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GaAsMESFET平面型变容管高频特性分析
1
作者
孙晓玮
程知群
+2 位作者
夏冠群
罗晋生
林金庭
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第8期128-129,139,共3页
本文分析了用于ＧａＡｓＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性，讨论了器件几何结构与直流参数、Ｓ参数之间的关系．重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响，给出了变容管变电容比与器件几何尺寸．
关键词
mesfet
变容二极管
砷化镓
高频特性
在线阅读
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职称材料
题名
GaAsMESFET平面型变容管高频特性分析
1
作者
孙晓玮
程知群
夏冠群
罗晋生
林金庭
机构
中国科学院上海冶金研究所
西安交通大学微电子工程系
南京电子器件研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第8期128-129,139,共3页
基金
国家自然科学基金
中科院重点基金
文摘
本文分析了用于ＧａＡｓＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性，讨论了器件几何结构与直流参数、Ｓ参数之间的关系．重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响，给出了变容管变电容比与器件几何尺寸．
关键词
mesfet
变容二极管
砷化镓
高频特性
Keywords
gaas mmic
,
mesfet planar varactor
,
microwave s parameter
分类号
TN312.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAsMESFET平面型变容管高频特性分析
孙晓玮
程知群
夏冠群
罗晋生
林金庭
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
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