14 nm体硅FinFET工艺标准单元的总剂量效应 被引量：1

1

作者 李海松 王斌 +3 位作者 杨博 蒋轶虎 高利军 杨靓 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期619-624,647,共7页

随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该... 随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该验证电路的静态电流以及环振电路的环振频率和触发器电路的时序特性随辐照总剂量变化的情况,表征了FinFET工艺的本征抗辐射能力。实验结果表明,当辐照总剂量达到1000 krad(Si)时,验证电路静态电流增大了121%,且整个过程基本呈线性趋势增长,增长斜率约为3.14μA/krad(Si);组合逻辑单元时序参数变化绝对值小于0.6%,时序逻辑单元CK到输出端的延迟时间变化绝对值小于1%。这主要归因于TID效应对FinFET的阈值电压和饱和电流影响较小,而对器件的亚阈值漏电流影响较大。该研究结果为先进工艺超大规模集成电路在空间辐射环境中的应用提供了一定的理论指导。 展开更多

关键词 14 nm 鳍式场效应晶体管(finfet)工艺 组合逻辑 时序逻辑 总剂量(TID)效应 标准单元

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亚20 nm FinFET SRAM工艺涨落对单粒子翻转特性的影响

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作者 孙乾 郭阳 +9 位作者 梁斌 池雅庆 陶明 罗登 陈建军 孙晗晗 胡春媚 方亚豪 高宇林 肖靖 《国防科技大学学报》 北大核心 2025年第6期264-273,共10页

为了探究工艺涨落对亚20纳米鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor,FinFET)工艺静态随机存储器(static random-access memory,SRAM)单粒子翻转特性的影响,通过建立与商用工艺接近的高精度三维计算机辅助工艺设计模型,对不同工... 为了探究工艺涨落对亚20纳米鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor,FinFET)工艺静态随机存储器(static random-access memory,SRAM)单粒子翻转特性的影响,通过建立与商用工艺接近的高精度三维计算机辅助工艺设计模型,对不同工艺角下FinFET SRAM的单粒子翻转特性进行仿真。仿真结果显示,FinFET工艺SRAM的单粒子翻转阈值在不同的工艺角变化下产生微小波动,且敏感位置都在N型金属氧化物半导体上。为了明确具体的工艺参数涨落对单粒子翻转阈值的影响,对鳍的厚度、鳍的高度、栅氧厚度、功函数波动造成的单粒子翻转特性的影响进行研究。仿真结果表明,前两种因素对翻转阈值未产生影响,后两种因素对翻转阈值造成了微小的波动。首次发现工艺涨落对FinFET SRAM单粒子翻转阈值的影响大幅降低,该发现对研制高一致性的抗辐射宇航用集成电路具有重要意义。 展开更多

关键词 finfet 单粒子翻转 静态随机存储器 工艺涨落 工艺角

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基于14nm FinFET工艺的改进型保护门锁存器设计

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作者 赵雁鹏 高利军 +4 位作者 王斌 李海松 杨博 蒋轶虎 岳红菊 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1136-1143,共8页

随着集成电路工艺持续演进至纳米尺度,其在空间辐射环境中受到高能粒子轰击引发的单粒子瞬态(SET)脉冲效应已成为影响可靠性的关键问题。对传统D型锁存器(D-Latch)和保护门锁存器(GG-Latch)的单粒子效应进行研究和分析,基于14nm鳍型场... 随着集成电路工艺持续演进至纳米尺度,其在空间辐射环境中受到高能粒子轰击引发的单粒子瞬态(SET)脉冲效应已成为影响可靠性的关键问题。对传统D型锁存器(D-Latch)和保护门锁存器(GG-Latch)的单粒子效应进行研究和分析,基于14nm鳍型场效应晶体管(FinFET)工艺提出了一种改进型GG-Latch(I-GG-Latch)电路,相比GG-Latch只增加了2个晶体管,显著提升了抗SET性能。TCAD混合仿真结果表明,与D-Latch相比,在采样阶段I-GG-Latch的抗输入SET脉冲宽度增大了332%,抗线性能量传输(LET)值提高了731%;在保持阶段,I-GG-Latch在输出节点的抗SET脉冲宽度比GG-Latch增大了约87%(比D-Latch增大了约155%),抗LET值比GG-Latch提高了约114%(比D-Latch提高了约394%)。测试结果表明,由I-GG-Latch组成的触发器比由GG-Latch组成的触发器延迟时间缩短了约1.6%,功耗仅增加了约3.5%。 展开更多

