GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

1

作者 闫金良 《应用光学》 CAS CSCD 1998年第5期17-20,共4页

从简化的二维扩散方程出发，推导ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式阴极的调制传递函数表达式，计算２μｍ厚ＧａＡｓ阴极层的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射阴极的理论分辨力特性曲线，并讨论它与若干参数的关系。

关键词 gaas/gaalas透射式光电阴极 分辨力 量子效率 三代像增强器 二维扩散方程

在线阅读 下载PDF 职称材料

宽光谱吸收增强的透射式GaAs光电阴极亚波长结构设计

2

作者 高毅 过般响 +3 位作者 徐卓 李诗曼 石峰 张益军 《红外技术》 北大核心 2025年第8期963-971,共9页

负电子亲和势GaAs光电阴极具备高量子效率、暗电流小、低发射度、长波扩展潜力大等优势,在真空光电器件和真空电子源等领域具有广泛应用。对于透射式GaAs光电阴极,如何在保证较薄发射层厚度的前提下获得高的量子效率是需要攻克的难题。... 负电子亲和势GaAs光电阴极具备高量子效率、暗电流小、低发射度、长波扩展潜力大等优势,在真空光电器件和真空电子源等领域具有广泛应用。对于透射式GaAs光电阴极,如何在保证较薄发射层厚度的前提下获得高的量子效率是需要攻克的难题。本文提出了采用新型亚波长周期陷光结构的GaAlAs窗口层设计方案,以实现薄发射层透射式GaAs光电阴极宽光谱吸收增强的目的。围绕透射式GaAs光电阴极的光学性能,采用有限时域差分法进行光学仿真,在光电阴极结构设计方面开展了研究。相较传统的平面GaAs光电阴极,具有亚波长陷光结构设计的GaAs光电阴极的光吸收率显著提高。进一步,对周期为600 nm的纳米阵列的线宽、直径、高度、排列等方面进行仿真优化,获得最佳亚波长阵列结构为:线宽为440 nm,高度为490 nm,采用1/4周期交错排列的圆柱阵列,500~930nm波长范围的平均吸收率达到了84.91%,相比传统平面结构在近红外波段提升尤为显著。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 透射式 陷光 亚波长结构 光吸收率

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析 被引量：4

3

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期312-316,共5页

本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .

关键词 ALgaas/gaas X射线衍射 光电阴极 倒易点二维图 砷化镓 透射式gaas光电阴极 外延层 镓铝砷化合物

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式蓝延伸GaAs光电阴极的光电发射特性研究 被引量：2

4

作者 石峰 赵静 +3 位作者 程宏昌 张益军 熊雅娟 常本康 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期297-301,共5页

利用计算光学性能、量子效率和积分灵敏度的理论模型,分别研究比较了我国和ITT典型透射式蓝延伸GaAs光阴极的光电发射特性,包括阴极的光学性质和性能参数。结果表明我国的透射式蓝延伸光阴极积分灵敏度已经达到2 100μA.lm-1,但与ITT的2... 利用计算光学性能、量子效率和积分灵敏度的理论模型,分别研究比较了我国和ITT典型透射式蓝延伸GaAs光阴极的光电发射特性,包括阴极的光学性质和性能参数。结果表明我国的透射式蓝延伸光阴极积分灵敏度已经达到2 100μA.lm-1,但与ITT的2 750μA.lm-1相比还存在一定的差距。分析的主要原因是一方面是GaAlAs窗口层的厚度和Al组分大小对于短波响应,特别是对蓝延伸起着决定的作用;另一方面阴极性能参数电子扩散长度和后界面复合速率的大小对长波响应和短波响应也有着重要的影响,这些因素都受制于基础工业制造水平的落后。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 透射式 蓝延伸 量子效率 积分灵敏度

