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NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除被引量：5: 1; 作者陈高善程宏昌 +4 位作者石峰刘晖冯刘任兵成伟《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期205-210,共6页; 借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍... 展开更多; 关键词表面微颗粒污染 UHV系统污染 gaas光电阴极表面污染能谱成分分析线性传递杆; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs光电阴极制备工艺中表面污染的微区分析被引量：5: 2; 作者方城伟张益军 +5 位作者荣敏敏钱芸生戴庆鑫石峰程宏昌拜晓峰《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期35-41,共7页; 基于超高真空光电阴极制备与表面分析互联装置开展了反射式GaAs光电阴极激活实验,并利用扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后及Cs/O激活后的阴极表面进行了微区分析.通过X射线激发样品产生二次电子图像定位需要分析的微小区域,更加准... 展开更多; 关键词 gaas光电阴极扫描聚焦X射线成像技术微区分析表面污染光电发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究被引量：2: 3; 作者杨智邹继军 +2 位作者牛军张益军常本康《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期2038-2042,共5页; 研究了高温Cs激活过程中,GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+所形成的偶极子对表面势垒的作用后,通过求解均匀掺杂阴极中电子所遵循的一维连续性方程,得到了反射式均匀掺杂阴极... 展开更多; 关键词 gaas光电阴极偶极子表面势垒量子效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析被引量：2: 4; 作者李晓峰张景文 +1 位作者高鸿楷侯洵《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期778-780,共3页; 介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后。; 关键词透射式gaas光电阴极组件表面氧化 XPS分析真空砷化镓高温烘烤; 在线阅读下载PDF 职称材料

发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响被引量：2: 5; 作者陈亮钱芸生常本康《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1008-1012,共5页; 通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6μm和2.0μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一... 展开更多; 关键词 gaas光电阴极表面光电压谱电子扩散长度发射层厚度后界面复合速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化被引量：10: 6; 作者邹继军常本康 +1 位作者杜晓晴杨智《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1465-1468,共4页; 利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降... 展开更多; 关键词 gaas光电阴极光谱响应曲线电子能量分布表面势垒电子逸出概率; 在线阅读下载PDF 职称材料

NEA GaN和GaAs光电阴极的比较被引量：2: 7; 作者常本康《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期1073-1077,共5页; 针对GaN基光电阴极激活过程中Cs-O交替存在的光电流的增幅问题,本文主要比较了GaN和GaAs材料性质、表面结构以及激活过程中光电阴极的光电流。发现GaN的熔点高于GaAs,在制备GaN基光电阴极时则需要更高的热清洗温度;如果用双偶极子模型描... 展开更多; 关键词 GAN光电阴极 gaas光电阴极表面结构光电流偶极矩; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除被引量：5: 1; 作者陈高善程宏昌石峰刘晖冯刘任兵成伟; 机构西安应用光学研究所微光夜视技术国防科技重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期205-210,共6页; 文摘借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍了寻找、排除微颗粒污染物的方法,并由成分分析结果,找到并排除了UHV系统内Mo微颗粒污染物产生的源头。发现在UHV系统内,传递杆等可移动部件的较粗糙表面具有携带、输运、抛撒微颗染污染物的功能。对UHV系统进行了全面的清洗处理,使其恢复到了原有的正常状态。; 关键词表面微颗粒污染 UHV系统污染 gaas光电阴极表面污染能谱成分分析线性传递杆; Keywords The surface contaminants of micro-particle, UHV system contaminants, The surface contaminants of NEA gaas photocathode, Spectroscopy component analysis, Linear transfer rod; 分类号 TN15 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs光电阴极制备工艺中表面污染的微区分析被引量：5: 2; 作者方城伟张益军荣敏敏钱芸生戴庆鑫石峰程宏昌拜晓峰; 机构南京理工大学电子工程与光电技术学院微光夜视技术重点实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期35-41,共7页; 基金国家自然科学基金(Nos.61771245,61301023) 微光夜视技术重点实验室基金(No.J20150702)~~; 文摘基于超高真空光电阴极制备与表面分析互联装置开展了反射式GaAs光电阴极激活实验,并利用扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后及Cs/O激活后的阴极表面进行了微区分析.通过X射线激发样品产生二次电子图像定位需要分析的微小区域,更加准确地检测了阴极表面存在的杂质.检测发现化学清洗后的GaAs阴极样品会受到金属压片的二次污染,出现钠、铯污染.表面分析和激活实验表明,高温加热和激活并不能去除钠污染,且此污染会影响表面砷的脱附,阻碍激活过程中Cs、O的吸附,降低阴极的光电发射性能.采用扫描聚焦X射线成像技术对阴极表面进行微区选点分析,有助于更加准确地分析阴极激活前后的表面成分变化.; 关键词 gaas光电阴极扫描聚焦X射线成像技术微区分析表面污染光电发射; Keywords gaas photocathode Scanning focused X-ray imaging technology Micro-area analysis Surface contamination Photoemission; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究被引量：2: 3; 作者杨智邹继军牛军张益军常本康; 机构南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期2038-2042,共5页; 基金国家自然科学基金项目(60678043 60801036)资助; 文摘研究了高温Cs激活过程中,GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+所形成的偶极子对表面势垒的作用后,通过求解均匀掺杂阴极中电子所遵循的一维连续性方程,得到了反射式均匀掺杂阴极的量子效率公式,通过求解薛定谔方程得到了到达阴极表面的光电子的逸出概率公式,利用公式对GaAs光电阴极的Cs激活过程进行了分析。