关键词 14nm鳍型场效应晶体管(finfet) 保护门锁存器(GG-Latch) 单粒子瞬态(SET) 单粒子翻转(SEU) 抗辐射加固

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14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模

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作者 陈寿面 石艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期120-124,153,共6页

随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触... 随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管（FinFET）源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分：由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻（R_（con））、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻（R_（sp））以及源漏与沟道之间的寄生电阻（R_（ext））。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对R_（con）,R_（sp）和R_（ext）进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。 展开更多

关键词 鳍型场效应晶体管(finfet) 非本征寄生 源漏寄生电阻 建模 TCAD仿真

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等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用 被引量：1

5

作者 邹志超 李超波 +1 位作者 罗军 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期596-599,604,共5页

基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利... 基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。 展开更多

关键词 等离子体浸没离子注入 束线离子注入 鞘层 finfet 保形注入

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FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响 被引量：2

6

作者 金林 王菲菲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期481-487,508,共8页

基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET)和体硅FinFET工艺的鳍宽和敏感面积对辐射效应的影响。SOI FinFET和体硅FinFET工艺的... 基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET)和体硅FinFET工艺的鳍宽和敏感面积对辐射效应的影响。SOI FinFET和体硅FinFET工艺的抗总剂量能力随着鳍宽的变化呈现相反的趋势。SOI FinFET的阈值电压漂移和亚阈值摆幅的退化随着鳍宽减小而减小,而体硅FinFET工艺的漏电流随着鳍宽减小而增大。FinFET工艺由于其自身结构的特点,与相同工艺节点下的平面工艺相比,敏感面积更小,抗单粒子翻转能力更好。从整体趋势来看,随着工艺节点的减小,FinFET工艺的本征抗总剂量能力较为可观,而本征抗单粒子翻转能力较差。 展开更多

关键词 鳍式场效应晶体管(finfet) 鳍宽 敏感面积 辐射效应 单粒子翻转

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FinFET刻蚀中刻蚀选择比及离子损伤的控制与优化 被引量：1

7

作者 李国荣 张洁 +5 位作者 赵馗 耿振华 曹思盛 刘志强 刘身健 张兴 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期691-695,共5页

由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布... 由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中对高刻蚀选择比及低离子损伤的要求。利用减速场能量分析仪对比了13和60 MHz偏置射频频率对离子能量分布的影响,在偏置射频频率为60 MHz的条件下得到较为收敛的离子能量分布。进一步分析了13和60 MHz偏置射频频率条件下FinFET器件制造中底部抗反射层工艺的刻蚀选择比、Ar等离子体对氧化硅晶圆的刻蚀速率及刻蚀后鳍(Fin)表面氮化钛的剩余厚度。结果显示,当偏置射频频率由13 MHz提高为60 MHz时,获得了对氧化硅材料121.9的刻蚀选择比,且对氮化钛薄膜的刻蚀离子损伤降低了58.6%。 展开更多

关键词 等离子体刻蚀 鳍型场效应晶体管(finfet) 偏置射频频率 离子能量分布(IED) 刻蚀选择比 离子损伤

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15 nm Bulk nFinFET器件性能研究及参数优化

8

作者 侯天昊 范杰清 +3 位作者 赵强 张芳 郝建红 董志伟 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期92-99,共8页

为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响,建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型,仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响,发现增长栅长、降低鳍宽... 为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响,建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型,仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响,发现增长栅长、降低鳍宽和增加鳍高有助于抑制短沟道效应;1×10^(17)cm^(-3)以下的低沟道掺杂浓度对器件特性影响不大,但高掺杂会使器件失效;器件工作温度的升高会导致器件性能的下降;采用高K介质材料作为栅极器件性能优于传统材料SiO_(2)。 展开更多

关键词 Bulk finfet 短沟道效应 器件性能 参数优化 栅极材料

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深亚微米三栅FinFET短沟道效应和拐角效应计算机模拟分析

