(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究 被引量：3

1

作者 俞波 李建军 +6 位作者 盖红星 牛南辉 邢艳辉 邓军 韩军 廉鹏 沈光地 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期181-183,共3页

对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。... 对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。 展开更多

关键词 金属有机化合物汽相淀积 ALgainp gainp

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Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响 被引量：1

2

作者 李述体 范广涵 +4 位作者 周天明 王浩 孙慧卿 郑树文 郭志友 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期375-378,共4页

采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5... 采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5In0 .5P/Ga0 .5In0 .5P多量子阱的发光强度。相对于未故意掺杂的样品 ,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了 13倍 ,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了 2 8倍。外延片的X射线双晶衍射测试表明 。 展开更多

关键词 ALgainp Algainp/gainp多量子阱 X射线双晶衍射 Si掺杂 光致发光

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退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响

3

作者 李述体 范广涵 +4 位作者 周天明 孙慧卿 王浩 郑树文 郭志友 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期510-514,共5页

采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。研究表明退火对外延片性能有重要影响。与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaIn... 采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。研究表明退火对外延片性能有重要影响。与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3。但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导。在460～700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化。但退火温度为780℃时,AlGaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍。 展开更多

关键词 Mgainp Algainp/gainp多量子阱 金属有机化学气相沉积 电化学电容电压分析 光致发光

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实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器

4

作者 熊飞克 郭良 +3 位作者 马骁宇 杨志鸿 王树堂 陈良惠 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第11期1-3,共3页

用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０... 用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。 展开更多

关键词 半导体 激光器 量子阱 gainp ALgainp

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A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析 被引量：3

5

作者 陈贵楚 范广涵 +1 位作者 陈练辉 刘鲁 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期595-598,共4页

鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光... 鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。 展开更多

关键词 A1gainp四元系材料 双异质结发光二极管 DH—LED AL组分 铝镓铟磷材料

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MOCVD的GaInP薄膜生长可视化研究 被引量：1

6

作者 胡贵华 胡小梅 +3 位作者 朱文华 俞涛 苏玉鹏 王海东 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第23期7498-7502,共5页

运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaInP薄膜过程进行了模拟;将模拟的结果与虚拟现实(VR)系统开发的软件开发包Open Inventor接口,实现了MOCVD反应室内GaInP薄膜生长过程的可视化仿真。模拟仿真结果准确直... 运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaInP薄膜过程进行了模拟;将模拟的结果与虚拟现实(VR)系统开发的软件开发包Open Inventor接口,实现了MOCVD反应室内GaInP薄膜生长过程的可视化仿真。模拟仿真结果准确直观地展示了MOCVD反应室内GaInP薄膜生长的过程,揭示了扩散时间和衬底温度对GaInP薄膜形貌的影响规律;可视化结果为优化MOCVD生长GaInP薄膜的工艺参数提供理论依据。 展开更多

关键词 动力学蒙特卡罗方法 金属有机化学气相沉积 虚拟现实系统 gainp薄膜形貌 工艺参数

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AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱 被引量：1

7

作者 陈练辉 范广涵 +1 位作者 孟耀勇 刘桂强 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期859-862,共4页

利用LP-MOCVD生长了不同周期的AlGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则... 利用LP-MOCVD生长了不同周期的AlGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现AlP-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量。 展开更多

关键词 光电子学 Algainp/gainp MQW 拉曼光谱 耦合电子(空穴)气-纵光学声子模

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GaInP薄膜KMC生长并行计算模拟与可视化研究 被引量：2

8

作者 胡小梅 胡贵华 +1 位作者 朱文华 俞涛 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期306-311,共6页

以金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在GaAs衬底上生长GaInP太阳电池薄膜材料为对象,将MOCVD反应室内气体热流场CFD数值模拟的结果作为生长参数,运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对GaInP薄膜生长过程进行了并行计算模拟,给出了数据分布方式... 以金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在GaAs衬底上生长GaInP太阳电池薄膜材料为对象,将MOCVD反应室内气体热流场CFD数值模拟的结果作为生长参数,运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对GaInP薄膜生长过程进行了并行计算模拟,给出了数据分布方式和通信优化策略进行负载平衡并降低通信开销,实现了真实沉积条件下基于大规模粒子的薄膜生长仿真,解决了单机计算能力的不足,缩短了仿真计算时间。模拟结果与试验一致性较好,为优化MOCVD生长GaInP薄膜的工艺参数提供理论依据,对于使用MOCVD生长高质量薄膜材料的太阳电池具有现实意义。 展开更多

关键词 动力学蒙特卡罗方法 金属有机化学气相沉积 gainp薄膜形貌 并行计算

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用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料 被引量：3

9

作者 黄子乾 李肖 +1 位作者 潘彬 张岚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期433-435,共3页

采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高... 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。 展开更多

关键词 金属有机化合物气相淀积 gainp/GaAs双结叠层太阳电池 隧穿结 掺杂技术

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GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析

10

作者 陈练辉 范广涵 +2 位作者 陈贵楚 吴文光 李华兵 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第3期60-63,共4页

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.

