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助剂In引入对Ge/SiO_(2)催化剂丙烷脱氢性能的影响
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作者 张焕玲 马会霞 +4 位作者 周峰 赵成浩 祝晓琳 王国玮 李春义 《化工进展》 北大核心 2025年第2期879-886,共8页
继Sn、Pb脱氢活性发现之后,同主族的Ge也被证实具有催化丙烷脱氢的能力。本文通过硅溶胶法将In物种引入Ge/SiO_(2)催化剂,考察了In物种以及In物种含量对Ge/SiO_(2)催化剂丙烷脱氢性能的影响,并辅以X射线衍射、X射线荧光光谱分析、N_(2)... 继Sn、Pb脱氢活性发现之后,同主族的Ge也被证实具有催化丙烷脱氢的能力。本文通过硅溶胶法将In物种引入Ge/SiO_(2)催化剂,考察了In物种以及In物种含量对Ge/SiO_(2)催化剂丙烷脱氢性能的影响,并辅以X射线衍射、X射线荧光光谱分析、N_(2)吸脱附、X射线光电子能谱、透射电子显微镜、H_(2)程序升温还原等表征方法对其优化原理进行了探讨。研究结果表明,助剂In引入后可生成在反应条件下稳定存在的In_(2)(Ge_(2)O_(7)),其几何效应削弱了Ge物种的还原与烧结。In物种引入不仅可减缓Ge/SiO_(2)催化剂单次反应的失活速率,也可削弱多次反应-再生过程中催化剂的不可逆失活。引入6%(质量分数)的In物种后,Ge/SiO_(2)催化剂的失活速率参数由0.044h^(-1)降为0.019h^(-1),氧化再生后催化剂初始活性也由下降22.3%削弱为仅下降7.1%。 展开更多
关键词 ge/SiO_(2)催化剂 稳定性 几何效应 丙烷脱氢 硅溶胶法
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无溶剂法制备PVDF/GE中空纤维膜与性能分析
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作者 王琦铭 陈凯凯 +4 位作者 岳征杰 赵微 严海波 闫静静 肖长发 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期6524-6532,共9页
为了解决在纺丝制膜过程中有机污水排放问题,采用无溶剂法制备聚偏氟乙烯(PVDF)/石墨烯(GE)中空纤维膜。将PVDF、GE和功能粒子熔融共混制备初生中空纤维膜,利用后拉伸和GE协同作用重新设计PVDF晶体结构,探究不同拉伸比对中空纤维膜晶型... 为了解决在纺丝制膜过程中有机污水排放问题,采用无溶剂法制备聚偏氟乙烯(PVDF)/石墨烯(GE)中空纤维膜。将PVDF、GE和功能粒子熔融共混制备初生中空纤维膜,利用后拉伸和GE协同作用重新设计PVDF晶体结构,探究不同拉伸比对中空纤维膜晶型转变和力学性能以及渗透性能的影响,观察不同拉伸比中空纤维膜的表面形貌,并利用一系列仪器测试了膜的孔径分布、力学性能和渗透性能。结果表明:制备的PVDF/GE中空纤维膜内部存在α晶型向β晶型转变,拉伸后GE在中空纤维膜内部形成石墨烯通道,拉伸比越大,内部晶型转化越多,中空纤维膜的力学性能和渗透性能越好;当拉伸比达到100%时,中空纤维膜的断裂强度可达37.8MPa,内部β晶型含量为68.64%,煤油通量可达965.64L/(m^(2)·h)。 展开更多
关键词 聚偏氟乙烯 石墨烯 中空纤维膜 无溶剂法 Β晶型
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低损耗芯包结构Ge-Sb-Se硫系玻璃光纤的制备与性能研究 被引量:15
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作者 许彦涛 郭海涛 +2 位作者 陆敏 韦玮 彭波 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第1期182-187,共6页
为解决锗(Ge)基硫系玻璃光纤损耗相对较高等问题,采用物理和化学除杂相结合的工艺,制备出了高纯Ge28Sb12Se60硫系玻璃,显著降低了红外波段C、H、O杂质吸收。应用真空高速旋转法,制备出了壁厚均匀、光学质量优异的Ge28Sb12Se58S2硫系玻... 为解决锗(Ge)基硫系玻璃光纤损耗相对较高等问题,采用物理和化学除杂相结合的工艺,制备出了高纯Ge28Sb12Se60硫系玻璃,显著降低了红外波段C、H、O杂质吸收。应用真空高速旋转法,制备出了壁厚均匀、光学质量优异的Ge28Sb12Se58S2硫系玻璃皮管。采用棒管法拉制出外径50±1.5μm、具有芯包结构的Ge-Sb-Se硫系玻璃光纤,光纤弯曲半径为5 mm,红外波段吸收基线为2.2 d B/m(2.87μm和4.5μm处除外)。 展开更多
