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CMOS集成电路中ESD保护技术研究 被引量:3
1
作者 王翠霞 许维胜 +2 位作者 余有灵 吴启迪 范学峰 《现代电子技术》 2008年第8期1-3,共3页
分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点... 分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点,选择合适的器件(如MOS,SCR,二极管及电阻)达到电路需要的ESD保护能力;电路方面采用栅耦和实现功能较强的ESD保护。 展开更多
关键词 静电放电 失效模式 esd保护电路 栅耦合
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几种应用于触摸感应电路的ESD保护结构设计 被引量:4
2
作者 居水荣 陆建恩 张海磊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期254-258,278,共6页
电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太... 电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太多,基于此要求,介绍了3种应用在电容式触摸感应检测按键电路中的ESD保护结构。主要描述了这3种结构的电路形式和版图布局,着重阐述了为满足电容式触摸感应检测按键电路的具体要求而对这3种结构所作的改进。列出了这3种改进过后的ESD保护结构的特点、所占用芯片面积以及抗静电能力测试结果的比较。结果表明,经过改进后的3种ESD保护结构在保护能力、芯片面积利用率以及可靠性等方面都有了非常好的提升。 展开更多
关键词 静电放电(esd)保护结构 触摸感应检测按键电路 可控硅整流器 全芯片esd 保护 二极管加电阻esd保护
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基于CMOS多功能数字芯片的ESD保护电路设计 被引量:2
3
作者 周子昂 姚遥 +1 位作者 徐坤 张利红 《电子科技》 2012年第4期57-59,共3页
基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1 mm×... 基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺设计了一种ESD保护电路。整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1 mm×1 mm,参与MPW(多项目晶圆)计划流片,流片测试结果表明,芯片满足设计目标。 展开更多
关键词 CMOS工艺 esd保护电路 版图设计
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一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法 被引量:3
4
作者 朱志炜 郝跃 马晓华 《电子器件》 CAS 2007年第4期1159-1163,共5页
对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;... 对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;使用蒙特卡罗仿真得到新的电子能量驰豫时间随电子能量变化的经验模型.最后使用文中改进的仿真设计方法对一个ESD保护电路进行了设计和验证,测试结果符合设计要求. 展开更多
关键词 静电放电 片内esd保护电路 混合模式仿真 能量驰豫时间 非本地输运
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利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究 被引量:1
5
作者 杨涛 李昕 +2 位作者 陶煜 陈良月 高怀 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期804-808,共5页
提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构。该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能。针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路... 提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构。该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能。针对一款达林顿结构ESD保护电路,制作了现有ESD保护电路结构和新型ESD保护电路结构的测试板级电路,测试结果表明:两种ESD保护电路结构的抗静电能力均达到20 kV,现有ESD保护电路结构在0~4.3 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于-10 dB,最高工作频率为4.3 GHz;新型ESD保护电路结构在0~5.6 GHz频段内衰减系数均小于1 dB,反射损耗系数均小于-10 dB,最高工作频率为5.6 GHz。 展开更多
关键词 esd保护电路 键合线 新型结构 抗静电能力 射频性能
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电子设备中的ESD保护设计 被引量:7
6
作者 彭圻平 阮军洲 刘永恩 《无线电工程》 2013年第6期61-64,共4页
介绍了静电放电(ESD)的工作机理以及静电放电给电子元器件所带来的损伤。通过对比压敏电阻与瞬变电压抑制二极管(TVS管)的特点,给出了如何选择ESD保护器件的一些建议。在分析了TVS管的工作原理及关键参数基础上,对TVS管选型标准进行了... 介绍了静电放电(ESD)的工作机理以及静电放电给电子元器件所带来的损伤。通过对比压敏电阻与瞬变电压抑制二极管(TVS管)的特点,给出了如何选择ESD保护器件的一些建议。在分析了TVS管的工作原理及关键参数基础上,对TVS管选型标准进行了简要介绍。针对使用TVS管的保护电路,以IEC61000-4-2最高严酷度级别4的环境对电路中的寄生参数进行了分析,提出了优化ESD保护器件性能及PCB保护电路设计时需要注意的事项。以MAX3490E为例指出了集成片上ESD系统芯片的优点。 展开更多
关键词 TVS esd保护 PCB设计 寄生参数
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一种带封装及ESD保护电路的低噪声放大器设计 被引量:1
7
作者 许永生 陶永刚 +4 位作者 洪亮 游淑珍 李小进 石春琦 赖宗声 《电子器件》 CAS 2006年第3期691-696,共6页
