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InP基HBT GP大信号模型直流参数提取的研究 被引量:2
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作者 胡钉 黄永清 +3 位作者 吴强 李轶群 黄辉 任晓敏 《电子器件》 CAS 2009年第2期285-290,共6页
基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HB... 基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT建模中。通过对比模型仿真和器件实测的数据可以看出,本文采用的HBT GP模型准确度高,可以较好地表征实际HBT器件的直流特性。 展开更多
关键词 HBT gp大信号模型 参数提取 直流特性
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