关键词 硫系玻璃 ge-Sb-Se玻璃 杂质消除 棒管法 光纤
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Ge掺杂二氧化钛复合薄膜制备及光吸收性能研究 被引量:8
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作者 周艳军 何芳 +2 位作者 王玉林 黄远 万怡灶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1835-1837,1841,共4页
采用磁控溅射和溶胶-凝胶两种方法在石英基体上制备了纯TiO2薄膜,并通过离子注入及溶胶掺杂方法分别对TiO2薄膜进行Ge掺杂改性。利用XRD、XPS及UV-Vis对两种TiO2复合薄膜的晶相结构、原子化学态以及光吸收性能进行了表征。结果表明,磁... 采用磁控溅射和溶胶-凝胶两种方法在石英基体上制备了纯TiO2薄膜,并通过离子注入及溶胶掺杂方法分别对TiO2薄膜进行Ge掺杂改性。利用XRD、XPS及UV-Vis对两种TiO2复合薄膜的晶相结构、原子化学态以及光吸收性能进行了表征。结果表明,磁控溅射法制得TiO2薄膜为锐钛矿相,Ge离子注入引起复合薄膜的锐钛矿相消失,且该相600℃退火后并未得到恢复;经过退火后Ge在磁控溅射TiO2薄膜中以Ge单质存在。溶胶-凝胶法Ge掺杂复合薄膜中存在锐钛矿相TiO2和Ge晶相,Ge在薄膜表面以Ge和GeO2形式存在。两种掺杂方法制得的复合薄膜紫外-可见光吸收边均发生了红移。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 离子注入 TIO2复合薄膜 ge 光吸收
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铅锌矿床地质样品的Ge同位素预处理方法研究 被引量:1
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作者 朱传威 温汉捷 +4 位作者 樊海峰 张羽旭 刘洁 杨涛 王光辉 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期305-311,共7页
目前Ge同位素研究主要局限于地球有机质(煤等)、火成岩及陨石样品,作为Ge重要储库之一的铅锌矿床,其Ge同位素的研究涉及较少。铅锌矿床样品中Ge的化学分离及提纯是Ge同位素研究的基础。本文详细考察了陨石样品中Ge同位素预处理方法(分... 目前Ge同位素研究主要局限于地球有机质(煤等)、火成岩及陨石样品,作为Ge重要储库之一的铅锌矿床,其Ge同位素的研究涉及较少。铅锌矿床样品中Ge的化学分离及提纯是Ge同位素研究的基础。本文详细考察了陨石样品中Ge同位素预处理方法(分离和提纯)对铅锌矿石样品的适用性。阴离子条件实验说明,目前普遍采用的离子交换树脂单柱法虽然对铅锌矿样品中Fe、Se等元素的剔除效果理想,但无法有效剔除其中的Zn,当Zn/Ge比值大于3时,样品必须经过阳离子交换树脂柱作进一步处理剔除Zn。通过对闪锌矿标准样品、锌矿石标准样品的条件实验以及实际闪锌矿样品对条件结果的验证显示,当闪锌矿的称样量为0.15 g左右时,仅需将前人对玄武岩等样品Ge同位素处理方法中阴离子树脂洗脱酸(1.4 mol/L硝酸)的用量6 mL调整为10 mL,而阳离子树脂洗脱方法保持不变,此方法即满足闪锌矿样品Ge同位素的化学分离和提纯要求。样品经过本文推荐的阴阳离子交换树脂双柱法处理后,主要干扰元素(Fe、Zn、Se、Ni)及基质元素的剔除率接近100%,Ge的回收率优于99%。而前人对玄武岩等样品的Ge同位素处理方法中,主要干扰元素(Fe、Zn、Se、Ni)及基质元素的剔除效果亦较好,但Ge的回收率仅为97.3%,比本文推荐方法的Ge回收率要差。利用MC-ICP-MS对Ge化学分离和提纯后的富乐铅锌矿床闪锌矿样品的检验结果显示,测试过程中未见同质异位素以及可能的多原子离子影响,样品中Ge同位素符合质量分馏定律,经过调整后的阴阳离子交换树脂双柱法满足闪锌矿样品的Ge同位素测试要求。 展开更多
关键词 ge同位素 闪锌矿 分离提纯 预处理方法
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CdS掺杂Ge-Ga-S玻璃XPS研究 被引量:3
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作者 顾少轩 胡海平 赵修建 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期69-71,共3页
