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双栅极场发射阵列的特性模拟与设计
被引量：
1
1
作者
庄学曾
夏善红
陶新昕
《电子科学学刊》
CSCD
1998年第1期114-119,共6页
具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟...
具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟方法.从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到:这种结构的DGFEA能获得几乎平行的场发射电子束,其最大发射电流密度可达到约500A/cm^2以上,是发展真空微电子微波、毫米波器件和其它强流电子注器件等较理想的电子源。
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关键词
真空微电子器件
微波器件
毫米波器件
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职称材料
题名
双栅极场发射阵列的特性模拟与设计
被引量：
1
1
作者
庄学曾
夏善红
陶新昕
机构
中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1998年第1期114-119,共6页
文摘
具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟方法.从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到:这种结构的DGFEA能获得几乎平行的场发射电子束,其最大发射电流密度可达到约500A/cm^2以上,是发展真空微电子微波、毫米波器件和其它强流电子注器件等较理想的电子源。
关键词
真空微电子器件
微波器件
毫米波器件
Keywords
vacuum microelectronic device
s, Double-gated
field emission
arrays(DGFEA), Simulation computation, Microwave tubes, Millimeter-wave
device
s
分类号
TN120.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双栅极场发射阵列的特性模拟与设计
庄学曾
夏善红
陶新昕
《电子科学学刊》
CSCD
1998
1
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