研究了封装以及ESD保护电路对低噪声放大器的性能影响。通过详尽推导电感负反馈共发射极低噪声放大器的输入阻抗、跨导、电压增益以及噪声系数的表达式,讨论并设计了一个应用于超高频接收芯片的低噪声放大器。芯片采用低成本的0.8μm Bi... 研究了封装以及ESD保护电路对低噪声放大器的性能影响。通过详尽推导电感负反馈共发射极低噪声放大器的输入阻抗、跨导、电压增益以及噪声系数的表达式,讨论并设计了一个应用于超高频接收芯片的低噪声放大器。芯片采用低成本的0.8μm BiCMOS工艺实现,封装形式为SOIC28。经过测量,所得到的参数与讨论及仿真值很好吻合,验证了设计以及优化方法的正确性。 展开更多
关键词 封装效应 esd保护 射频集成电路 低噪声放大器
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深亚微米集成电路中的ESD保护问题 被引量:2
8
作者 王勇 李兴鸿 《电子与封装》 2005年第10期26-31,共6页
本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD
关键词 深亚微米集成电路 esd保护
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具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法
9
作者 耿志卿 马小进 黎作鹏 《河北工程大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第2期95-99,共5页
针对实际产品中ESD保护产生的寄生效应对低噪声放大器噪声性能的影响,通过详细的理论分析,提出了一种具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法,并给出了具体的设计公式。采用该优化方法设计的低噪声放大器可以接近或等于单个晶体管的... 针对实际产品中ESD保护产生的寄生效应对低噪声放大器噪声性能的影响,通过详细的理论分析,提出了一种具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法,并给出了具体的设计公式。采用该优化方法设计的低噪声放大器可以接近或等于单个晶体管的最小噪声系数。在0.25μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明设计的低噪声放大器可以在不同的功耗下接近最小噪声系数,从而验证了提出的噪声优化方法的有效性。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声优化 esd保护
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深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法 被引量:2
10
作者 夏增浪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期45-49,共5页
详述了目前用于深亚微米CMOSIC的静电放电(ESD)保护方法,比较了它们各自的特点,并详细阐述了栅耦合PMOS触发/NMOS触发横向可控硅(PTLSCR/NTLSCR)ESD保护电路的工作原理。
关键词 深亚微米 低压CMOS IC esd保护电路
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一种应用于深亚微米CMOS工艺的ESD保护电路 被引量:3
11
作者 鲍剑 王志功 李智群 《电子与封装》 2005年第8期27-31,22,共6页
本文研究了一种基于动态栅极悬浮技术的ESD保护电路,并根据全芯片ESD防护的要求设计了试验电路。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现了试验电路,测试显示芯片的ESD失效电压达到了7kV。
关键词 esd esd保护 动态栅极悬浮
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CMOS电路中ESD保护结构的设计 被引量:8
12
作者 王大睿 《中国集成电路》 2007年第6期37-41,53,共6页
本文研究了在CMOS工艺中I/O电路的ESD保护结构设计以及相关版图的要求,其中重点讨论了PAD到VSS电流通路的建立。
关键词 esd保护电路 esd设计窗口 esd电流通路
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CMOS电路芯片ESD保护电路设计技术的发展 被引量:3
13
作者 赵近 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第1期14-20,6,共8页
本文简要地回顾了CMOS电路芯片上ESD保护电路设计技术发展概况,给出了在中小规模、大规模及超大规模各阶段的CMOS电路芯片上ESD保护电路的主流技木.双寄生的SCR结构是VLSI CMOS芯片上ESD保护电路的最新设计技术,就其ESD保护原理、设计... 本文简要地回顾了CMOS电路芯片上ESD保护电路设计技术发展概况,给出了在中小规模、大规模及超大规模各阶段的CMOS电路芯片上ESD保护电路的主流技木.双寄生的SCR结构是VLSI CMOS芯片上ESD保护电路的最新设计技术,就其ESD保护原理、设计技术及取得的成果做了较详细分析和探讨.对于研制高密度、高速度的VLSI CMOS电路,开展高ESD失效阈值电压、小几何尺寸及低RC延迟时间常数保护电路的可靠性设计指明了方向. 展开更多
关键词 CMOS电路 芯片 esd保护电路 设计
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一种CMOS新型ESD保护电路设计 被引量:1
14
作者 沈放 陈巍 +1 位作者 黄灿英 陈艳 《现代电子技术》 北大核心 2015年第24期128-131,共4页
金属氧化物半导体(MOS)器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电(ESD)威胁,而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等原因,普遍存在着抗静电能力有限、占用较大芯片面积等问题。根据全芯片ESD防护机理,基于SMIC 0.18μm工... 金属氧化物半导体(MOS)器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电(ESD)威胁,而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等原因,普遍存在着抗静电能力有限、占用较大芯片面积等问题。根据全芯片ESD防护机理,基于SMIC 0.18μm工艺设计并实现了一种新型ESD保护电路,其具有结构简单、占用芯片面积小、抗ESD能力强等特点。对电路的测试结果表明,相对于相同尺寸栅极接地结构ESD保护电路,新型ESD保护电路在降低35%芯片面积的同时,抗ESD击穿电压提升了32%,能够有效保护芯片内部电路免受ESD造成的损伤和降低ESD保护电路的成本。 展开更多
