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FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究
被引量：
11
1
作者
周勇
禹金强
+1 位作者
赵小林
杨春生
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2001年第5期360-363,367,共5页
用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 ,在 10 0kHz～ 40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场强度Ha 施加在薄膜的长方向时 ,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加 ,在某一磁场下达到最大值 ,...
用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 ,在 10 0kHz～ 40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场强度Ha 施加在薄膜的长方向时 ,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加 ,在某一磁场下达到最大值 ,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为 3 2MHz时 ,在磁场强度Ha=2 40 0A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值 13 5 0 % ;在磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率为 - 9 2 0 %。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外 ,当磁场施加在薄膜的短方向时 ,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应 ,在频率为 3 2MHz,磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率可达 - 12 5 0 %
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关键词
巨磁阻抗效应
非晶
fesib
薄
膜
fesib/cu/fesib多层膜
磁控溅射法
制备
结构
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职称材料
FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究
被引量：
15
2
作者
茅昕辉
禹金强
+2 位作者
周勇
吴茂松
蔡炳初
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第6期429-433,共5页
软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、...
软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 。
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关键词
fesib
薄
膜
巨磁阻抗
应力阻抗效应
多层
膜
软磁材料
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职称材料
题名
FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究
被引量：
11
1
作者
周勇
禹金强
赵小林
杨春生
机构
上海交通大学信息存储研究中心国家教育部薄膜与微细技术重点实验室
出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2001年第5期360-363,367,共5页
文摘
用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 ,在 10 0kHz～ 40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场强度Ha 施加在薄膜的长方向时 ,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加 ,在某一磁场下达到最大值 ,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为 3 2MHz时 ,在磁场强度Ha=2 40 0A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值 13 5 0 % ;在磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率为 - 9 2 0 %。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外 ,当磁场施加在薄膜的短方向时 ,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应 ,在频率为 3 2MHz,磁场强度Ha=96 0 0A/m时 ,巨磁阻抗变化率可达 - 12 5 0 %
关键词
巨磁阻抗效应
非晶
fesib
薄
膜
fesib/cu/fesib多层膜
磁控溅射法
制备
结构
Keywords
Copper
Electric impedance
Iron compounds
Magnetization
Multilayers
分类号
O484.43 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究
被引量：
15
2
作者
茅昕辉
禹金强
周勇
吴茂松
蔡炳初
机构
上海交通大学微纳米科学技术研究院
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第6期429-433,共5页
基金
国家自然科学基金资助 (ANo 5 0 2 75 0 96)
高等学校博士学科点专项科研基金资助 (No 2 0 0 0 0 2 4813 )
文摘
软磁材料中存在巨磁阻抗 (giantmagneto impedance ,GMI)效应以及与之相同来源的应力阻抗 (stress impedance ,SI)效应 ,利用这两种效应可以制成具有高灵敏度的微型化的磁场和应力 应变传感器。本文基于传感器的实际应用 ,对图形化的、较大磁致伸缩的FeSiB单层和多层薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应中频率和退火的影响进行了研究。结果表明 ,对于两种效应 ,经过退火处理的单层和多层膜均可在较低的频率下得到较高的灵敏度 。
关键词
fesib
薄
膜
巨磁阻抗
应力阻抗效应
多层
膜
软磁材料
Keywords
Giant magneto impedance,Stress impedance,
fesib
films,Multilayered films
分类号
TM271.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
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作者
出处
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被引量
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1
FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究
周勇
禹金强
赵小林
杨春生
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2001
11
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职称材料
2
FeSiB薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效应研究
茅昕辉
禹金强
周勇
吴茂松
蔡炳初
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002
15
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