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基于电源调制的L波段高性能GaAsHBT功率放大器
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作者 闭涛 陈景龙 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期71-76,共6页
介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片,可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容,实现低膝点电压、跨导均匀的晶... 介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片,可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容,实现低膝点电压、跨导均匀的晶体管;在电路层面采用自适应偏置电路和谐波调谐等提升线性和功率附加效率。该放大器采用前级驱动加末级输出、驱动比为1∶6的两级晶体管架构和高低通搭配的匹配电路。测试结果表明,在5 V偏置电压下,该功率放大器的饱和输出功率大于35 dBm;在大功率回退时(8 dBm),增益变化小于2 dB,功率附加效率指标达到50%;对于调制带宽为25 kHz的16进制正交振幅调制(16QAM)通信系统,邻道功率比小于-38 dBc@27 dBm。 展开更多
关键词 功率放大器 电源调制 gaas异质结双极晶体管(hbt) 峰均比 邻道功率比(ACPR)
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基于GaAsHBT的C波段RLC负反馈功率放大器设计 被引量:1
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作者 傅海鹏 姚攀辉 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期101-108,共8页
提出了一款基于GaAs HBT C波段的线性负反馈功率放大器(power amplifier,PA).本设计采用三级共发射极(common emitter,CE)结构,使用两种不同的有源线性偏置来提升PA的线性度,同时使用RLC负反馈网络来提高稳定性和拓展工作带宽.针对传统... 提出了一款基于GaAs HBT C波段的线性负反馈功率放大器(power amplifier,PA).本设计采用三级共发射极(common emitter,CE)结构,使用两种不同的有源线性偏置来提升PA的线性度,同时使用RLC负反馈网络来提高稳定性和拓展工作带宽.针对传统的负反馈网络结构PA的增益下降问题,RLC负反馈网络可以通过调整负反馈网络中的电感值来有效减小负反馈带来的增益下降的影响.测试结果表明:室温下,在5.1~7.4 GHz范围内,实现增益大于28 dB.在5.9~7.1 GHz的线性工作频段内,平均增益大约为29.5 dB,S11和S22均小于-10 dB;在满足无线局域网标准802.11a,采用20 MHz 64-QAM信号,EVM达到-30 dB的输出功率为18.9~22.5 dBm.在5.9~6.2 GHz时,饱和输出功率大于30 dBm,最大的附加功率效率大于35%. 展开更多
关键词 功率放大器 负反馈 异质结双极晶体管(hbt)
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重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究
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作者 李府唐 郭刚 +4 位作者 张峥 孙浩瀚 刘翠翠 史慧琳 欧阳晓平 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期714-722,共9页
锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管(SiGe hbt) 绝缘体上硅(SOI)工艺 单粒子瞬态(SET) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD)
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InGaP/GaAs HBT器件的制备及其特性 被引量:3
4
作者 周国 何先良 +3 位作者 谭永亮 杜光伟 孙希国 崔玉兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期279-282,320,共5页
采用在发射区台面腐蚀时保留InGaP钝化层和去除InGaP钝化层的方法制备了两种InGaP/Ga As异质结双极晶体管(HBT)器件,研究了InGaP钝化层对HBT器件基区表面电流复合以及器件直流和射频微波特性的影响。对制备的两种器件进行了对比测试后得... 采用在发射区台面腐蚀时保留InGaP钝化层和去除InGaP钝化层的方法制备了两种InGaP/Ga As异质结双极晶体管(HBT)器件,研究了InGaP钝化层对HBT器件基区表面电流复合以及器件直流和射频微波特性的影响。对制备的两种器件进行了对比测试后得到:保留InGaP钝化层的HBT器件最大直流增益(β)为130,最高振荡频率(fmax)大于53 GHz,功率附加效率达到61%,线性功率增益为23 dB;而去除InGaP钝化层的器件最大β为50,f_(max)大于43 GHz,功率附加效率为57%,线性功率增益为18 dB。测试结果表明,InGaP钝化层作为一种耗尽型的钝化层能有效抑制基区表面电流的复合,提高器件直流增益,改善器件的射频微波特性。 展开更多
关键词 InGaP/gaas异质结双极晶体管(hbt) InGaP钝化 直流增益 射频微波特性 表面复合
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基于InGaP/GaAs HBT工艺X波段低相噪压控振荡器 被引量:1
5
作者 陈君涛 李世峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期421-424,共4页