分析发现,激活过程中GaAs光电阴极的量子效率和光电子的逸出概率正比于偶极子层的电场强度。; 关键词 gaas光电阴极偶极子表面势垒量子效率; Keywords gaas photocathode Dipole Surface barrier Quantum efficiency; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析被引量：2: 4; 作者李晓峰张景文高鸿楷侯洵; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期778-780,共3页; 文摘介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后。; 关键词透射式gaas光电阴极组件表面氧化 XPS分析真空砷化镓高温烘烤; Keywords gaas Photocathode Vaccum Oxidization XPS; 分类号 TN103 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响被引量：2: 5; 作者陈亮钱芸生常本康; 机构南京理工大学电子工程与光电技术学院中国计量学院光学与电子科技学院; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1008-1012,共5页; 基金国家自然科学基金(No.60678043 No.60801036)资助; 文摘通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6μm和2.0μm,掺杂浓度为1×1019cm-3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致.通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材料参量条件下,积分灵敏度受发射层厚度的影响;发现在体材料参量一定条件下,透射式GaAs光电阴极具有最佳厚度,同时最佳厚度受后界面复合速率的影响更大,同时GaAlAs窗口层也能很好降低发射层后界面复合速率.; 关键词 gaas光电阴极表面光电压谱电子扩散长度发射层厚度后界面复合速率; Keywords gaas photocathodes Surface photovoltage spectroscopy Electron diffusion length Active layer thickness Back-interface recombination velocity; 分类号 TN214 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化被引量：10: 6; 作者邹继军常本康杜晓晴杨智; 机构南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1465-1468,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60678043) 教育部高等学校博士点基金项目(20050288010)资助; 文摘利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降低,光谱响应则不断提高,但长波响应提高得更快。在激活结束后,位于激活室中受白光照射的GaAs光电阴极由于Cs的脱附影响了双偶极层结构,阴极表面有效电子亲和势不断升高,光谱响应则不断下降,但长波响应下降得更快。上述现象无法用常用的反射式阴极量子效率公式进行解释,它们与阴极高能光电子的逸出有关。由于反射式阴极发射电子能量分布随着入射光子能量的升高而向高能端偏移,同时阴极表面势垒形状的变化对低能电子比对高能电子的影响更大,从而导致了光谱响应曲线形状的变化。; 关键词 gaas光电阴极光谱响应曲线电子能量分布表面势垒电子逸出概率; Keywords gaas photocathode Spectral response curve Electron energy distribution Surface potential barrier Electron escape probability; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NEA GaN和GaAs光电阴极的比较被引量：2: 7; 作者常本康; 机构南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期1073-1077,共5页; 基金国家自然科学基金重大研究计划(91433108); 文摘针对GaN基光电阴极激活过程中Cs-O交替存在的光电流的增幅问题,本文主要比较了GaN和GaAs材料性质、表面结构以及激活过程中光电阴极的光电流。发现GaN的熔点高于GaAs,在制备GaN基光电阴极时则需要更高的热清洗温度;如果用双偶极子模型描述GaN(1000)和GaAs(100)表面的光电发射机理,GaN(1000)表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O-Cs,几乎"平躺"在表面,对光电发射贡献不大;GaAs(100)表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O-Cs几乎"垂直"于表面,降低了表面功函数,对光电发射贡献很大;Cs-O激活过程中,对于GaAs光电阴极,Cs、O交替过程形成的光电流与单纯Cs激活时的光电流相比,有几倍甚至上百倍的增长;GaN只提高了20%左右。通过第一性原理计算,与现在的GaN基(1000)面相比,GaN基的(11 2 0)和(10 1 0)面是极具潜力的光电发射面;预计闪锌矿GaN基(100)面会取得更好的结果。; 关键词 GAN光电阴极 gaas光电阴极表面结构光电流偶极矩; Keywords GaN photocathode, gaas photocathode, Surface structure, photocurrent, dipole moment; 分类号 TN14 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除	陈高善程宏昌石峰刘晖冯刘任兵成伟	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaAs光电阴极制备工艺中表面污染的微区分析	方城伟张益军荣敏敏钱芸生戴庆鑫石峰程宏昌拜晓峰	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究	杨智邹继军牛军张益军常本康	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析	李晓峰张景文高鸿楷侯洵	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响	陈亮钱芸生常本康	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化	邹继军常本康杜晓晴杨智	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2007	10	在线阅读下载PDF 职称材料
7	NEA GaN和GaAs光电阴极的比较	常本康	《红外技术》 CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料