9

作者 王洪涛 王茺 +3 位作者 李亮 胡伟达 周庆 杨宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期724-727,共4页

利用三维器件模拟软件,研究了深亚微米三栅FinFET的短沟道效应,并模拟了阈值电压和亚阈值摆幅随硅鳍(fin)厚度和高度的变化情况。通过优化硅鳍厚度或高度,可以有效的控制短沟道效应。在进一步对深亚微米三栅FinFET的拐角效应进行二维数... 利用三维器件模拟软件,研究了深亚微米三栅FinFET的短沟道效应,并模拟了阈值电压和亚阈值摆幅随硅鳍(fin)厚度和高度的变化情况。通过优化硅鳍厚度或高度,可以有效的控制短沟道效应。在进一步对深亚微米三栅FinFET的拐角效应进行二维数值模拟的过程中,并未观察到由拐角效应引起的泄漏电流。与传统的体硅CMOS结构有所不同,拐角效应并未使得深亚微米三栅FinFET性能变差,反而提高了其电学性能。 展开更多

关键词 三栅finfet 短沟道效应 亚阈值摆幅 拐角效应

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考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型

10

作者 张峰源 刘凡宇 +5 位作者 李博 李彬鸿 张旭 罗家俊 韩郑生 张青竹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期438-443,共6页

建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等... 建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围。通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略。所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计。 展开更多

关键词 绝缘体上鳍(FOI) 鳍式场效应晶体管(finfet) 电流模型 背栅偏置 耦合效应 耦合系数

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一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型

11

作者 朱袁科 李文钧 +1 位作者 陆海燕 刘军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期42-47,共6页

提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用（o... 提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用（open＋short）去嵌方法进行去嵌。通过调节模型参数拟合测试曲线得到FinFET变容管模型。该模型可精确表述FinFET变容管全工作区域特性,解决传统MOS变容管模型无法准确描述三维FinFET器件变容特性的问题。模型和模型参数提取方法采用20个硅鳍、16个栅指、158 nm栅长、578 nm栅宽的FinFET变容管进行建模验证,模型仿真和测试所得C-V,R-V和S参数特性吻合良好。 展开更多

关键词 finfet 变容管 BSIM-CMG 参数提取 模型

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体硅CMOS FinFET结构与特性研究 被引量：1

12

作者 殷华湘 徐秋霞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1484-1486,共3页

建立在SOI衬底上的FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响,同时获得了一些标准集成电路工艺上的改... 建立在SOI衬底上的FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响,同时获得了一些标准集成电路工艺上的改进空间.运用标准CMOS工艺实际制作的体硅CMOSFinFET器件获得了较好的性能结果并成功地集成到CMOS反相器和环形振荡器中.结构分析与实验结果证明了体硅CMOSFinFET在未来电路中的应用前景. 展开更多

关键词 鱼脊形场效应晶体管 体硅 凹槽器件 新结构 CMOS

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一种新型高性能FinFET的设计与特性分析

13

作者 吴頔 汤乃云 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期53-58,共6页

针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极... 针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将该新型器件与传统的矩形结构和梯形结构的FinFET通过Sentaurus TCAD仿真软件进行对比。结果表明,当栅极长度控制在10 nm时,新型器件相比于另外两种传统的FinFET具有更小的鳍片尺寸,且鳍片高度不低于抑制短沟道效应的临界值。仿真结果显示,这种新型的FinFET具有更好的开关特性和亚阈值特性。同时,该器件在射频方面的特性参数也显示出该器件具有较高性能,并有一定的实际应用价值。 展开更多

关键词 短沟道效应 鳍式场效应晶体管(finfet) 直肠形器件 亚阈值特性 TCAD仿真软件

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Cadence宣布推出基于台积电16nm FinFET制程DDR4 PHY IP

