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Assessment of electrostatic discharge sensitivity of nitrogen-rich heterocyclic energetic compounds and their salts as high energy-density dangerous compounds:A study of structural variables
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作者 Mohammad Hossein Keshavarz Sedigheh Heydari Bani +1 位作者 Reza Bakhtiari Seyyed Hesamodin Hosseini 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期15-22,共8页
Nitrogen-rich heterocyclic energetic compounds(NRHECs)and their salts have witnessed widespread synthesis in recent years.The substantial energy-density content within these compounds can lead to potentially dangerous... Nitrogen-rich heterocyclic energetic compounds(NRHECs)and their salts have witnessed widespread synthesis in recent years.The substantial energy-density content within these compounds can lead to potentially dangerous explosive reactions when subjected to external stimuli such as electrical discharge.Therefore,developing a reliable model for predicting their electrostatic discharge sensitivity(ESD)becomes imperative.This study proposes a novel and straightforward model based on the presence of specific groups(-NH_(2) or-NH-,-N=N^(+)-O^(-)and-NNO_(2),-ONO_(2) or-NO_(2))under certain conditions to assess the ESD of NRHECs and their salts,employing interpretable structural parameters.Utilizing a comprehensive dataset comprising 54 ESD measurements of NRHECs and their salts,divided into 49/5 training/test sets,the model achieves promising results.The Root Mean Square Error(RMSE),Mean Absolute Error(MAE),and Maximum Error for the training set are reported as 0.16 J,0.12 J,and 0.5 J,respectively.Notably,the ratios RMSE(training)/RMSE(test),MAE(training)/MAE(test),and Max Error(training)/Max Error(test)are all greater than 1.0,indicating the robust predictive capabilities of the model.The presented model demonstrates its efficacy in providing a reliable assessment of ESD for the targeted NRHECs and their salts,without the need for intricate computer codes or expert involvement. 展开更多
关键词 electrostatic discharge sensitivity Heterocyclic energetic compounds containing azole compound Interpretable structural parameter Safety
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GaAs MMIC抗静电能力研究 被引量:4
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作者 叶禹康 孙伟东 +1 位作者 俞土法 金毓铨 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期433-437,共5页
用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声MMIC静电损伤阈值达到50... 用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采用这些措施后,低噪声MMIC静电损伤阈值达到500~800 V。 展开更多
关键词 砷化镓 mmic 抗静电 微波集成电路
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GaAs相关多普勒放大器的抗静电设计 被引量:1
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作者 纪新峰 李宏民 +2 位作者 胡丹 张红旗 张好军 《兵器装备工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期253-257,共5页
静电放电严重影响砷化镓器件的可靠性,为了提高砷化镓相关多普勒放大器(简称相关多放)的抗静电能力,设计了一种硅隔离和双二极管网络的抗静电保护电路;硅器件建立了敏感芯片核心区域和电压及电流的缓冲隔离,双向对称导通的双二极管网络... 静电放电严重影响砷化镓器件的可靠性,为了提高砷化镓相关多普勒放大器(简称相关多放)的抗静电能力,设计了一种硅隔离和双二极管网络的抗静电保护电路;硅器件建立了敏感芯片核心区域和电压及电流的缓冲隔离,双向对称导通的双二极管网络有利于泄放大电流;基于静电放电人体模型,运用静电模拟仪器对相关多放进行了模拟试验,并对其性能进行测试;结果表明:器件的抗静电能力从200 V提高到了1400 V,开关选通前后沿小于5 ns,开关延迟不大于10 ns,控制信号泄露不大于40 mV,开关输出幅度不小于1 V。抗静电能力改进后,模块的开关性能保持不变,雷达接收机增益和噪声一致。导弹系统试验证明,抗静电措施稳定、有效,提高了产品的可靠性。 展开更多
关键词 gaas开关 静电释放 静电放电模型 静电防护 硅隔离 双二极管网络
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GaAs低噪声放大器的抗静电设计
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作者 董毅敏 厉志强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期460-463,共4页