采用熔融-急冷法制备CdS掺杂Ge-Ga-S硫系玻璃,对玻璃的XPS研究表明:玻璃样品中含有Ge, Ga,Cd,S4种元素,样品的主要成分是GeS2,Ga2S3和CdS;Ge,Ga,Cd,S元素的XPS谱线的位移归因于化学位移和玻璃的结构的共同作用;Cd3d3/2和Cd3d5/2的XPS峰... 采用熔融-急冷法制备CdS掺杂Ge-Ga-S硫系玻璃,对玻璃的XPS研究表明:玻璃样品中含有Ge, Ga,Cd,S4种元素,样品的主要成分是GeS2,Ga2S3和CdS;Ge,Ga,Cd,S元素的XPS谱线的位移归因于化学位移和玻璃的结构的共同作用;Cd3d3/2和Cd3d5/2的XPS峰值随CdS含量的增加而明显增强。 展开更多
关键词 熔融-急冷法 ge-Ga-S硫系玻璃 XPS
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非微分Morgenstern-Price法在边坡稳定分析中的应用 被引量:5
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作者 胡辉 董梅 姚磊华 《桂林工学院学报》 北大核心 2008年第3期344-348,共5页
推导出Morgenstern—Price法的非微分形式,并编制了基于该方法的程序:设置并行迭代,达到传统MP法一般通用性的要求;设置二一迭代,提高计算收敛速度。通过ACADS均质、非均质边坡算例得出的安全系数与其他算法的比较,验证了该算法... 推导出Morgenstern—Price法的非微分形式,并编制了基于该方法的程序:设置并行迭代,达到传统MP法一般通用性的要求;设置二一迭代,提高计算收敛速度。通过ACADS均质、非均质边坡算例得出的安全系数与其他算法的比较,验证了该算法的科学可靠性。将此法应用于铁生沟滑坡:天然与饱和状态土体的安全系数分别为1.0838和0.9600,与报告结果的安全系数1.12~1.14和1.00~1.03的范围值基本吻合,表明该方法适用于非均质实际边坡,对边坡的后续监测、防护工作具有指导作用。 展开更多
关键词 极限平衡法 非微分形式Morgenstem-Price法 安全系数 遗传算法
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表面预处理对Ge MOS电容特性的影响 被引量:2
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作者 邹晓 蒋万翔 徐静平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期573-575,606,共4页
通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、... 通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、栅电容-电压(C-V)栅极漏电流-电压(J-V)的测量结果表明,湿NO表面预处理能生长高质量的界面层,降低界面态密度,抑制MOS电容的栅极漏电流密度。施加高场应力后,湿NO表面预处理样品的平带漂移及漏电流增加最小,表示器件的可靠性得到有效增强。 展开更多
关键词 锗金属氧化物半导体 氧化钛铪 表面预处理 界面层 高k 磁控溅射法
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两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响 被引量:1
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作者 关中杰 靳映霞 +3 位作者 王茺 叶小松 李亮 杨宇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期950-955,共6页
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶... 采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm。 展开更多
关键词 ge薄膜 低温ge缓冲层 射频磁控溅射
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(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的理论研究
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作者 杨爱龄 傅柔励 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1989年第3期273-277,共5页