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器(VCO),该VCO采用Colpitts双推(push-push)电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸... 基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器(VCO),该VCO采用Colpitts双推(push-push)电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸以降低其引入的1/f噪声,同时设计高Q值分布式谐振电路,从而有效降低了VCO的输出相位噪声。通过采用背靠背变容二极管对来增加VCO输出频率调谐带宽。测试结果表明,所设计芯片在5 V供电时的电流约180 m A,电调电压在1-13 V变化下输出频率覆盖8.8-10 GHz,典型输出功率为10 d Bm,单边带相位噪声为-115 d Bc/Hz@100 k Hz。芯片尺寸为2.5 mm×1.6 mm。 展开更多
关键词 InGaP/gaas异质结双极晶体管(hbt) 压控振荡器(VCO) 双推(push-push)电路 负阻 相位噪声
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AlGaAs/GaAs HBT E-M 模型直流参数的修正
6
作者 廖小平 魏同立 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1998年第4期24-28,共5页
在SiBJTEM模型基础上,对其直流参数进行了修正,使其适应于AlGaAs/GaAsHBT的直流特性:电流增益不是常量和自热效应.计算机模拟值与实测值在中电流和较大电流时相当吻合,这一结果支持了HBT电路模拟.
关键词 E-M模型 直流参数 异质结双极型 晶体管
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InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展 被引量:2
7
作者 林玲 徐安怀 +1 位作者 孙晓玮 齐鸣 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期5-7,共3页
概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。
关键词 异质结双极晶体管 INGAP/gaas 微波单片集成电路
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一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现 被引量:4
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作者 武岳 吕红亮 +1 位作者 张玉明 张义门 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期30-34,共5页
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿... 为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移.芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm;整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc/Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm^2.文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声. 展开更多
关键词 K波段 相位噪声 改进的n形反馈网络 砷化镓异质结双极晶体管 压控振荡器
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功率GaAs-HBT热分布的解析模型 被引量:1
9
作者 王源 张义门 张玉明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期625-629,共5页
通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程 ,建立了多指AlGaAs/GaAsHBT的热电耦合解析模型 ,给出了相应的算法 ,得到异质结双极型晶体管的电流分布和温度分布 ,讨论了发射极镇流电阻、发射极条长、条宽、衬底厚度和指间间距对电流... 通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程 ,建立了多指AlGaAs/GaAsHBT的热电耦合解析模型 ,给出了相应的算法 ,得到异质结双极型晶体管的电流分布和温度分布 ,讨论了发射极镇流电阻、发射极条长、条宽、衬底厚度和指间间距对电流分布和温度分布的影响 . 展开更多
关键词 热电耦合解析模型 异质结双极型晶体管 砷化镓
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Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT高温特性的研究
10
作者 吴杰 夏冠群 +3 位作者 束伟民 顾伟东 张兴宏 P.A.Houston 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期31-33,36,共4页
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K~623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K~623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHB... 本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K~623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K~623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHBT可工作至623K,工作温度超过623K后,器件就不能正常工作,经分析发现导致HBT失效的直接原因是BC结短路.BC结短路的机制有待今后进一步探讨. 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 高温 直流电学特性 hbt
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基于GaAs HBT工艺的低相位噪声锁相环 被引量:3
