检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

一种新型n^-区多层渐变掺杂SiGe/Si功率开关二极管被引量：3: 1; 作者马丽高勇王彩琳《电子器件》 CAS 2004年第2期232-235,共4页; n- 区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+ (SiGe) n- n+ 异质结功率二极管 ,对该新结构的反向恢复特性及正反向I -V特性进行了模拟 ,从器件运行机理上对模拟结果做出了详细的分析。与n- 区固定掺杂的普通p+ (SiGe) n- n+ 二极管相比 ,... 展开更多; 关键词 SIGE/SI异质结功率二极管多层渐变掺杂快速软恢复; 在线阅读下载PDF 职称材料

快恢复二极管软度参数的调整被引量：1: 2; 作者张华曹《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期16-18,共3页; 探讨了快恢复二极管制造过程中，选择适当的复合中心能级去调整快恢复二极管软度因子和软度的可行性。实验结果说明，选用σｐ／σｎ比值较小的复合中心能级可以改善二极管的软度参数。; 关键词二极管快恢复二极管软度参数调整; 在线阅读下载PDF 职称材料

大功率快速软恢复二极管概述被引量：10: 3; 作者张海涛张斌《半导体情报》 2001年第3期1-3,32,共4页; 详细介绍了快速软恢复二极管的工作原理、参数分析和现状 ,并且指出了快速软恢复二极管的发展方向及主要的技术难点。; 关键词功率二极管软恢复工作原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

快速软恢复二极管的仿真设计: 4; 作者张海涛张斌《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期73-76,共4页; 讨论了快速软恢复二极管的工作原理及主要相关参数,利用软件SILVACO进行仿真设计并用于二极管的制作中。; 关键词仿真设计快速二极管软恢复工作原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能场终止寿命控制FRD芯片工艺研究被引量：1: 5; 作者刘建华郎金荣周卫平《集成电路应用》 2017年第8期45-50,共6页; 快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)是重要的功率器件,广泛应用于智能电网、新能源汽车、光伏和轨道牵引等重要场合,具有重要的战略意义和市场价值。为了突破FRD的关键技术瓶颈,本项目研究了高性能场终止寿命控制1 200 V等系列FRD... 展开更多; 关键词功率器件快恢复二极管载流子寿命控制场终止软度因子半绝缘多晶硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型n^-区多层渐变掺杂SiGe/Si功率开关二极管被引量：3: 1; 作者马丽高勇王彩琳; 机构西安理工大学应用物理系西安理工大学电子工程系; 出处《电子器件》 CAS 2004年第2期232-235,共4页; 基金信息产业部 2 0 0 1年信息产业科研试制项目 (0 1XK6 10 0 12 ); 文摘 n- 区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+ (SiGe) n- n+ 异质结功率二极管 ,对该新结构的反向恢复特性及正反向I -V特性进行了模拟 ,从器件运行机理上对模拟结果做出了详细的分析。与n- 区固定掺杂的普通p+ (SiGe) n- n+ 二极管相比 ,在正向压降基本不发生变化的前提下 ,渐变掺杂后的器件反向恢复时间可缩短一半 ,反向峰值电流能降低 33% ,反向恢复软度因子可提高 1 5倍。并且 ,随着n- 区渐变掺杂的层数增多 ,反向恢复特性越好。; 关键词 SIGE/SI异质结功率二极管多层渐变掺杂快速软恢复; Keywords SiGe/Si hetero-junction power diode multilayer gradual doping fast and soft recovery; 分类号 TN313.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快恢复二极管软度参数的调整被引量：1: 2; 作者张华曹; 机构西安理工大学; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期16-18,共3页; 文摘探讨了快恢复二极管制造过程中，选择适当的复合中心能级去调整快恢复二极管软度因子和软度的可行性。实验结果说明，选用σｐ／σｎ比值较小的复合中心能级可以改善二极管的软度参数。; 关键词二极管快恢复二极管软度参数调整; Keywords fast recovery diode softness parameters adjusting; 分类号 TN315.2 [电子电信—物理电子学] TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大功率快速软恢复二极管概述被引量：10: 3; 作者张海涛张斌; 机构清华大学核能设计研究院; 出处《半导体情报》 2001年第3期1-3,32,共4页; 文摘详细介绍了快速软恢复二极管的工作原理、参数分析和现状 ,并且指出了快速软恢复二极管的发展方向及主要的技术难点。; 关键词功率二极管软恢复工作原理; Keywords diode parameter soft recovery; 分类号 TN313.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快速软恢复二极管的仿真设计: 4; 作者张海涛张斌; 机构清华大学核能技术设计研究院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期73-76,共4页; 文摘讨论了快速软恢复二极管的工作原理及主要相关参数,利用软件SILVACO进行仿真设计并用于二极管的制作中。; 关键词仿真设计快速二极管软恢复工作原理; Keywords fast diode soft-recovery simulate; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能场终止寿命控制FRD芯片工艺研究被引量：1: 5; 作者刘建华郎金荣周卫平; 机构上海先进半导体制造股份有限公司; 出处《集成电路应用》 2017年第8期45-50,共6页; 基金上海市科学技术委员会科技创新行动计划高新技术基金(17DZ1100300); 文摘快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)是重要的功率器件,广泛应用于智能电网、新能源汽车、光伏和轨道牵引等重要场合,具有重要的战略意义和市场价值。为了突破FRD的关键技术瓶颈,本项目研究了高性能场终止寿命控制1 200 V等系列FRD芯片工艺技术。采用H+注入辐照局域寿命控制技术与电子辐照全局寿命控制技术,兼顾了提高软度因子和降低反向恢复时间两方面的关键性能要求。采用扩散片衬底引入场终止层结构极大地改善了快恢复二极管的软度因子,改善了正向导通压降V f,提高了器件的高温耐压特性。测试结果表明,研制的1 200 V FRD器件正向导通电压为1.6~2.0 V,反向击穿电压为1 270~1 380 V,反向恢复时间为100~200 ns,与国际同类高性能FRD器件性能相当。快速高可靠性FRD的成功研制,对我国突破高性能FRD在高端领域的制造工艺技术具有重要的意义。; 关键词功率器件快恢复二极管载流子寿命控制场终止软度因子半绝缘多晶硅; Keywords power device fast recovery diodes carrier lifetime control field stop soft recovery factor emergency response; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种新型n^-区多层渐变掺杂SiGe/Si功率开关二极管	马丽高勇王彩琳	《电子器件》 CAS	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	快恢复二极管软度参数的调整	张华曹	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1999	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	大功率快速软恢复二极管概述	张海涛张斌	《半导体情报》	2001	10	在线阅读下载PDF 职称材料
4	快速软恢复二极管的仿真设计	张海涛张斌	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高性能场终止寿命控制FRD芯片工艺研究	刘建华郎金荣周卫平	《集成电路应用》	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料