本文用半经验紧束缚法研究了(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格,计算了其能隙随层厚的变化,其结果能说明超晶格体系的准二维特性,表明(7,7)超晶格已足以模拟异质界面问题,并指出(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的禁带中很可能存在界面态。
关键词 硒化锌 超晶格 晶体 紧束缚法
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以多次原位水热法合成Ge-ZSM-5分子筛膜及其渗透蒸发性能的研究 被引量:2
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作者 黄玉娇 邓旋 +2 位作者 王晓东 黄伟 栾春晖 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期86-89,95,共5页
在α-A1_2O_3载体上,通过多次原位水热合成制备Ge-ZSM-5分子筛膜,并利用渗透蒸发膜分离技术从乙酸/水溶液中分离乙酸。考察了晶化时间和合成液中Ge含量对膜的结构和性能的影响。在溶胶物质的量组成为Ge(C_2H_5O)_4∶SiO_2∶TPAOH∶H_2O=... 在α-A1_2O_3载体上,通过多次原位水热合成制备Ge-ZSM-5分子筛膜,并利用渗透蒸发膜分离技术从乙酸/水溶液中分离乙酸。考察了晶化时间和合成液中Ge含量对膜的结构和性能的影响。在溶胶物质的量组成为Ge(C_2H_5O)_4∶SiO_2∶TPAOH∶H_2O=1∶x∶5.13∶2 246(x=100,25)的合成液中,经过3次水热晶化,所得的膜均为致密膜,膜的分离因子随温度的升高而增加,渗透通量受温度影响不大。在Si/Ge=25的溶胶中,一次原位水热晶化24 h,二次原位水热晶化18 h,三次原位水热12 h合成的膜质量最优,对5%乙酸水溶液,在90℃时,分离因子可达2.0,此时渗透通量为0.8 kg/(m2·h)。 展开更多
关键词 ge-ZSM-5分子筛膜 渗透蒸发 乙酸/水 多次原位水热合成
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猪伪狂犬病毒gE蛋白单克隆抗体的制备及竞争ELISA抗体检测方法的建立 被引量:3
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作者 袁梦 常巍 +3 位作者 杨世丽 周海欧 李翠婷 马燕梅 《江西农业学报》 CAS 2022年第8期114-121,共8页
为了制备抗猪伪狂犬病病毒(PRV)糖蛋白gE的单克隆抗体并制备竞争ELISA猪伪狂犬病病毒gE抗体检测试剂盒,以原核表达系统表达PRV FA株囊膜蛋白gE的主要抗原表位区段(aa52~aa238)的His标签,获得了融合蛋白gE-6×His;将gE-6×His纯... 为了制备抗猪伪狂犬病病毒(PRV)糖蛋白gE的单克隆抗体并制备竞争ELISA猪伪狂犬病病毒gE抗体检测试剂盒,以原核表达系统表达PRV FA株囊膜蛋白gE的主要抗原表位区段(aa52~aa238)的His标签,获得了融合蛋白gE-6×His;将gE-6×His纯化后免疫BALB/c小鼠,取其脾脏制备脾细胞与小鼠骨髓瘤细胞(SP2/0),进行细胞融合,以感染PRV的PK15细胞的蛋白为样本检测抗体,使用间接ELISA方法筛选杂交瘤细胞系,获得了2株稳定分泌抗PRV gE单克隆抗体的杂交瘤细胞系。结果显示:制备的抗体特异性好,效价为1∶5120;以单克隆抗体为检测抗体建立的竞争ELISA抗体检测方法灵敏、特异。 展开更多
关键词 伪狂犬病病毒 ge蛋白 单克隆抗体 竞争ELISA抗体检测方法
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Ge纳米粒子制备技术的研究进展
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作者 叶爽 杨杰 杨宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期30-34,41,共6页
Ge纳米粒子由于其小尺寸特性而展现出的良好的光学性能吸引着人们对其不断进行深入探索。综述了Ge纳米粒子的物理和化学制备技术,如分子束外延、氢化物还原锗盐等,并对Ge纳米粒子有代表性的光学特性进行了概述,最后展望了Ge纳米粒子的... Ge纳米粒子由于其小尺寸特性而展现出的良好的光学性能吸引着人们对其不断进行深入探索。综述了Ge纳米粒子的物理和化学制备技术,如分子束外延、氢化物还原锗盐等,并对Ge纳米粒子有代表性的光学特性进行了概述,最后展望了Ge纳米粒子的未来发展方向。 展开更多
关键词 ge纳米粒子 物理方法 化学方法