11
作者 王增双 朱大成 +2 位作者 孔祥胜 廖文生 高晓强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第4期268-273,共6页
设计了一款低相位噪声的锁相环(PLL),该PLL主要由可编程分频器、鉴相器和锁定指示电路等组成,通过外接参考时钟、有源环路滤波器和压控振荡器(VCO)构成完整的PLL频率源。研究了PLL频率源中各个噪声源及其传递函数,通过降低可编程分频器... 设计了一款低相位噪声的锁相环(PLL),该PLL主要由可编程分频器、鉴相器和锁定指示电路等组成,通过外接参考时钟、有源环路滤波器和压控振荡器(VCO)构成完整的PLL频率源。研究了PLL频率源中各个噪声源及其传递函数,通过降低可编程分频器的相位噪声和提高鉴相器工作频率的方法,降低PLL频率源环路内的相位噪声。采用GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺对PLL进行了设计、仿真和流片,PLL芯片面积为1.95 mm×1.95 mm。测试结果表明,在电源电压5 V条件下,该PLL电流为250 mA,射频输入频率为0.01~2.2 GHz,鉴相器工作频率为0.01~1 GHz,分频比为2~32,典型归一化本底噪声为-232 dBc/Hz;当VCO输出频率为6 GHz,鉴相频率为500 MHz时,PLL频率源的相位噪声为-121 dBc/Hz@10 kHz。 展开更多
关键词 锁相环(PLL) 分频器 鉴相器 相位噪声 gaas异质结双极晶体管(hbt)工艺
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应用于WLAN的GaAs HBT功率放大器设计
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作者 傅海鹏 寇宁 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期122-128,共7页
提出了一款基于GaAs HBT工艺的高功率功率放大器(Power Amplifier,PA).设计采用三级放大器级联的结构以提高功率放大器的功率增益,在功率晶体管的基极处串联RC有耗稳定网络来提高稳定性及改善增益平坦度,采用电流镜有源偏置的方式提升... 提出了一款基于GaAs HBT工艺的高功率功率放大器(Power Amplifier,PA).设计采用三级放大器级联的结构以提高功率放大器的功率增益,在功率晶体管的基极处串联RC有耗稳定网络来提高稳定性及改善增益平坦度,采用电流镜有源偏置的方式提升大信号输出时的功率、效率及线性度表现,同时在输出级放大器处添加功率检测电路以得到随输出功率变化的直流电压信号.EM仿真结果表明:PA的输出频率范围为5.1~6.5 GHz,增益为33~33.7dB,S11、S22<-9.8 dB,饱和输出功率为32.8~34.9 dBm,峰值效率为38.7%~42%,在满足无线局域网标准802.11ax、调制策略为MCS7的情况下,EVM达到-30 dB时输出功率为20~21 dBm,芯片面积为1.69 mm×0.73 mm.测试结果表明:S参数测试结果与仿真结果表现出较好的一致性,PA在满足前述无线局域网标准时输出功率为13.6~19.8 dBm. 展开更多
关键词 功率放大器 线性度 异质结双极晶体管(hbt)
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基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究
13
作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 李娜 《雷达科学与技术》 北大核心 2022年第2期165-172,共8页
建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)... 建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)神经网络算法和反向传播(BP)神经网络算法分别建立GaAs异质结双极晶体管器件的大信号模型。这些模型的训练和测试数据分别来自于测试的双端口散射参数,以及测试的直流特性和功率特性数据。然后将模型数据与实测结果进行对比,结果发现,基于神经网络的器件模型能够精确地模拟器件特性,而且RBF神经网络模型相比BP神经网络模型,误差更小,预测更精确。 展开更多
关键词 砷化镓异质结双极晶体管器件 径向基函数神经网络 反向传播神经网络 器件模型
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SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造 被引量:5
14
作者 沈珮 张万荣 +1 位作者 金冬月 谢红云 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第8期2028-2032,共5页
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺... 该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感,最终研制出的SiGe HBT LNA芯片面积仅为0.282mm2。测试结果表明,在工作频带0.2-1.2GHz内,LNA噪声系数低至2.5dB,增益高达26.7dB,输入输出端口反射系数分别小于-7.4dB和-10dB。 展开更多
关键词 硅锗异质结双极晶体管 低噪声放大器 单片集成 噪声系数
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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
15
作者 张斌 蒋颖丹 +4 位作者 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期14-20,共7页
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。 展开更多
关键词 驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管
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SiGe HBT单粒子瞬态TCAD仿真研究 被引量:1
16
