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用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN／GaN异质结能带
1
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期31-35,共5页
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。...
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。针对GaN HFET对肖特基势垒、欧姆接触和沟道电场分布的要求,提出了用CF4等离子体剪裁能带的方案。
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关键词
C
f
4
等
离子
体处理
能带剪裁
f离子注入和势垒层腐蚀
肖特基
势垒
欧姆接触
沟道电场控制
电流崩塌
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题名
用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN／GaN异质结能带
1
作者
薛舫时
机构
单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期31-35,共5页
文摘
自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。针对GaN HFET对肖特基势垒、欧姆接触和沟道电场分布的要求,提出了用CF4等离子体剪裁能带的方案。
关键词
C
f
4
等
离子
体处理
能带剪裁
f离子注入和势垒层腐蚀
肖特基
势垒
欧姆接触
沟道电场控制
电流崩塌
Keywords
C
f
4 plasma treatment
band tailoring
f
ions implantation and etching o
f
barri-er layer
Schottky barrier
ohmic contact
electric
f
ield pro
f
ile in channel
current collapse
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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1
用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN／GaN异质结能带
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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