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通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性
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作者 陈其苗 宋禹忻 +5 位作者 张振普 刘娟娟 芦鹏飞 李耀耀 王庶民 龚谦 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1004-1009,共6页
利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖... 利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖层Ge量子点能保持更大的应变量。另外,随着量子点尺寸和晶格失配度的增大,导带Γ谷与导带L谷的能量差缩减,最终使Ge转变为直接带隙材料。直接带隙能量随着量子点尺寸的增大而减小。该研究结果表明张应变Ge量子点是制备包含激光器在内的Si基光源的理想材料,在未来光电子应用中有巨大潜力。 展开更多
关键词 张应变ge 量子点 有限元 有效质量法 直接带隙
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不同腐蚀工艺对单晶Ge位错密度与微观形貌的影响
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作者 李金乐 李珊 +2 位作者 杨晓京 马一鸣 张逸飞 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期45-49,共5页
为提高单晶Ge位错腐蚀工艺的准确度,采用金相腐蚀观察法计算了单晶Ge的位错密度,分析了腐蚀时间、抛光条件、腐蚀温度对位错微观形貌的影响。结果表明:腐蚀时间过长或过短,位错腐蚀坑形貌无法正常观测,腐蚀时间10 min时,位错腐蚀坑形貌... 为提高单晶Ge位错腐蚀工艺的准确度,采用金相腐蚀观察法计算了单晶Ge的位错密度,分析了腐蚀时间、抛光条件、腐蚀温度对位错微观形貌的影响。结果表明:腐蚀时间过长或过短,位错腐蚀坑形貌无法正常观测,腐蚀时间10 min时,位错腐蚀坑形貌观测效果最佳;机械抛光会产生划痕和污渍,化学抛光可以得到更光洁的材料表面,腐蚀后更易观测位错腐蚀坑形貌;相同腐蚀时间和抛光条件下,温度越高腐蚀速率越快,通过增加腐蚀温度可以有效提高腐蚀效率。 展开更多
关键词 单晶ge 位错密度 金相腐蚀观察法 微观形貌
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镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
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作者 张颖武 边义午 +3 位作者 陈晨 周春锋 王云彪 兰天平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期708-712,725,共6页
由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗... 由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。 展开更多
关键词 6英寸 垂直梯度凝固(VGF)法 锗单晶 镓硼共掺 电阻率 均匀性
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锗基长波红外圆锥形微结构减反射性能
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作者 汤克彬 李珊 +3 位作者 李初晨 毛科 张顺关 曾绍禹 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第1期36-42,共7页
锗是重要的红外光学材料,为减小锗表面的菲涅耳反射损耗,提高光利用率,研究了锗基底圆锥形微结构的减反射性能。基于时域有限差分法(Finite Difference Time Domain),并采用单因素法研究了微结构的占空比、周期、高度等结构参数与入射角... 锗是重要的红外光学材料,为减小锗表面的菲涅耳反射损耗,提高光利用率,研究了锗基底圆锥形微结构的减反射性能。基于时域有限差分法(Finite Difference Time Domain),并采用单因素法研究了微结构的占空比、周期、高度等结构参数与入射角在8~12μm长波红外波段对反射率的影响,确定了微结构在低反射情况下较优的结构参数组合,其在整个波段范围内的平均反射率低于1%,远低于平板锗结构的35.47%,在9~11μm的波段范围内反射率低于0.5%,且光波在40°范围内入射时,圆锥形微结构的平均反射率仍然较低。将优化的圆锥形微结构与平板结构进行了对比,从等效折射率、反射场分布和能量吸收分布3方面进一步证实了圆锥形微结构在整个波段范围内优异的减反射性能。 展开更多
