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Effect of substrate temperature and oxygen plasma treatment on the properties of magnetron-sputtered CdS for solar cell applications
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作者 Runxuan Zang Haolin Wang +9 位作者 Xiaoqi Peng Ke Li Yuehao Gu Yizhe Dong Zhihao Yan Zhiyuan Cai Huihui Gao Shuwei Sheng Rongfeng Tang Tao Chen 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期22-33,I0010,共13页
Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films h... Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films have emerged,among which magnetron sputtering(MS)is one of the most commonly used vacuum techniques.For this type of technique,the substrate temperature is one of the key deposition parameters that affects the interfacial properties between the target film and substrate,determining the specific growth habits of the films.Herein,the effect of substrate temperature on the microstructure and electrical properties of magnetron-sputtered CdS(MS-CdS)films was studied and applied for the first time in hydrothermally deposited antimony selenosulfide(Sb_(2)(S,Se)_(3))solar cells.Adjusting the substrate temperature not only results in the design of the flat and dense film with enhanced crystallinity but also leads to the formation of an energy level arrangement with a Sb_(2)(S,Se)_(3)layer that is more favorable for electron transfer.In addition,we developed an oxygen plasma treatment for CdS,reducing the parasitic absorption of the device and resulting in an increase in the short-circuit current density of the solar cell.This study demonstrates the feasibility of MS-CdS in the fabrication of hydrothermal Sb_(2)(S,Se)_(3)solar cells and provides interface optimization strategies to improve device performance. 展开更多
关键词 magnetron sputtering CDS substrate heating plasma treatment Sb_(2)(S Se)_(3) thin film solar cell
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H2Se气态硒化后退火温度对CIGS薄膜中Ga再分布的影响
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作者 黄勇亮 孟凡英 +2 位作者 沈文忠 吴敏 刘正新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期2585-2590,共6页
采用H2Se气体在400℃下对溅射的Cu-In-Ga金属预制层进行硒化处理制备CIGS薄膜,然后采用原位退火的方法改善Ga元素在CIGS薄膜内的纵向分布和薄膜内的晶粒尺寸,研究退火温度对CIGS薄膜表面Ga元素含量和结晶性的影响。CIGS薄膜中Ga元素... 采用H2Se气体在400℃下对溅射的Cu-In-Ga金属预制层进行硒化处理制备CIGS薄膜,然后采用原位退火的方法改善Ga元素在CIGS薄膜内的纵向分布和薄膜内的晶粒尺寸,研究退火温度对CIGS薄膜表面Ga元素含量和结晶性的影响。CIGS薄膜中Ga元素的分布决定薄膜的禁带宽度和太阳电池的开路电压,通过优化退火温度,CIGS太阳电池的转换效率相对增益达到20%,最终达到14.39%的转换效率和590mV的开路电压。 展开更多
关键词 H2Se硒化 退火温度 ga再分布 晶粒生长 cigs薄膜
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Na掺入制备不锈钢衬底CIGS太阳电池 被引量:8
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作者 施成营 何青 +7 位作者 赵九成 李风岩 姜一 张力 王春婧 周志强 李长健 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期771-774,共4页
以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,在沉积CIGS薄膜前沉积一定厚度的NaF预置层,使得所制备的CIGS薄膜含有适量浓度的Na,并获得了10.06%的转换效率。利用X射线衍射仪和X射线荧光光谱仪... 以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,在沉积CIGS薄膜前沉积一定厚度的NaF预置层,使得所制备的CIGS薄膜含有适量浓度的Na,并获得了10.06%的转换效率。利用X射线衍射仪和X射线荧光光谱仪分别测量了所制备薄膜的晶相和组分,利用扫描电子显微镜分析了不锈钢衬底CIGS太阳电池的断面形貌,最后分析了NaF的掺入对CIGS太阳电池的影响。 展开更多