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析 被引量：2

5

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期778-780,共3页

介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后 。

关键词 透射式gaas光电阴极 组件 表面氧化 XPS分析 真空 砷化镓 高温烘烤

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极响应时间的理论分析 被引量：3

6

作者 郭里辉 侯洵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期118-120,共3页

本文以光生电子处于非稳态的观点,分析了透射式GaAs光电阴极的响应时间,从理论上解释了C.C.Phillips等人的测量结果。指出透射式GaAs光电阴极是一种可用于时间响应为皮秒量级的良好光电阴极。

关键词 gaas 光电阴极 透射式 响应时间

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究 被引量：1

7

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期200-204,共5页

本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外... 本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的实测倒易点二维图 ,最后提出了降低 Al Ga As/ Ga 展开更多

关键词 倒易点 二维图 热应力 半导体 透射式gaas光电阴极 砷化镓 Algaas/gaas外延层 镓铝砷化合物 晶格弯曲 X射线衍射

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式变掺杂GaAs光电阴极研究

8

作者 陈怀林 常本康 +1 位作者 牛军 张俊举 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期230-234,共5页

为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极。测试了玻璃粘接前后GaAs光电阴极载流子浓度变化,发现高温粘接后载流子浓度增加现象。通过测试高温激活... 为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极。测试了玻璃粘接前后GaAs光电阴极载流子浓度变化,发现高温粘接后载流子浓度增加现象。通过测试高温激活的透射式变掺杂GaAs光电阴极发现,在450nm～550nm波段内,变掺杂GaAs光电阴极仍然具有较高的光谱响应。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 变掺杂 光谱响应 透射式

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究

9

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期205-208,共4页

本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga

关键词 应变结构 晶格常量 透射式gaas光电阴极 X射线衍射 Algaas/gaas外延层 MOCVD 镓铝砷化合物 砷化镓 生长温度控制模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究 被引量：3

10

作者 杜晓晴 钟广明 田健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期397-401,共5页

研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模... 研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模式下光电子的表面逸出几率与光子能量具有不同的依赖关系,背面光照下,光电子将以一个一致的表面逸出几率从表面发射出去,并且短波响应会受到缓冲层及界面特性的影响,总体光电发射效率依赖于阴极表面势垒所决定的平均电子逸出几率。利用所推导的量子效率公式对实验曲线进行拟合,可实现多个阴极参量的评估,这为透射式GaN阴极材料与制备工艺水平的分析提供了重要依据。 展开更多

关键词 紫外探测 透射式GaN光电阴极 量子效率特性 背面光照 正面光照

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用紫外透射光谱研究透射式GaN光电阴极的材料结构及光学特性 被引量：2

11

作者 杜晓晴 田健 周强富 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1606-1610,共5页

GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射... GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射式GaN阴极样品的透射模型,得到了GaN阴极样品的薄膜厚度、光学吸收系数与透射谱之间的函数关系。计算得到的GaN外延材料的厚度与实际值误差小,吸收系数与已发表数据一致,表明紫外透射光谱法能够准确地实现透射式GaN阴极材料结构及光学特性的评估。 展开更多

关键词 紫外透射光谱 透射式GaN光电阴极 薄膜厚度 光学吸收系数

在线阅读 下载PDF 职称材料

与玻璃粘结的GaAs-AlGaAs透射式光阴极 被引量：1

12

作者 陶兆民 《应用光学》 CAS 1980年第1期73-74,共2页

在GaAs基底上已做出GaAs—GaAlAs—GaAs—GaAlAs异质结构,它与corning7056玻璃粘结,基底GaAs以及在基底GaAs上面的AlGaAs用化学方法腐蚀掉,腐蚀GaAs与AlGaAs的腐蚀剂分别为NH_4OH—H_2O_2与HF溶液。GaAs—AlGaAs玻璃结构具有特别好的形... 在GaAs基底上已做出GaAs—GaAlAs—GaAs—GaAlAs异质结构,它与corning7056玻璃粘结,基底GaAs以及在基底GaAs上面的AlGaAs用化学方法腐蚀掉,腐蚀GaAs与AlGaAs的腐蚀剂分别为NH_4OH—H_2O_2与HF溶液。GaAs—AlGaAs玻璃结构具有特别好的形态、厚度均匀和透射式光电发射性能好的特点。 展开更多

