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外延硅dE／dX探测器的研制
被引量：
1
1
作者
王柱生
晁致远
+2 位作者
许金兰
徐晓冀
胡志强
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期149-155,共7页
本文介绍了厚度为５．２～６．０、１０～１３、１９μｍ，有效面积为２８～１５４ｍｍ￣２的外延硅ｄＦ／ｄＸ探测器的研制工艺，主要用途、测试结果（对９．８７Ｍｅｖα粒子的能损ＡＥ的分辨为５６～１２８ｋｅｖ）和在核物理实验中...
本文介绍了厚度为５．２～６．０、１０～１３、１９μｍ，有效面积为２８～１５４ｍｍ￣２的外延硅ｄＦ／ｄＸ探测器的研制工艺，主要用途、测试结果（对９．８７Ｍｅｖα粒子的能损ＡＥ的分辨为５６～１２８ｋｅｖ）和在核物理实验中的应用。
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关键词
外延硅
de/dx
探测器
半导体探测器
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职称材料
题名
外延硅dE／dX探测器的研制
被引量：
1
1
作者
王柱生
晁致远
许金兰
徐晓冀
胡志强
机构
中国科学院近代物理研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期149-155,共7页
文摘
本文介绍了厚度为５．２～６．０、１０～１３、１９μｍ，有效面积为２８～１５４ｍｍ￣２的外延硅ｄＦ／ｄＸ探测器的研制工艺，主要用途、测试结果（对９．８７Ｍｅｖα粒子的能损ＡＥ的分辨为５６～１２８ｋｅｖ）和在核物理实验中的应用。
关键词
外延硅
de/dx
探测器
半导体探测器
Keywords
epitaxial
silicon
de/dx
dtetctor
oxidize
energy
resolution
)
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
外延硅dE／dX探测器的研制
王柱生
晁致远
许金兰
徐晓冀
胡志强
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
1
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