基于提升GaAs低噪声放大器(LNA)的抗静电(ESD)能力的需求,且实现器件小型化轻量化,设计了一种S波段GaAs低噪声放大器的ESD防护电路,该电路利用1/4波长线的微波特性,通过1/4波长微带线并联在GaAs芯片的输入输出端,瞬态二极管(TVS)... 基于提升GaAs低噪声放大器(LNA)的抗静电(ESD)能力的需求,且实现器件小型化轻量化,设计了一种S波段GaAs低噪声放大器的ESD防护电路,该电路利用1/4波长线的微波特性,通过1/4波长微带线并联在GaAs芯片的输入输出端,瞬态二极管(TVS)并联在芯片的电源端,不改变器件原有封装尺寸的条件下构成保护结构。基于ESD人体模型,运用静电模拟仪器对低噪声放大器进行了模拟试验,并对其性能进行了测试。结果表明,在6.5mm×6.5mm×2.4mm的封装尺寸下,器件的抗静电能力从250V提高到了1000V,在频率为2.6-3.7GHz,带内增益大于25dB,增益平坦度小于±0.5dB,噪声系数小于1.5dB,满足高可靠领域应用的要求。 展开更多
关键词 gaas 人体模型 静电放电(ESD) 低噪声放大器(LNA) 表面贴装
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基于ANSI/ESD S541的ESDS电子产品包装材料及其应用研究
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作者 任晓梅 《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第3期94-97,共4页
ANSI/ESD S541—2019标准适用于静电放电敏感(ESDS)物品防护的包装材料,是保证ESDS电子产品在生产和销售的所有阶段中的储存、运输和防护的重要手段。标准提出了一种基于包装材料特性分类的防护包装技术要求和包装应用要求。就ANSI/ESD ... ANSI/ESD S541—2019标准适用于静电放电敏感(ESDS)物品防护的包装材料,是保证ESDS电子产品在生产和销售的所有阶段中的储存、运输和防护的重要手段。标准提出了一种基于包装材料特性分类的防护包装技术要求和包装应用要求。就ANSI/ESD S541—2019标准中提出的ESDS电子产品包装应用要求、包装材料分类、测试方法和包装技术等展开论述,并对当前防护包材的应用实践作以介绍,对提高电子产品稳定性和可靠性具有重要价值。 展开更多
关键词 静电放电敏感 电子产品 包装材料 包装应用
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锆/聚叠氮缩水甘油醚复合粒子的制备、表征及静电性能 被引量:2
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作者 姜菡雨 赵凤起 +4 位作者 郝海霞 曲文刚 徐司雨 安亭 李猛 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期50-55,共6页
锆粉具有密度大、体积热值高、点火和燃烧性能良好的优点,是提升推进剂密度比冲的重要燃料,但由于其静电火花感度高,使用中易燃烧,在推进剂中应用存在安全隐患。为提高锆粉的抗静电性能,研究采用一种推进剂常用的聚叠氮缩水甘油醚(GAP)... 锆粉具有密度大、体积热值高、点火和燃烧性能良好的优点,是提升推进剂密度比冲的重要燃料,但由于其静电火花感度高,使用中易燃烧,在推进剂中应用存在安全隐患。为提高锆粉的抗静电性能,研究采用一种推进剂常用的聚叠氮缩水甘油醚(GAP)含能粘合剂,对锆粉进行包覆改性,获得了Zr/GAP复合粒子。研究其形态、结构、热性能和抗静电火花性能。结果表明,包覆处理可显著降低锆粉粒子的静电火花感度,50%发火能从5.13 m J提高至24.91 m J,并且保留了锆粉的高密度特性及良好的燃烧性能。研究成果为促进锆粉在高密度推进剂中的应用提供了技术支持。 展开更多
关键词 兵器科学与技术 锆粉 聚叠氮缩水甘油醚 静电火花感度 包覆 表征 热行为
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多模计数器静电放电损伤的失效分析 被引量:3
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作者 席善斌 裴选 +3 位作者 刘玮 高兆丰 彭浩 黄杰 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期784-789,共6页
静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计... 静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化。针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻变化以及钝化层、金属化层去除等技术对计数器进行了失效分析,将失效点准确定位至输出端口逻辑单元电路的2只晶体管上。分析结果表明,多模计数器的ESD损伤使输出端口驱动晶体管以及为负载晶体管提供栅偏置的前级电路晶体管同时受损,导致计数器端口高、低电平输出均失效而丧失计数功能。对相关的失效机理展开了讨论,同时提出了在电路研制和使用过程中的ESD防护措施。 展开更多
关键词 多模计数器 单片微波集成电路(mmic) 静电放电(ESD) 失效分析 失效定位
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小电流晶闸管静电放电损伤特性研究 被引量:1
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作者 简勋 张希军 杨洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期229-233,共5页
为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K... 为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K+G-端对注入MM ESD时最易导致小电流晶闸管损伤,这是由于在晶闸管内部形成的3个pn结中,J3结结深最浅,并且pn结处于反偏状态时更易发生击穿以及热损伤;机械模型静电放电注入后损伤的小电流晶闸管失效模式为门极失去控制作用。该研究结果对于提高电子器件抗静电能力具有一定的工程指导意义。 展开更多
关键词 小电流晶闸管(SCR) 静电放电(ESD) 损伤特性 敏感注入端对 失效模式
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电子元器件静电放电敏感度(ESDS)检测 被引量:2
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作者 来萍 钟征宇 邝贤军 《电子质量》 2003年第9期U005-U007,共3页
静电放电敏感度(ESDS)是电子元器件的重要可靠性参数之一。本文从检测目的、标准波形、检测标准及委托程序几个方面阐述了ESDS的检测方法。
关键词 电子元器件 静电放电敏感度 ESDS 可靠性 检测 标准波形
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基于AD9858定时信号源模块设计 被引量:1
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作者 郭瑞 《现代导航》 2012年第3期228-230,共3页
定时及DDS信号源模块是将定时器和DDS信号源两个功能集成在一个模块中实现,能够完成定时信号和DDS信号的产生,并对DDS信号8倍频后,输出中心频率2.4GHz调频/调相信号。本设计采用多种方法较好的解决了模拟信号和数字信号相互影响的问题,... 定时及DDS信号源模块是将定时器和DDS信号源两个功能集成在一个模块中实现,能够完成定时信号和DDS信号的产生,并对DDS信号8倍频后,输出中心频率2.4GHz调频/调相信号。本设计采用多种方法较好的解决了模拟信号和数字信号相互影响的问题,保证了DDS输出稳定的调频信号,在实际工作中取得了良好的效果。 展开更多
关键词 DDS(直接数字频率合成) 倍频 静电敏感器件 射频测试点
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静电损伤及其防护措施
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作者 赵洪山 张绵 王云生 《半导体情报》 1992年第2期57-60,63,共5页
本文提出了轻微静电损伤和严重静电损伤的概念,简述了静电放电模型,指出了提高器件抗静电放电能力的对策。
关键词 半导体器件 集成电路 静电损伤
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