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GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
被引量：
1
1
作者
陈伟华
廖辉
+6 位作者
胡晓东
李睿
贾全杰
金元浩
杜为民
杨志坚
张国义
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1441-1444,共4页
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,...
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。
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关键词
gan基激光器
多量子阱(MQWs)
ALIN
gan
垒材料
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职称材料
题名
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
被引量：
1
1
作者
陈伟华
廖辉
胡晓东
李睿
贾全杰
金元浩
杜为民
杨志坚
张国义
机构
人工微结构与介观物理国家重点实验室
中国科学院高能物理研究所
北京大学现代光学研究所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1441-1444,共4页
基金
国家自然科学基金项目(60776042)
“863”计划项目(2007AA03Z403)
国家重大科学研究计划项目(2006CB921607)资助
文摘
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。
关键词
gan基激光器
多量子阱(MQWs)
ALIN
gan
垒材料
Keywords
gan
-based LD
Multi-quantum-well （MQW）
AIln
gan
Barrier material
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
陈伟华
廖辉
胡晓东
李睿
贾全杰
金元浩
杜为民
杨志坚
张国义
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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