关键词 Cu(In ga)se2(cigs) 柔性 NAF 太阳电池 不锈钢
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Cu(In,Ga)Se_2薄膜电沉积制备及性能研究 被引量:5
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作者 夏冬林 徐慢 +1 位作者 李建庄 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1146-1150,共5页
采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度... 采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度对C IGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能。实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数。 展开更多
关键词 Cu(In ga)se2(cigs) 薄膜 电沉积 太阳能电池
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柔性不锈钢衬底CIGS薄膜太阳电池 被引量:4
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作者 施成营 何青 +6 位作者 张力 肖建平 敖建平 杨成晓 李微 李凤岩 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期947-950,共4页
以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用三步共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,CIGS层在Mo导电层上具有很强的附着力。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相和组分。以ZnO:Al/i-ZnO/ CdS/CIGS/Mo/Stainless steel结构为... 以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用三步共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,CIGS层在Mo导电层上具有很强的附着力。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相和组分。以ZnO:Al/i-ZnO/ CdS/CIGS/Mo/Stainless steel结构为基础得到最高转换效率为9.39%的柔性太阳电池。最后讨论了衬底粗糙度、有害杂质的扩散和不含有Na元素等不利因素对于电池性能的影响。 展开更多
关键词 Cu(In ga)se2(cigs) 柔性 太阳电池 不锈钢
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电化学沉积太阳电池用CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2薄膜的研究进展 被引量:4
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作者 刘芳洋 赖延清 +5 位作者 张治安 刘军 匡三双 李轶 李劼 刘业翔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期36-40,45,共6页
综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和... 综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和PVD调整成分的研究状况。回顾了基于电化学沉积的CIS和CIGS太阳电池研究的发展过程,并介绍了目前实验室和产业化研究的最新成果,指出了存在的问题并展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 CuInse2(CIS) Cu(In ga)se2(cigs) 太阳电池 电化学沉积
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Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se_2太阳电池的影响 被引量:3
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作者 刘芳芳 何青 +1 位作者 周志强 孙云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1381-1386,共6页
利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响。从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提... 利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响。从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失。优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高。量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520~1100nm)的光子吸收损失大大减小。 展开更多
关键词 cigs薄膜 太阳电池 ga梯度分布 二极管特性
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甲脒亚磺酸添加剂提升Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜质量及其光伏性能
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作者 倪晓萌 许方贤 +3 位作者 刘静静 张帅 郭华飞 袁宁一 《无机材料学报》 北大核心 2025年第4期372-378,I0005-I0007,共10页