14

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期463-463,共1页

2014年5月20日，全球电子设计企业Cadence设计系统公司宣布，立即推出基于台积电16nm FinFET制程的DDR4 PHY IP（知识产权）。16nm技术与Cadence创新的架构相结合，可帮助客户达到DDR4标准的最高性能，亦即达到3200Mb／s的级别，相比之... 2014年5月20日，全球电子设计企业Cadence设计系统公司宣布，立即推出基于台积电16nm FinFET制程的DDR4 PHY IP（知识产权）。16nm技术与Cadence创新的架构相结合，可帮助客户达到DDR4标准的最高性能，亦即达到3200Mb／s的级别，相比之下，目前无论DDR3还是DDR4技术， 展开更多

关键词 Cadence设计系统公司 台积电 制程 finfet 设计企业 知识产权 MBS PHY

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14 nm FinFET器件单粒子瞬态特性研究 被引量：2

15

作者 王斌 史柱 +3 位作者 岳红菊 李海松 卢红利 杨博 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2209-2215,共7页

为评估鳍式场效应晶体管(FinFET)的本征抗辐射能力,本文通过三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真研究了14 nm FinFET工艺的单粒子瞬态(SET)特性。研究结果表明,在不同的线性能量传输(LET)值及不同的入射位置下,FinFET器件具有不同的单粒... 为评估鳍式场效应晶体管(FinFET)的本征抗辐射能力,本文通过三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真研究了14 nm FinFET工艺的单粒子瞬态(SET)特性。研究结果表明,在不同的线性能量传输(LET)值及不同的入射位置下,FinFET器件具有不同的单粒子敏感性。SET脉冲宽度随LET值的增大而展宽。此外,SET特性与粒子轰击位置的关系呈现出复杂性。对于低LET值(LET≤1 MeV·cm^(2)/mg),SET特性与重离子的入射位置具有很强的依赖性;对于高LET值(LET>10 MeV·cm^(2)/mg),由于加强了衬底的电荷收集,SET特性与粒子轰击位置的依赖性减弱。 展开更多

关键词 单粒子瞬态 鳍式场效应晶体管 重离子 线性能量传输 工艺计算机辅助设计

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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 被引量：4

16

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页

半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较... 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。 展开更多

关键词 Ga2O3单晶 Ga2O3外延 β-Ga2O3肖特基二极管 β-Ga2O3金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) β-Ga2O3鳍式场效应管(finfet)

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未知工艺角下时序违反的机器学习预测 被引量：1

17

作者 黄鹏程 冯超超 马驰远 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2024年第3期395-399,共5页

集成电路设计复杂性的增长以及工艺尺寸的持续缩减给静态时序分析以及设计周期带来了新的严峻挑战。为了提升静态时序分析效率、缩短设计周期,充分考虑FinFET工艺特性以及静态时序分析原理,提出了未知工艺角下时序违反的机器学习预测方... 集成电路设计复杂性的增长以及工艺尺寸的持续缩减给静态时序分析以及设计周期带来了新的严峻挑战。为了提升静态时序分析效率、缩短设计周期,充分考虑FinFET工艺特性以及静态时序分析原理,提出了未知工艺角下时序违反的机器学习预测方法,实现了基于部分工艺角的时序特性来预测另外一部分工艺角的时序特性的目标。基于某工业设计进行实验,结果表明,提出的方法利用5个工艺角时序预测另外31个工艺角时序,可达到小于2 ps的平均绝对误差,远远优于传统方法所需的21个工艺角,显著改善了预测精度和减少了静态时序分析工作量。 展开更多

关键词 机器学习 工艺角 静态时序分析 finfet

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亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究 被引量：3

18

作者 胡伟达 陈效双 +2 位作者 全知觉 周旭昌 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期90-94,共5页

采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和D IBL效应以及沟道跨道,获得了... 采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和D IBL效应以及沟道跨道,获得了最佳硅鳍宽度(Tfin)和栅极长度(Lg)参数.模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较,表明由于电子束缚效应对器件性能的影响,考虑量子效应对F inFET器件的性能优化尤其重要. 展开更多

关键词 自对准双栅场效应晶体管 量子力学计算 短沟道效应 量子效应

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25nm鱼鳍型场效应晶体管中单粒子瞬态的工艺参数相关性 被引量：4

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作者 李达维 秦军瑞 陈书明 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期127-131,共5页

基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电... 基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度。对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38%,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79%。这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路。 展开更多

关键词 鱼鳍型场效应晶体管 单粒子效应 工艺参数相关性 电荷收集

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