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δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）被引量：1: 1; 作者郑卫民黄海北 +4 位作者李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1373-1379,共7页; 三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工... 展开更多; 关键词共振隧穿重空穴和轻空穴 gaas/alAs多量子阱电流-电压特征 δ-掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs插入层对InGaAs/AlGaAs量子阱发光性质的影响被引量：2: 2; 作者于海鑫王海珠 +4 位作者郎天宇吕明辉徐睿良范杰邹永刚《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1967-1973,共7页; InGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)作为一种常见的Ⅲ-Ⅴ族外延材料,通常应用于半导体激光器和太阳能电池等领域。然而,由于量子阱的势阱层和势垒层生长温度不同,铟原子的偏析和多量子阱生长质量较差等问题尚未得到很好的解决。本文设计了一... 展开更多; 关键词 Ingaas/algaAs多量子阱局域态插入层金属有机化合物气相外延(MOCVD); 在线阅读下载PDF 职称材料

GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率: 3; 作者张李骊刘战辉 +3 位作者钟霞修向前张荣谢自力《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期51-56,62,共7页; 详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米... 展开更多; 关键词绿光发光二极管(LED) 镓掺杂氧化锌(gaZnO)薄膜发光效率透明导电层(TCL) 多量子阱(MQW); 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）	郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaAs插入层对InGaAs/AlGaAs量子阱发光性质的影响	于海鑫王海珠郎天宇吕明辉徐睿良范杰邹永刚	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率	张李骊刘战辉钟霞修向前张荣谢自力	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料