硒硫化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))具有优异的光电特性,是一种很有前景的光伏材料。然而,目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳能电池的最高光电转换效率(PCE)仍与理论极限有较大差距,这部分归因于Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜中存在严重的载流子复合。本研究采... 硒硫化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))具有优异的光电特性,是一种很有前景的光伏材料。然而,目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳能电池的最高光电转换效率(PCE)仍与理论极限有较大差距,这部分归因于Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜中存在严重的载流子复合。本研究采用水热沉积法制备Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜,在前驱体溶液中引入过程性添加剂甲脒亚磺酸(FSA),不仅优化了Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的(211)、(221)晶面取向和Se/S原子比例,还控制了薄膜中载流子复合中心Sb_(2)O3的含量。添加了FSA的太阳能电池的暗饱和电流密度(J0)和复合阻抗(Rrec)分别为1.10×10^(-5)mA·cm^(-2)和3147Ω·cm^(-2),明显优于参照器件(J0=5.17×10^(-5)mA·cm^(-2),Rrec=974.3Ω·cm^(-2)),表明FSA显著抑制了Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳能电池的载流子复合。在AM1.5G太阳光模拟器照射下,添加了FSA的太阳能电池的开路电压(VOC)、短路电流密度(JSC)、填充因子(FF)和PCE的平均值分别为0.69 V、18.46 mA·cm^(-2)、63.60%和8.04%,较参照器件(0.67 V、17.82 mA·cm^(-2)、62.27%和7.70%)均明显提升,最优未封装器件PCE达8.21%,在空气中老化120 d仍保持初始PCE的82.1%。 展开更多
关键词 Sb_(2)(S Se)_(3) 添加剂 甲脒亚磺酸 载流子复合 太阳能电池
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柔性铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池研究进展
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作者 花浩 孙孪鸿 +1 位作者 赵宇 庞楚泷 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期533-551,共19页
铜锌锡硫硒(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),CZTSSe)具有组成元素丰富、环境友好和理论光电转换效率高等优点,是一种具有大规模应用潜力的新型光伏材料。相比刚性衬底,柔性CZTSSe薄膜太阳能电池具有质轻和可弯折的独特优势,在光伏建筑一体化、柔... 铜锌锡硫硒(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),CZTSSe)具有组成元素丰富、环境友好和理论光电转换效率高等优点,是一种具有大规模应用潜力的新型光伏材料。相比刚性衬底,柔性CZTSSe薄膜太阳能电池具有质轻和可弯折的独特优势,在光伏建筑一体化、柔性可穿戴设备等领域有广阔的应用前景。从柔性衬底、残余应力、制备方法、掺杂、界面工程等方面对柔性CZTSSe薄膜太阳能电池的研究现状进行了详细阐述。最后,对柔性CZTSSe薄膜太阳能电池存在的问题进行了分析,并对未来的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 铜锌锡硫硒(CZTSSe) 柔性薄膜太阳能电池 残余应力 掺杂 制备方法
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一种制备MexSey(Me=Cu,In,Ga)的简便工艺 被引量:1
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作者 冯海权 李晨辉 +2 位作者 杨腾飞 谭志龙 管伟明 《化学与生物工程》 CAS 2014年第2期38-41,共4页
提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英... 提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英管密封,分别加热到300℃、500℃、650℃和770℃,最后打破石英管取出产物研成粉末,进行XRD分析。结果表明:在升温速率为1℃·min-1、冷却方式为炉冷的条件下,300℃保温3h得到单相的Cu2Se;300℃、500℃和650℃分别保温3h,得到单相的In2Se3;300℃、500℃、650℃和770℃分别保温3h,得到Ga2Se3相和少量的GaSe相。 展开更多
关键词 Cu2Se In2Se3 ga2Se3 cigs靶材
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Li掺杂对铜锌锡硫硒太阳电池的影响研究
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作者 申绪男 张超 黄洪昌 《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第5期949-953,共5页
开展了基于二甲基亚砜溶剂体系的溶胶凝胶法制备铜锌锡硫硒薄膜中掺杂Li的相关研究。对不同Li掺杂量的CZTSSe薄膜分别进行了表截面形貌、晶体结构、成分比例测试,结果表明:在CZTSSe薄膜中掺杂Li可以提升薄膜的结晶质量,且随着Li掺杂量... 开展了基于二甲基亚砜溶剂体系的溶胶凝胶法制备铜锌锡硫硒薄膜中掺杂Li的相关研究。对不同Li掺杂量的CZTSSe薄膜分别进行了表截面形貌、晶体结构、成分比例测试,结果表明:在CZTSSe薄膜中掺杂Li可以提升薄膜的结晶质量,且随着Li掺杂量的增加,结晶质量变好。分析原因为,高温硒化过程中形成的Li_(2)Se相辅助生长改善了薄膜的结晶质量,抑制了ZnCu和SnCu等施主能级缺陷生成。但是,同样发现在Li/Cu摩尔比为1%~10%之间存在阈值,过量的Li并不能进入晶格而富集在晶界处。对不同Li掺杂的CZTSSe薄膜进行太阳电池的制备,结果表明Li/Cu为1%的太阳电池具有最高的转换效率,达到8.5%。 展开更多
关键词 铜锌锡硫硒 Li掺杂 Li_(2)Se相 太阳电池
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太阳电池新材料新方法 被引量:6