关键词 亚波长结构 时域有限差分法 锗基微结构 减反射 长波红外
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白花玉石籽石榴遗传转化体系的建立
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作者 唐靖雯 王宁 +5 位作者 伍程程 王麒麟 丁文豪 葛伟强 郭宁 钱晶晶 《果树学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期2621-2633,共13页
【目的】为更好地研究石榴的基因功能,以白花玉石籽石榴为试材,构建出一种农杆菌介导的石榴遗传转化体系。【方法】在已有的石榴组织培养体系的基础上,通过筛选不同外植体和优化激素组合,获得石榴最佳再分化途径;探究农杆菌介导法中抗... 【目的】为更好地研究石榴的基因功能,以白花玉石籽石榴为试材,构建出一种农杆菌介导的石榴遗传转化体系。【方法】在已有的石榴组织培养体系的基础上,通过筛选不同外植体和优化激素组合,获得石榴最佳再分化途径;探究农杆菌介导法中抗生素浓度、预培养时间、菌液浓度、侵染时间和抑菌剂浸洗时间对白花玉石籽石榴遗传转化效率的影响。【结果】终质量浓度为0.22 mg·L^(-1)6-BA和0.60 mg·L^(-1) IBA的WPM培养基能显著提高石榴外植体的再分化率,其中嫩茎分化率达96.30%±5.20%;50 mg·L^(-1)卡那霉素和200 mg·L^(-1)特美汀是筛选抗性芽的最佳质量浓度;白花玉石籽石榴遗传转化的最适组合为:预培养3 d、菌液OD600=0.8、侵染10 min、200 mg·L^(-1)特美汀浸洗15 min。最后,通过检测GFP荧光,验证上述遗传转化体系所获得的植株,阳性率为26.00%。【结论】成功建立了农杆菌介导的白花玉石籽石榴嫩茎遗传转化体系,为石榴基因功能验证提供有力的技术支持。 展开更多
关键词 石榴 再生途径优化 农杆菌介导法 遗传转化体系
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锗掺杂二氧化钛薄膜的溶胶凝胶法制备和性能研究 被引量:7
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作者 周婧 赵高凌 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2000-2003,共4页
二氧化钛是一种无毒、廉价、稳定的半导体材料,被广泛用作光电化学太阳能电池的电极材料,适当掺杂可以增强其光电性能。以钛酸丁酯和四正丁氧基锗烷为主要原料,采用溶胶-凝胶提拉涂膜法制备了Ge掺杂的TiO2薄膜。通过X射线衍射、扫描电... 二氧化钛是一种无毒、廉价、稳定的半导体材料,被广泛用作光电化学太阳能电池的电极材料,适当掺杂可以增强其光电性能。以钛酸丁酯和四正丁氧基锗烷为主要原料,采用溶胶-凝胶提拉涂膜法制备了Ge掺杂的TiO2薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见吸收光谱、电流-电压曲线等测试手段研究了薄膜的结晶性能、微观结构和光电性能随Ge掺杂量的变化规律。结果表明,Ge掺杂量x=0.10时,形成Ti1-xGexO2固溶体,x=0.15时,形成非晶态。掺锗后薄膜表面颗粒密度增大,薄膜比较致密。随着Ge掺杂量的增加,吸收光谱吸收边蓝移,光电化学性能也得到一定提高。在Ge掺杂量为0.05时,光电流达到最大值17A/m2。同时,研究了锗掺杂对光电流的影响。 展开更多
关键词 锗掺杂 TIO2薄膜 光电化学性能 溶胶凝胶法
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洞库门一维温度模型的建立和解法 被引量:3
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作者 何超 吕绪良 +2 位作者 沙建军 李磊 卢意红 《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第10期591-594,共4页
为了分析洞库门表观温度及其影响因素,建立了洞库门的一维温度模型,详细讨论了模型的初始和边界条件。通过虚拟网格点法处理边界条件,得出了差分方程GE格式的完整形式。最后,实例表明了模型的合理性。
关键词 表观温度 温度模型 ge格式 虚拟网格点法
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