关键词 gainp/(AlxGa1-x)InP 多量子阱 光荧光特性 发光二极管 半导体 光荧光谱 发光锋

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GaInP材料生长及其性质研究

11

作者 董建荣 刘祥林 +3 位作者 陆大成 汪度 王晓晖 王占国 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期9-11,共3页

用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ（ｘ＝０．４７６～０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光（ＰＬ）测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ￣２／Ｖ．ｓ（浓度... 用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ（ｘ＝０．４７６～０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光（ＰＬ）测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ￣２／Ｖ．ｓ（浓度为１．４×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３））。载流子浓度随生长温度升高，随Ⅴ／Ⅲ比的增大而降低，并提出Ｐ空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源，１７ＫＰＬ谱中，Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ（Ｔｇ＝６５０℃，Ⅴ／Ⅲ＝７０）的峰能为１．８２８ｅＶ，半峰宽为１９ｍｅＶ。另外，在１．８４９ｅＶ处还有一较弱的峰，ＧａＩｎＰ峰能和其计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关。 展开更多

关键词 MOCVD 光致发光 gainp

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GaInP应力补偿层在InAs/GaAs量子点中的初步应用

12

作者 白红艳 肖祥江 +2 位作者 涂洁磊 赵沛坤 陈创业 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期29-32,共4页

利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜（AFM）对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质... 利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜（AFM）对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质量：（1）面密度最高可达7.5×1010 cm-2,而没有应变补偿层的样品的面密度仅为5.8×1010 cm-2;（2）缺陷岛密度可从不采用应变补偿时的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;（3）量子点的均匀性和尺寸也明显改善.此外,不同应变补偿层厚度比较实验结果显示,厚度过高或过低的应变补偿层都不能起到很好的补偿作用,取1～3 nm之间为佳;不同GaInP补偿层组分的比较实验结果表明,Ga组分为0.566的样品补偿效果比0.606的样品更好. 展开更多

关键词 INAS量子点 gainp应力补偿层 厚度 组分

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名义上无序的GaInP合金的发光瞬态过程研究

13

作者 吕毅军 高玉琳 +3 位作者 郑健生 蔡志岗 桑海宇 曾学然 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期186-189,共4页

报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰... 报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰退规律 ,在低激发强度下 ,符合双指数衰退规律 ;而在 30 0K下 ,衰退过程都符合双指数衰退规律 .在 展开更多

关键词 有序度 无序 Ⅲ-V族半导体 gainp合金 发光瞬态过程 激发强度 衰退过程

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n-GaInP_2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析

14

作者 纪伟伟 张超 +1 位作者 张德亮 乔在祥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2804-2809,共6页

热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载... 热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载流子输运,能提高器件的性能。然后通过MOCVD在P型Ge衬底上外延高质量、宽带隙的单晶GaInP2层,并进行TEM-EDX线性扫描、I-V测试,研究结果表明,利用MOCVD技术制备的GaInP2/Ge异质结界面陡峭且GaInP2并未向Ge内扩散;通过优化器件工艺4cm2全面积电池效率最终达到5.18%(AM1.5,25℃)。根据J-V曲线方程推算出串并联电阻(Rs、Rsh)、反向饱和电流密度(J0)和二极管品质因子(A)等参数,为电池性能的进一步提高获得主要的突破路径。 展开更多

关键词 热光伏 Ge gainp2 异质结 J-V特性

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局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用

15

作者 左致远 夏伟 +1 位作者 王钢 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期812-816,共5页

近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点。然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道。研究中利用溅射与热退火的手段在G... 近年来,局域耦合效应在光电转换器件中的应用受到广泛关注,在发光二极管以及硅基太阳电池中的基础与应用研究成为本领域的研究热点。然而局域耦合效应在宽禁带材料体系太阳电池中的应用仍未见系统报道。研究中利用溅射与热退火的手段在GaInP太阳电池表面成功制备了粒径与占空比可控的Au/半导体纳米异质结构,并对其退火前后的形貌进行了系统分析,后续对纳米异质结构的光学吸收现象及局域耦合效应的内在机制进行了探讨。最终,通过反射光谱的表征,在Au溅射时间为20 s和30 s样品中分别得到了2.2%和5.5%的光吸收增强。该研究提出的局域耦合效应在GaInP太阳电池中的应用,为改善GaInP太阳电池的表面吸收效率提供了一种新的思路。 展开更多