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作者 杨洪兴 郑广富 +1 位作者 文卓豪 安大伟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期301-307,共7页
该文叙述了发展低成本、高效率太阳电池光伏有源材料CuIn1 xGaxSe2 (CIGS)和新式薄膜电淀积技术的优点。详细报告了该研究项目采用的新式CIGS薄膜电淀积的整个实验制作过程 ,给出了在香港政府创新科技基金资助下的第一阶段所取得的成果... 该文叙述了发展低成本、高效率太阳电池光伏有源材料CuIn1 xGaxSe2 (CIGS)和新式薄膜电淀积技术的优点。详细报告了该研究项目采用的新式CIGS薄膜电淀积的整个实验制作过程 ,给出了在香港政府创新科技基金资助下的第一阶段所取得的成果。实验结果已证明 :采用这种简单而新颖的电淀积方法能制得光伏用的多晶半导体CIGS薄膜材料。通过测试确定了这种材料具有四方晶体结构、特征峰为 (112 ) ,(2 0 4,2 2 0 )的多晶CIGS材料。已测得连续分布的薄膜层厚约 1 6 μm ,晶粒的平均大小约 2 μm长 ,具有太阳电池所需的材料质量。实验还证明 :此法可重覆生产出厚度和质量相近的CIGS薄膜。该文也做了有关技术的讨论和分析。这种新式的材料和薄膜技术对生产商品化低成本、高效率薄膜太阳电池无疑是非常有希望的。 展开更多
关键词 CuIn1-xgaxse2(cigs) 光伏材料 电淀积 薄膜太阳电池
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薄膜太阳电池的研究进展及应用前景 被引量:22
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作者 徐立珍 李彦 秦锋 《可再生能源》 CAS 2006年第3期9-12,共4页
阐述了非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池、锑化镉薄膜电池、铜铟镓硒薄膜太阳电池和染料敏化TiO2太阳电池的研究现状,简要介绍了我国薄膜太阳电池研究的进展,指出了太阳电池在我国的应用前景。
关键词 薄膜电池 非晶硅 多晶硅 锑化镉 铜铟镓硒 染料敏化
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铜铟(镓)硒薄膜太阳电池吸收层制备研究 被引量:1
14
作者 李丽波 裴凤巍 +2 位作者 王珩 杨秀春 田海燕 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期572-575,共4页
铜铟(镓)硒(CIGS)薄膜太阳电池有非常高的理论转化效率,吸收系数高,稳定性好,对材料缺陷的容忍度高等优点成为了近年来电池研究的热点。介绍了目前国内外制备CuIn(Ga)Se薄膜的方法,包括真空蒸法,溅射法、电沉积法,溶剂热法,溶胶凝胶法等... 铜铟(镓)硒(CIGS)薄膜太阳电池有非常高的理论转化效率,吸收系数高,稳定性好,对材料缺陷的容忍度高等优点成为了近年来电池研究的热点。介绍了目前国内外制备CuIn(Ga)Se薄膜的方法,包括真空蒸法,溅射法、电沉积法,溶剂热法,溶胶凝胶法等,阐述了每种方法制备出的铜铟(镓)硒薄膜的组成、微观结构、光伏性能及它们之间的联系。 展开更多
关键词 铜铟(镓)硒 薄膜 太阳电池 制备
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热注入法制备CuIn(Se,S)_2纳米材料的研究进展 被引量:1
15
作者 向卫东 杨海龙 +5 位作者 王京 赵寅生 钟家松 赵斌宇 骆乐 谢翠萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期15-20,共6页
介绍了CuIn(Se,S)2纳米材料的晶体结构和性质,以及热注入法的原理和特点。重点论述了近年来国内外采用热注入法制备不同形貌和结构CuIn(Se,S)2纳米材料的研究进展,概括了其反应机理和影响因素。综述了CuIn(Se,S)2纳米材料在太阳能电池、... 介绍了CuIn(Se,S)2纳米材料的晶体结构和性质,以及热注入法的原理和特点。重点论述了近年来国内外采用热注入法制备不同形貌和结构CuIn(Se,S)2纳米材料的研究进展,概括了其反应机理和影响因素。综述了CuIn(Se,S)2纳米材料在太阳能电池、QD-LED及生物标记上的应用。探讨了目前存在的问题及今后的研究方向。 展开更多
关键词 热注入法 CuIn(Se S)2 纳米材料 太阳能电池
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铜铟镓硒薄膜太阳电池研究进展和挑战 被引量:8
16
作者 陶加华 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期395-412,共18页
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_(2),CIGS)太阳电池产业化受到全世界广泛关注。作为高转换效率薄膜电池,其效率可与晶硅电池相比,目前最高效率达到23.35%。对于小面积实验室电池而言,研究重点是精确控制吸收层的化学计量比和效率;对于工业化生产... 铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_(2),CIGS)太阳电池产业化受到全世界广泛关注。作为高转换效率薄膜电池,其效率可与晶硅电池相比,目前最高效率达到23.35%。对于小面积实验室电池而言,研究重点是精确控制吸收层的化学计量比和效率;对于工业化生产而言,除化学计量比和效率外,成本、重现性、产出和工艺兼容性在商业化生产中至关重要。重点介绍了不同制备工艺、吸收层组分梯度调控、碱金属后沉积处理、宽带隙无镉缓冲层、透明导电层和柔性衬底等研究进展。从CIGS电池的效率来看,将实验室创纪录的高效电池技术转移到平均工业生产水平带来显而易见的挑战。 展开更多
关键词 铜铟镓硒(Cu(In ga)Se cigs)太阳电池 组分梯度 碱金属 无镉缓冲层 产业化 叠层
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阳离子掺杂措施优化铜锌锡硫硒电池性能的研究进展 被引量:1
17
作者 李姝雨 杨艳春 +2 位作者 王一鸣 霍虎 朱成军 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期4034-4044,共11页
