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碳纳米管场发射性能的研究进展 被引量:2
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作者 邹强 张之圣 +2 位作者 李海燕 胡明 秦玉香 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期573-579,555,共8页
碳纳米管是一种性能优良的场发射冷阴极材料,具有低的阈值电场和高的发射电流密度,在平板显示领域具有广阔的应用前景。本文从Fow ler-Nordhe im s场发射理论出发,阐述了CNT的场发射机制,详细论述了包括CNT的结构、方向性、阵列密度、... 碳纳米管是一种性能优良的场发射冷阴极材料,具有低的阈值电场和高的发射电流密度,在平板显示领域具有广阔的应用前景。本文从Fow ler-Nordhe im s场发射理论出发,阐述了CNT的场发射机制,详细论述了包括CNT的结构、方向性、阵列密度、吸附气体、工作环境等诸多因素对其场发射特性的影响。研究表明,垂直取向,长径比高,密度适中,表面洁净的CNT场增强因子较大,场发射性能较好。 展开更多
关键词 场发射 冷阴极 平板显示 f-n理论 碳纳米管
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