关键词 gaas-ALgaas 透射式 HF 光电阴极 液相外延

在线阅读 下载PDF 职称材料

非均匀高掺杂对透射式光电阴极光电发射性能影响研究

13

作者 罗美娜 白廷柱 +3 位作者 任彬 曲晓霞 彭岔霞 郭晖 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第5期419-423,共5页

研究分析了高掺杂浓度下幂函数掺杂阴极发射层内部形成恒定电场情况,探讨了光电阴极发射层材料内部形成恒定电场对提高透射式光电阴极量子效率中有效电子输运长度、表面电子逸出几率等参量的影响。结合掺杂浓度不同带来的光电子散射问题... 研究分析了高掺杂浓度下幂函数掺杂阴极发射层内部形成恒定电场情况,探讨了光电阴极发射层材料内部形成恒定电场对提高透射式光电阴极量子效率中有效电子输运长度、表面电子逸出几率等参量的影响。结合掺杂浓度不同带来的光电子散射问题,对比讨论了传统的均匀掺杂、指数掺杂、幂函数掺杂情况下发射层材料量子效率情况。 展开更多

关键词 透射式光电阴极 幂函数掺杂 量子效率 微光夜视

在线阅读 下载PDF 职称材料

透射式半导体光电阴极的制作方法

14

作者 张素勤 《红外技术》 1980年第4期29-32,共4页

单晶半导体材料是一种透明的材料,但易受热分解。首先在这种单晶半导体材料制成的扁平基体的一个表面上蒸上一层可以防止基体分解的透明的抗反射材料,然后在能引起基体材料分解的温度下,在基休的另一个表面上外延生长一层或多层单晶半... 单晶半导体材料是一种透明的材料,但易受热分解。首先在这种单晶半导体材料制成的扁平基体的一个表面上蒸上一层可以防止基体分解的透明的抗反射材料,然后在能引起基体材料分解的温度下,在基休的另一个表面上外延生长一层或多层单晶半导体材料。后来生长的这种外延层,在入射光激发下能够产生电子。最后,在外延层上再沉积一层降低逸出功的材料。 展开更多

关键词 半导体材料 电工材料 透射式 基体材料 反应堆材料 单晶半导体 光电阴极 制作方法

在线阅读 下载PDF 职称材料

大电流密度Cs_3Sb光电阴极工艺与寿命的研究 被引量：1

15

作者 丁力 陈莹 +1 位作者 黄人慧 徐辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期184-188,共5页

为满足大电流密度电子发射的需要,对锑铯光电阴极的制备工艺进行了研究。设计了一种效率高便于再生的管道铯源。对于绿光(λ=514.5nm)光电阴极量子产额达到2.5%,脉冲工作状态下,发射电流密度可长时间保持1.4A/cm^2。

关键词 光电阴极 Cs₃Sb 大电流密度 发射电流密度 阴极表面 量子产额 透射式 电子亲和势 光阴极 阴极材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

其它光电技术及器件

16

《中国光学》 EI CAS 1994年第2期79-81,共3页

O462.3 94021376透射式近UV光阴极的研究=Study of transmission-type near-UV photocathode[刊,中]/张云深,姜德龙(长春光机学院)//光学精密工程.-1993,(4).-47～50简要介绍了化合物近UV光阴极,详述了高稳定度纯金薄膜光阴极的实验方法。