铜锌锡硫硒(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),简称CZTSSe)薄膜太阳能电池因其组成元素地壳含量丰富,低毒环保等优点被科学家们认为是适合未来大面积发展的一类太阳能电池。当前,该类太阳能电池的效率一直受到吸收层中高的阳离子无序度和器件的低... 铜锌锡硫硒(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),简称CZTSSe)薄膜太阳能电池因其组成元素地壳含量丰富,低毒环保等优点被科学家们认为是适合未来大面积发展的一类太阳能电池。当前,该类太阳能电池的效率一直受到吸收层中高的阳离子无序度和器件的低开路电压的限制。为此,科学家们提出“阳离子掺杂措施”,即:通过引入其他阳离子,减少本身的阳离子无序度,从而提高电池器件的光电转换效率。事实也证明,阳离子掺杂措施在提升电池器件性能方面有着重大的意义。基于此,详细阐述了阳离子掺杂措施在优化铜锌锡硫硒电池器件性能方面的研究进展,包括:阳离子(如:钠、钾、锑)的额外添加和阳离子取代(如:锂/银取代铜、锰/镁/钡/镉取代锌、锗取代锡)措施,并得出结论:最有前景的阳离子是镉和锗离子,考虑到镉的有毒性,所以锗应该是优化CZTSSe电池性能方面最有应用前景的一种元素。 展开更多
关键词 薄膜太阳能电池 铜锌锡硫硒 阳离子掺杂 光电转换效率 反位缺陷 带隙
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可调带隙硫硒化锑薄膜及太阳电池的研究进展
18
作者 曹宇 武颖 +4 位作者 周静 倪牮 张建军 陶加华 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期311-326,共16页
硫硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富且低毒、性能稳定等本征优势成为研究热点。目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池最高效率已超过10%,显示出产业化潜力。Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的研究重点是提高吸光层... 硫硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富且低毒、性能稳定等本征优势成为研究热点。目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池最高效率已超过10%,显示出产业化潜力。Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的研究重点是提高吸光层质量和优化器件结构。首先,系统介绍了Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的主流生长工艺;其次,对Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池各功能层选择和渐变带隙结构设计进行分析;最后,对Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的大面积制备和其在锑基多结叠层太阳电池中的应用潜力做了进一步展望,为其产业化发展提供可行性参考。 展开更多
关键词 硫硒化锑太阳电池 制备方法 载流子传输层 渐变带隙
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Cr应力缓释层对柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)薄膜太阳电池性能的影响 被引量:1
19
作者 陈春阳 唐正霞 +2 位作者 孙孪鸿 王威 赵毅杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期482-487,共6页
柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响。结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶... 柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响。结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶质量最好,电池具有最佳的光电性能,相比没有Cr应力缓释层存在的情况,薄膜的残余应力从-7.15 GPa降低至-3.61 GPa,电池的光电转换效率(PCE)从2.89%提高至4.65%,增加了60.9%。Cr应力缓释层的引入不会影响CZTSSe薄膜的晶体结构,相反可有效提高薄膜的结晶质量,降低薄膜的残余应力,最终提高电池的光电性能。 展开更多
关键词 柔性Cu_(2)ZnSn(S Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池 Cr应力缓释层 残余应力 光电转换效率(PCE) 结晶质量
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Al_(2)O_(3)扩散阻挡层对柔性CZTSSe薄膜及其太阳电池的性能影响 被引量:2
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作者 陈文静 孙孪鸿 +4 位作者 王威 赵毅杰 袁文栋 沈哲苇 毛梦洁 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期437-442,447,共7页
柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池因具有轻便、灵活、可弯折等优点,可广泛应用于柔性电子器件和便捷式可穿戴设备。但柔性CZTSSe薄膜中的应力问题严重限制了其效率的提升。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极层之间溅射... 柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池因具有轻便、灵活、可弯折等优点,可广泛应用于柔性电子器件和便捷式可穿戴设备。但柔性CZTSSe薄膜中的应力问题严重限制了其效率的提升。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极层之间溅射Al_(2)O_(3)扩散阻挡层来减小柔性CZTSSe薄膜中的残余应力。系统研究了Al_(2)O_(3)扩散阻挡层厚度对CZTSSe薄膜物相结构、微观形貌、残余应力以及器件性能的影响。结果表明,Al_(2)O_(3)扩散阻挡层的引入可有效提高CZTSSe薄膜的结晶质量,减小残余应力,降低缺陷密度,从而抑制载流子的复合。当Al_(2)O_(3)扩散阻挡层厚度为40 nm时,CZTSSe薄膜表现出最佳的结构、形貌和光电特性,相比没有引入Al_(2)O_(3)扩散阻挡层,CZTSSe薄膜的残余应力由-3.99 GPa减小至-2.06 GPa,其太阳电池光电转换效率由2.61%提升至4.21%。 展开更多
关键词 柔性太阳电池 Al_(2)O_(3)扩散阻挡层 Cu_(2)ZnSn(S Se)_(4)(CZTSSe) 应力 光电转换效率
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