关键词 局域耦合 gainp太阳电池 等离激元 光吸收 光电转换效率

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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100 MeV质子位移辐照损伤效应实验研究

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作者 王祖军 尹利元 +7 位作者 王兴鸿 张琦 唐宁 郭晓强 盛江坤 缑石龙 晏石兴 李传洲 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2348-2356,共9页

GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件,其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降,甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律,以国产Ga... GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件,其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降,甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律,以国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,通过开展100 MeV质子不同注量下的辐照实验,分析质子位移损伤诱发GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压(V_(oc))、短路电流(I_(sc))、最大输出功率(P_(m))、光电转换效率(E_(ff))等辐射敏感参数的退化规律和损伤机理。结果表明:注量范围为1×10^(11)~2×10^(12)cm^(-2)时,V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)的退化程度随辐照注量的增加而增大,当注量为2×10^(12)cm^(-2)时,P_(m)和E_(ff)归一化处理后的退化程度均为16.88%,与V_(oc)和I_(sc)相比,衰减更严重。对不同注量辐照所得V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)进行拟合,获得了V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)随辐照注量变化的特征曲线,根据该曲线可预估GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同注量下性能的衰减幅度。 展开更多

关键词 gainp/GaAs/Ge三结太阳电池 质子辐照 位移损伤 辐射敏感参数

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AlGaInP/GaInP多量子阱MOCVD外延片光学特性测试

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作者 王雅芳 罗键 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期26-29,共4页

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了不同周期的四元合金半导体材料AlGaInP/(GaInP多量子阱(MQW)外延片,通过实验找到了在周期数和阱/垒宽度比等结构参数上生产AlGaInP/GaInP MQW的比较理想的结果.对常温下AlGaInP/GaInP MQW外延... 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了不同周期的四元合金半导体材料AlGaInP/(GaInP多量子阱(MQW)外延片,通过实验找到了在周期数和阱/垒宽度比等结构参数上生产AlGaInP/GaInP MQW的比较理想的结果.对常温下AlGaInP/GaInP MQW外延片的光学性质进行深入的分析和实验研究,发现当阱/垒宽度比a=0.56时,出光强度趋于饱和,当周期数目N=20时,FWHM减小到11.9 nm,可在一定程度上达到改善MQW结构设计和提高材料生长质量的目的. 展开更多

关键词 Algainp/gainp MQW 拉曼光谱 金属有机物化学气相沉积

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超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究 被引量：3

18

作者 高伟 张宝 +2 位作者 薛超 高鹏 王保民 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1069-1070,1142,共3页

通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。

关键词 MOCVD技术 器件工艺 gainp GAINAS Ge太阳电池

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电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化 被引量：1

19

作者 吴锐 王君玲 +1 位作者 凌云龙 王荣 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1507-1511,共5页

为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律。利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合... 为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律。利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合,分别得到了GaInP顶电池及GaAs中间电池在不同辐照条件下的少子非辐射复合寿命τnr,通过对比辐照前后少子非辐射复合寿命的衰降变化,发现GaInP顶电池的抗辐照性能优于GaAs中间电池。 展开更多

关键词 电子辐照 gainp/GaAs/Ge三结太阳电池 光致发光 少子寿命

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用微机控制的高分辨率三晶体X射线衍射仪究研GaInP外延层的超结构 被引量：1

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作者 M.Sutton 顾天巨 +1 位作者 石玉山 梁家昌 《计量学报》 CSCD 1992年第1期59-63,共5页

本文介绍自制具有极高分辨率的微机控制的三晶体X射线衍射仪。利用这台仪器测量了用MOCVD方法生长的Ga_(0.52)In_(0.48)P外延层的超结构。我们发现,在Ga_(0.52)In_(0.48)P外延薄膜内由In平面和Ga平面交替组成的(111)平面中,存在着交替... 本文介绍自制具有极高分辨率的微机控制的三晶体X射线衍射仪。利用这台仪器测量了用MOCVD方法生长的Ga_(0.52)In_(0.48)P外延层的超结构。我们发现,在Ga_(0.52)In_(0.48)P外延薄膜内由In平面和Ga平面交替组成的(111)平面中,存在着交替的In丰与Ga丰平面。这种In丰与Ga丰的附加浓度可达4～6%。 展开更多

关键词 微机 X射线 衍射仪 gainp 合金

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