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HL-3装置快电子轫致辐射二维成像模拟研究
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作者 关帅 程时葵 +2 位作者 张轶泼 张洁 朱宇轩 《核聚变与等离子体物理》 2025年第3期365-372,共8页
针对高参数物理实验的诊断需求,中国环流三号(HL-3)装置计划发展一套二维硬X射线(HXR)成像系统用于快电子物理实验。利用蒙特卡罗代码Geant4构建了HL-3装置快电子轫致辐射模型,输入源依据实验测量得到的电子温度和密度分布,同时考虑了... 针对高参数物理实验的诊断需求,中国环流三号(HL-3)装置计划发展一套二维硬X射线(HXR)成像系统用于快电子物理实验。利用蒙特卡罗代码Geant4构建了HL-3装置快电子轫致辐射模型,输入源依据实验测量得到的电子温度和密度分布,同时考虑了等离子体环效应和快电子轫致辐射前向性。计算表明,虽然等离子体分布由于环效应而具有不对称性,但是在小孔成像以及快电子轫致辐射前向性的共同作用下,HXR辐射在探测器上的能量沉积呈现出对称分布,并且与快电子密度剖面分布相吻合。模拟研究结果为二维HXR成像诊断的系统设计和优化提供了理论支持,同时有助于进一步分析快电子轫致辐射实验测量数据,以开展更加深入的高能量电子物理研究。 展开更多
关键词 快电子轫致辐射 硬X射线 Geant4 中国环流三号
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