关键词 光电技术 光阴极 多晶半导体 光电子器件 场助光电阴极 制备技术 透射式 精密工程 高稳定度 表面安装技术

在线阅读 下载PDF 职称材料

三代管MCP离子阻挡膜研究 被引量：11

17

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1496-1499,共4页

三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的... 三代管中 Ga As光电阴极的表面 Cs- O层经不住正离子的轰击 ,但在 MCP的通道内 ,由于二次电子倍增 ,在 MCP通道的输出端 ,电子密度较大 ,所以 MCP通道内的残余气体分子就会被电离 ,正离子在电场的作用下向阴极方向运动 ,最终轰击阴极的表面 Cs- O层 ,使阴极的灵敏度衰退 .所以在 MCP的输入端制作一层 Al2 O3 离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用 .本文介绍了 MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理 ,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺 . 展开更多

关键词 gaas MCP 光电阴极 离子阻挡膜 三代管 砷化镓 电子透射 AL2O3 三氧化二铝

在线阅读 下载PDF 职称材料

其他

18

《中国光学》 EI CAS 2002年第1期78-79,共2页

O462.3 2002010567透射式 GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究=Stabilityof transmission mode GaAs(Cs,O)photocathodes[刊,中]/闫金良,朱长纯(西安交通大学电信学院电子工程系.陕西,西安(710049)),向世明(西安应用光学研究所.陕西,西安(7... O462.3 2002010567透射式 GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究=Stabilityof transmission mode GaAs(Cs,O)photocathodes[刊,中]/闫金良,朱长纯(西安交通大学电信学院电子工程系.陕西,西安(710049)),向世明(西安应用光学研究所.陕西,西安(710100))∥红外与毫米波学报.—2001,20(2). 展开更多

关键词 稳定性 光电阴极 应用光学 毫米波 电子工程 西安交通大学 原子力显微镜 透射式 陕西 阴极表面

在线阅读 下载PDF 职称材料

其它

19

《中国光学》 EI CAS 2000年第4期90-90,共1页

O462.3 2000042855用积分法推导NEA光电阴极的量子产额=Calculatingthe quantum yield of NEA photocathodesby integral[刊,中]/宗志园,常本康(南京理工大学电子工程与光电技术学院.江苏,南京(210094))//光学学报.—1999,19(9).—1177... O462.3 2000042855用积分法推导NEA光电阴极的量子产额=Calculatingthe quantum yield of NEA photocathodesby integral[刊,中]/宗志园,常本康(南京理工大学电子工程与光电技术学院.江苏,南京(210094))//光学学报.—1999,19(9).—1177—1182以"三步发射模型"为基础,采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势(NEA)光电阴极的量子产额表达式,其中反射式阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同,而根据透射式阴极的表达式绘出的量子产额理论曲线,和求解扩散方程绘出的曲线基本重合,与实验曲线也符合得很好。 展开更多

关键词 量子产额 光电阴极 表达式 扩散方程 负电子亲和势 反射式 透射式 南京理工大学 积分法 电子工程

在线阅读 下载PDF 职称材料

其他

20

《中国光学》 EI CAS 2001年第2期77-77,共1页

O462.3 2001021264碲铯紫外光电阴极的工艺研究=Study of processingart of Te-Cs ultraviolet cathodes[刊,中]/钟生东,张学恒,闫吉庆,张忠廉(北京理工大学光电工程系.北京(100081))//光学技术.—2000,26(4).-318-320较详细的介绍了反... O462.3 2001021264碲铯紫外光电阴极的工艺研究=Study of processingart of Te-Cs ultraviolet cathodes[刊,中]/钟生东,张学恒,闫吉庆,张忠廉(北京理工大学光电工程系.北京(100081))//光学技术.—2000,26(4).-318-320较详细的介绍了反射式和透射式紫外光电阴极的制作过程,用表格列出了碲铯光阴极的主要特性,对远紫外和紫外石英玻璃进行了分类。图4参6(李瑞琴) 展开更多

关键词 透射式紫外光电阴极 工艺研究 石英玻璃 光学技术 悬浮体 光电子多芯片组件 主要特性 制作过程 反射式 远紫外

在线阅读 下载PDF 职称材料