单刀四掷单片开关的插入损耗(IL)小于3.5 dB,隔离度大于30 dB,回波损耗小于-10 dB,易于控制,满足设计要求,在微波电路T/R组件中有很好的应用前景。目前未见同类超宽带单刀四掷单片开关的相关报道。 展开更多
关键词 超宽带 单刀四掷(SP4T) 单片集成电路(mmic) 2译码器 砷化镓
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微波和毫米波单片集成电路（MIMIC）计划的追溯
14
作者 艾略特·科恩 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第2期I0049-I0060,共12页
自美国国防部（DoD）微波和毫水波单片集成电路（microwave and millimeter—wave monolithic integrated circuits—MIMIC）计划开始至今，已经过去了四分之一个世纪。
关键词 毫米波单片集成电路 MIMIC 微波 integrated 美国国防部 WAVE DOD
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宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关 被引量：2
15
作者 郝冠军 夏先齐 李剑平 《微波学报》 CSCD 北大核心 1994年第2期40-44,共5页
本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关.芯片尺寸为0.97×1.23mm.在DC—10GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,开关时间小于1ns,在5GHz下的功率处理能力大于20dBm.此开关具有极... 本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关.芯片尺寸为0.97×1.23mm.在DC—10GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,开关时间小于1ns,在5GHz下的功率处理能力大于20dBm.此开关具有极低的直流功率耗散. 展开更多
关键词 单片集成电路 单刀双掷开关 gaasFET 微波开关
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Ku波段低相噪推-推式VCO单片集成电路
16
作者 汪江涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期433-436,共4页
基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的奇偶模进行了分析,用谐波平衡法对相位噪声和输出功率进行了优化设计。用ADS软件完成了原理图和电磁场仿... 基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的奇偶模进行了分析,用谐波平衡法对相位噪声和输出功率进行了优化设计。用ADS软件完成了原理图和电磁场仿真,用Candence Virtuoso完成了版图设计。此VCO MMIC频率覆盖14.5～15 GHz,在2.2 mm×1.2 mm的面积内集成了变容二极管、谐振电路、负阻产生电路,具有体积小、成本低、相位噪声低等特点。在4.2 V单电源电压下,其静态电流为150 mA,典型输出功率为10 dBm,频偏为100 kHz时的单边带相位噪声为-105 dBc/Hz。 展开更多
关键词 推-推式压控搌荡器 奇偶模 微波单片集成电路 相位噪声 S参数
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三维微波集成电路的发展 被引量：6
17
作者 王安国 吴咏诗 《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第2期167-173,共7页
近几年来，三维微波集成电路的研制在各方面均取得了一定的进展，作为新一代体积更小的微波集成电路，必将随着信息时代的发展，在移动通信、卫星直播电视等装置中获得广泛应用。本文综述三维微波集成电路近几年来的发展。
关键词 三维 微波集成电路 单片 多层
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C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计 被引量：1
18
作者 王德宏 刘志军 +2 位作者 刘文杰 高学邦 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期923-926,共4页
主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现。通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路。本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5-6 GHz,噪... 主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现。通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路。本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5-6 GHz,噪声系数小于1.2 dB,增益大于24 dB,输入输出驻波比小于1.5∶1,增益平坦度ΔGp≤±0.1 dB,1 dB压缩点P-1≥12dBm,直流电流小于50 mA。电路最终测试结果与设计结果吻合。 展开更多
关键词 C波段 低噪声放大器 单片微波集成电路
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基于FFT技术微波集成电路及阵列天线快速电磁仿真 被引量：1
19
作者 庄伟 丁大志 +1 位作者 叶珍宝 陈如山 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期105-109,共5页
该文开展了混合位积分方程(MPIE)的空域矩量法(MoM)对单片微波集成电路(MMIC)及阵列天线的全波分析,并采用了共轭梯度快速傅里叶变换(CGFFT)算法减少矩量法的内存需求与计算复杂度。并针对此方法必须采用等间距离散的限制,采用了基于快... 该文开展了混合位积分方程(MPIE)的空域矩量法(MoM)对单片微波集成电路(MMIC)及阵列天线的全波分析,并采用了共轭梯度快速傅里叶变换(CGFFT)算法减少矩量法的内存需求与计算复杂度。并针对此方法必须采用等间距离散的限制,采用了基于快速傅里叶变换(FFT)技术的修正算法,包括稀疏矩阵规则网格方法(SMCG)、自适应积分方法(AIM)和预校准快速傅里叶变换方法(Precorrected-FFT)。此类方法既保留了三角基函数精确建模的能力又具备CGFFT算法高效计算的优点,实现了对复杂结构、电大尺寸的微波集成电路及阵列天线的快速电磁仿真。 展开更多
关键词 单片微波集成电路 阵列天线 快速傅里叶变换
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2～35 GHz单片微波集成功率检测电路 被引量：2
20
作者 赵子润 杨实 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期27-31,共5页
设计了一种2~35 GHz单片集成功率检测电路。采用Ga As增强/耗尽（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制出将功率检波器与电压比较器及输出驱动器单片集成的功率检测电路。采用肖特基二极管实现功率检波器;采用直接耦合场效应... 设计了一种2~35 GHz单片集成功率检测电路。采用Ga As增强/耗尽（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制出将功率检波器与电压比较器及输出驱动器单片集成的功率检测电路。采用肖特基二极管实现功率检波器;采用直接耦合场效应晶体管逻辑结构（DCFL）实现电压比较器及输出驱动器。实验结果显示,功率检测单片微波集成电路（MMIC）在输入功率大于3 d Bm条件下输出逻辑电平翻转,从而实现功率检测与指示。功率检测电路芯片在5 V下的静态电流为2 m A,输出高电平电压4.9 V,低电平电压0 V,在2~35 GHz工作频带输入驻波比小于1.5,芯片尺寸为0.65 mm×1.1 mm,此款芯片可广泛应用于接收机、发射机及测试测量仪器中。 展开更多
关键词 肖特基二极管 功率检波器 电压比较器 输出驱动器 单片微波集成电路(mmic)
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