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沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真: 1; 作者杨震吴春艳 +3 位作者吴霞高金绪龙陈强解光军《合肥工业大学学报(自然科学版)》北大核心 2025年第2期196-202,231,共8页; 在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_... 展开更多; 关键词 β-ga_(2)o_(3) 肖特基势垒二极管(sbd) 沟槽结构功率器件仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性被引量：1: 2; 作者郭艳敏杨玉章 +3 位作者冯志红王元刚刘宏宇韩静文《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期375-379,共5页; 提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,... 展开更多; 关键词氧化镓(ga_(2)o_(3)) 肖特基势垒二极管(sbd) 刻蚀击穿电压功率品质因子(FoM); 在线阅读下载PDF 职称材料

超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展被引量：4: 3; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页; 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较... 展开更多; 关键词 ga2o3单晶 ga2o3外延 β-ga2o3肖特基二极管 β-ga2o3金属氧化物半导体场效应管(MoSFET) β-ga2o3鳍式场效应管(FinFET); 在线阅读下载PDF 职称材料

Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势被引量：8: 4; 作者孙学耕张智群《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期241-249,284,共10页; 氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研... 展开更多; 关键词 ga2o3 超宽禁带半导体功率器件 ga2o3肖特基势垒二极管(sbd) ga2o3金属氧化物半导体场效应晶体管(MoSFET); 在线阅读下载PDF 职称材料

新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望被引量：3: 5; 作者刁华彬杨凯 +1 位作者赵超罗军《微纳电子技术》北大核心 2019年第11期875-887,901,共14页; Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga... 展开更多; 关键词 β-ga2o3 超宽禁带半导体功率器件肖特基势垒二极管(sbd) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MoSFET); 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展被引量：2: 6; 作者王歌杨帆 +3 位作者王方圆杜浩毓王晓龙檀柏梅《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第12期946-955,共10页; Ga_(2)O_(3)是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm,Baliga优值超过3000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga_(2)O_(3)是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广... 展开更多; 关键词氧化镓(ga_(2)o_(3)) 肖特基势垒二极管(sbd) 外延边缘终端场板; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真: 1; 作者杨震吴春艳吴霞高金绪龙陈强解光军; 机构合肥工业大学微电子学院; 出处《合肥工业大学学报(自然科学版)》北大核心 2025年第2期196-202,231,共8页; 基金安徽省自然科学基金资助项目(2208085MF177)。; 文摘在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的结构参数,文章利用Silvaco Atlas软件仿真不同台面宽度和沟槽深度对器件性能的影响。结果表明,参数优化后(台面宽度1.0μm,沟槽深度0.5μm)的沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD开启电压为0.6 V、比导通电阻为1.69 mΩ·cm^(2)、击穿电压为1416 V、功率品质因数为1.19 GW/cm^(2),实现了兼具低开启电压和高击穿电压的良好器件性能。与基础结构SBD和场板结构SBD相比,优化后的器件性能得到显著提升。; 关键词 β-ga_(2)o_(3) 肖特基势垒二极管(sbd) 沟槽结构功率器件仿真; Keywords β-ga_(2)o_(3) Schottky barrier diode(sbd) trenched structure power device simulation; 分类号 TN313.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性被引量：1: 2; 作者郭艳敏杨玉章冯志红王元刚刘宏宇韩静文; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所固态微波器件与电路全国重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期375-379,共5页; 基金青年人才托举工程资助项目(2020-JCJQ-QT-080)。; 文摘提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,刻蚀完成后,在器件表面生长了SiO2介质层,随后制备了场板结构。测试结果显示,刻蚀后器件的比导通电阻小幅上升,而反向击穿电压均大幅提升。刻蚀深度为300 nm的β-Ga_(2)O_(3)SBD具有最优特性,其比导通电阻(Ron,sp)为2.5 mΩ·cm^(2),击穿电压(Vbr)为1410 V,功率品质因子(FOM)为795 MW/cm^(2)。该研究为高性能Ga_(2)O_(3)SBD的制备提供了一种新方法。; 关键词氧化镓(ga_(2)o_(3)) 肖特基势垒二极管(sbd) 刻蚀击穿电压功率品质因子(FoM); Keywords gallium oxide(ga_(2)o_(3)) Schottky barrier diode(sbd) etching breakdown voltage power figure-of-merit(FoM); 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展被引量：4: 3; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团公司专用集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页; 文摘半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。; 关键词 ga2o3单晶 ga2o3外延 β-ga2o3肖特基二极管 β-ga2o3金属氧化物半导体场效应管(MoSFET) β-ga2o3鳍式场效应管(FinFET); Keywords ga2o3 single crystal ga2o3 epitaxy β-ga2o3 schottky diode β-ga2o3 MoSFET β-ga2o3 FinFET; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势被引量：8: 4; 作者孙学耕张智群; 机构厦门海洋职业技术学院福建信息职业技术学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期241-249,284,共10页; 文摘氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状。详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果。归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标。最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议。; 关键词 ga2o3 超宽禁带半导体功率器件 ga2o3肖特基势垒二极管(sbd) ga2o3金属氧化物半导体场效应晶体管(MoSFET); Keywords ga2o3 ultra-wide bandgap semiconductor power device ga2o3 Schottky barrierdiode （sbd） ga2o3 metal oxide semiconductor field effect transistor （MoSFET）; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望被引量：3: 5; 作者刁华彬杨凯赵超罗军; 机构中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心中国科学院大学中国科学技术大学微电子学院; 出处《微纳电子技术》北大核心 2019年第11期875-887,901,共14页; 文摘 Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga2O3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga2O3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga2O3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga2O3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga2O3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。; 关键词 β-ga2o3 超宽禁带半导体功率器件肖特基势垒二极管(sbd) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MoSFET); Keywords β-ga2o3 ultra-wide bandgap semiconductor power device Schottky barrier diode(sbd) metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MoSFET); 分类号 TN313.4 [电子电信—物理电子学] TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展被引量：2: 6; 作者王歌杨帆王方圆杜浩毓王晓龙檀柏梅; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第12期946-955,共10页; 基金国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007) 河北省自然科学基金资助项目(F2018202174)。; 文摘 Ga_(2)O_(3)是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm,Baliga优值超过3000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga_(2)O_(3)是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广泛的关注。介绍了Ga_(2)O_(3)材料的基本物理性质,分析了Ga_(2)O_(3)基肖特基势垒二极管(SBD)的优势及存在的问题。重点从器件工艺、结构和边缘终端技术等角度评述了优化Ga_(2)O_(3)基SBD性能的方法,并对Ga_(2)O_(3)基SBD的进一步发展趋势进行了展望。; 关键词氧化镓(ga_(2)o_(3)) 肖特基势垒二极管(sbd) 外延边缘终端场板; Keywords gallium oxide(ga_(2)o_(3)) Schottky barrier diode(sbd) epitaxy edge terminal field plate; 分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学] TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真	杨震吴春艳吴霞高金绪龙陈强解光军	《合肥工业大学学报(自然科学版)》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性	郭艳敏杨玉章冯志红王元刚刘宏宇韩静文	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势	孙学耕张智群	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	8	在线阅读下载PDF 职称材料
5	新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望	刁华彬杨凯赵超罗军	《微纳电子技术》北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展	王歌杨帆王方圆杜浩毓王晓龙檀柏梅	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料