关键词 静电放电(esd)保护 栅极接地NMOS 抗静电 电流集边效应 低成本
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亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究
15
作者 王德进 聂卫东 +1 位作者 张炜 李冰 《电子与封装》 2008年第8期39-43,共5页
文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD... 文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强。此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级。 展开更多
关键词 esd保护 纵向NPN 亚微米BiCMOS
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带ESD保护的2.4GHz低噪声放大器的分析与设计 被引量:3
16
作者 张浩 李智群 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期403-409,共7页
分析了静电放电(ESD)保护对源极电感负反馈低噪声放大器(LNA)的输入阻抗匹配和噪声匹配的影响。给出了带ESD保护的低噪声放大器在功耗限定的条件下同时满足功率匹配和噪声匹配的优化方法,基于该方法,采用0.18μm RF CMOS工艺设计了应用... 分析了静电放电(ESD)保护对源极电感负反馈低噪声放大器(LNA)的输入阻抗匹配和噪声匹配的影响。给出了带ESD保护的低噪声放大器在功耗限定的条件下同时满足功率匹配和噪声匹配的优化方法,基于该方法,采用0.18μm RF CMOS工艺设计了应用于无线传感网(WSN)的2.4GHz低噪声放大器。测试结果表明,低噪声放大器噪声系数(NF)为1.69dB,增益为15.2 dB,输入1 dB压缩点和输入三阶截点(IIP3)分别为-8dBm和1dBm,在1.8V电源电压下消耗电流3.1mA。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 静电放电保护(esd) 噪声优化 无线传感网(WSN) 互补金属氧化物半导体(CMOS)
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用于确保信号完整性的ESD保护器件新结构 被引量:1
17
作者 周智勇 《电子产品世界》 2009年第12期58-60,共3页
在高清视听时代,ESD保护器件是确保数字信号完整性的模拟元件,它的新材料以及制造工艺的发展驱动力在于,既要具备很高的抗静电放电的能力,又要具有超低的电容。本文介绍了ESD保护器件的最新结构和技术进展。
关键词 esd保护 眼图 信号完整性 HDMI 接口保护
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基于SOI工艺集成电路ESD保护网络分析与设计
18
作者 胡永强 周晓彬 《电子与封装》 2014年第3期29-32,40,共5页
由于SOI(Silicon-On-Insulator)工艺采用氧化物进行全介质隔离,而氧化物是热的不良导体,因此SOI ESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI(PD SOI)工艺的数字信号处理电路(DSP)的ESD设... 由于SOI(Silicon-On-Insulator)工艺采用氧化物进行全介质隔离,而氧化物是热的不良导体,因此SOI ESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI(PD SOI)工艺的数字信号处理电路(DSP)的ESD设计理念和方法,并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析,找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化,并经流片及实验验证,较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。 展开更多
关键词 集成电路 esd保护设计 可靠性
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泰科电子扩展ESD保护产品系列
19
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1053-1053,共1页
2009年9月17日,泰科电子今日宣布其防静电(ESD)保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD(SESD)器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%,能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可... 2009年9月17日,泰科电子今日宣布其防静电(ESD)保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD(SESD)器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%,能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。 展开更多
关键词 esd保护 泰科电子 便携式电子产品 品系 保护器件 MP3播放器 数码相机 产品线
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ADI的多点LVDS收发器提供业界最高ESD保护
20
《电子技术应用》 北大核心 2012年第6期144-144,共1页
全球领先的高性能信号处理解决方案供应商ADI公司,最近推出一系列多点、低电压、差分信号(M—LVDS)收发器ADN469xE,具有所有多点LVDS收发器中最高的ESD(静电放电)保护。ADN469xEM—LVDS系列包含8款收发器,每款器件都能利用一条... 全球领先的高性能信号处理解决方案供应商ADI公司,最近推出一系列多点、低电压、差分信号(M—LVDS)收发器ADN469xE,具有所有多点LVDS收发器中最高的ESD(静电放电)保护。ADN469xEM—LVDS系列包含8款收发器,每款器件都能利用一条差分电缆对连接32个数据/时钟节点并以100Mb/s或200Mb/s的数据速率工作。与之相比,传统的LVDS通信链路必须使用32个单独的点对点节点,增加了功耗、 展开更多
关键词 esd保护 ADI公司 LVDS 收发器 差分信号 MB/S 信号处理 静电放电
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