作者 陈寿面 孙亚宾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期188-194,227,共8页
借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态(SET)效应展开了详细的研究。首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,阐明了SiGe HBT中单粒子瞬态机制。然后,通过... 借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态(SET)效应展开了详细的研究。首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,阐明了SiGe HBT中单粒子瞬态机制。然后,通过对比重离子入射至器件不同位置时各电极的瞬态电流和感生电荷的收集情况,确定了集电极/衬底(CS)结及附近区域为SiGe HBT单粒子瞬态的敏感区域。结果表明相对于集电极和衬底的电荷收集,基极和发射极收集的电荷可忽略不计。此外,各电极的瞬态电流和电荷收集还具有明显的位置依赖性。上述结果可为SiGe HBT单粒子效应的抗辐射加固提供有力的指导依据。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极型晶体管(SiGe hbt) 空间辐射 单粒子瞬态(SET) 电荷收集 TCAD仿真
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改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
17
作者 陈亮 张万荣 +3 位作者 金冬月 肖盈 王任卿 尤云霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期101-103,共3页
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距S... 提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距SiGe HBT相比,在相同的环境温度及耗散功率下,采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT,其最高结温明显降低,热阻显著减小,温度分布更加均匀,有效地提高了多发射极指功率SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 环境温度 热电反馈模型 结温 耗散功率
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一种新的HBT小信号模型参数优化提取法
18
作者 胡晓萍 胡建萍 +1 位作者 郑梁 钟叶龙 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期567-571,共5页
阐述了一种新的异质结双极型晶体管(HBT)的小信号模型参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法.对HBT小信号模型进行推导并确定外部参数和内部参数的计算公式;介绍了多偏置点优化算法,并在GaInP/GaAsHBT器件上进行了鲁棒性和精确性... 阐述了一种新的异质结双极型晶体管(HBT)的小信号模型参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法.对HBT小信号模型进行推导并确定外部参数和内部参数的计算公式;介绍了多偏置点优化算法,并在GaInP/GaAsHBT器件上进行了鲁棒性和精确性测试.实验采用了一系列随机初始值,结果表明提取的参数值具有唯一收敛性和精确性,仿真结果与测量数据的相对误差小于1%. 展开更多
关键词 异质结双极型晶体管 参数提取 小信号等效模型
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SiGe HBT高增益宽带低噪声放大器设计 被引量:2
19
作者 李国军 徐永祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期259-262,296,共5页
基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声系数和高增益等特性,适合于射频或中频信号处理... 基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声系数和高增益等特性,适合于射频或中频信号处理系统。芯片采用板上芯片(COB)方式测试,结果表明:在10~800 MHz工作频带内,单片集成低噪声放大器的噪声系数为1.62~1.90 dB,增益35 dB,输入输出端口反射系数分别小于-16 dB和-13 dB,1 dB压缩点输出功率为13 dBm,工作电流35 mA。单片集成低噪声放大器的芯片面积仅为0.48 mm×0.38 mm。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管(hbt) 高增益 宽带 低噪声放大器(LNA) 噪声系数(NF)
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SiGe HBT小信号和大信号建模与分析 被引量:3
20
作者 孟煜晗 何庆国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期520-526,共7页
基于异质结双极晶体管(HBT)优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采用Gummel-Poon等效电路模型对常用HBT进行了小信号和大信号模型的建立,加入了寄生电感等效衬底寄生参数,... 基于异质结双极晶体管(HBT)优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采用Gummel-Poon等效电路模型对常用HBT进行了小信号和大信号模型的建立,加入了寄生电感等效衬底寄生参数,测试了SiGe HBT在不同偏置下的S参数及I-V特性曲线,利用半解析方法分析了非线性模型的参数提取,讨论了本征参数和寄生参数的拟合优化。给出了关于HBT大信号和小信号等效电路模型,对比实测参数进行验证,建立模型在测试频率范围内拟合结果和测试结果吻合良好。 展开更多
关键词 SIGE 异质结双极晶体管(hbt) 建模 大小信号 参数提取
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