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功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响
被引量：
1
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作者
刘新福
李琼
+4 位作者
徐静芳
范忠
陈春辉
柳襄怀
杨根庆
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期51-55,共5页
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I－V特性，测量结果表明除Au和M...
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I－V特性，测量结果表明除Au和Mo外，其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进，经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F－N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。
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关键词
覆盖膜
场发射阵列
电子发射
真空微电子器件
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职称材料
题名
功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响
被引量：
1
1
作者
刘新福
李琼
徐静芳
范忠
陈春辉
柳襄怀
杨根庆
机构
华东师范大学电子科学技术系
中科院上海冶金所
出处
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期51-55,共5页
基金
上海市自然科学基金
文摘
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I－V特性，测量结果表明除Au和Mo外，其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进，经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F－N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。
关键词
覆盖膜
场发射阵列
电子发射
真空微电子器件
Keywords
funtional coating film field emitter array electron emission
分类号
TN103 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响
刘新福
李琼
徐静芳
范忠
陈春辉
柳襄怀
杨根庆
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
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职称材料
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参考文献
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