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Ga^(3+):KTP晶体c向电导率的研究 被引量:2
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作者 臧和贵 常新安 +2 位作者 张书峰 陈学安 肖卫强 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期378-380,共3页
采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较。结果发现,Ga3+:KTP晶体... 采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较。结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上。文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨。 展开更多
关键词 Ga^3+:ktp晶体 分配系数 c向电导率
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Al^(3+):KTP晶体生长及其相关性质研究 被引量:1
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作者 常新安 华晓晓 +3 位作者 臧和贵 陈学安 肖卫强 代美娟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期572-576,共5页
采用高温溶液法生长不同掺质浓度的Al3+:KTP晶体,以等离子体发射光谱法测定晶体中Al3+的含量,并计算出Al3+在相应生长体系中的分配系数。采用X射线粉末衍射和粉末倍频法分别测定了所生长晶体的晶胞参数和倍频效应,结果表明随着晶体中掺... 采用高温溶液法生长不同掺质浓度的Al3+:KTP晶体,以等离子体发射光谱法测定晶体中Al3+的含量,并计算出Al3+在相应生长体系中的分配系数。采用X射线粉末衍射和粉末倍频法分别测定了所生长晶体的晶胞参数和倍频效应,结果表明随着晶体中掺质浓度的增加,晶胞参数逐渐减小,而倍频效应呈现略微增强的趋势。 展开更多
关键词 Al^3+:ktp晶体 分配系数 晶胞参数 倍频效应
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