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半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应: 1; 作者李光平何秀坤 +2 位作者王琴郑驹阎萍《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期197-201,共5页; 本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温... 展开更多; 关键词 GAAS el2能级光猝灭效应低温; 在线阅读下载PDF 职称材料

未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱: 2; 作者朱永刚孙恒慧《红外研究》 CSCD 北大核心 1990年第5期345-350,共6页; 采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n^0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n^0-hv的理论计算和实验曲... 展开更多; 关键词半绝缘砷化镓 el2能级恒流光电导; 在线阅读下载PDF 职称材料

砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度: 3; 作者徐文兰《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期371-374,共4页; 介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物模型.分别计算了这两个模型的晶格振动态密度.为EL2深能级结构的最终确定提供了一些有用的信息.; 关键词砷化镓 el2深能级晶格振动态; 在线阅读下载PDF 职称材料

用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究被引量：4: 4; 作者张显斌施卫 +2 位作者李琦陈二柱赵卫《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期815-818,共4页; 　报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1064nmNd:YAG激光触发开关,在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性... 展开更多; 关键词光电导开关半绝缘GAAS el2能级非本征吸收红外激光脉冲脉冲激光器光电导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs对脉冲Nd:YAG激光器的调Q和锁模: 5; 作者苏培林王加贤 +2 位作者熊刚强张峻诚王娟娟《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期17-18,共2页; 本文分析半导体材料GaAs对1064nm激光的可饱和吸收特性,在闪光灯抽运的平凹腔和平凸腔Nd:YAG激光器中,插入GaAs样品作为调Q器件,实现了激光器的被动调Q运转,分别获得脉冲宽度32.7ns(平凹腔)和30.9ns(平凸腔)的激光脉冲。实验上研究了平... 展开更多; 关键词 GAAS 可饱和吸收被动调Q 深能级el2; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应: 1; 作者李光平何秀坤王琴郑驹阎萍; 机构天津电子材料研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期197-201,共5页; 文摘本研究采用近红外光谱法和低温测量技术,获得了EL2能级的心内跃迁特征光谱和包括6个小峰的精细结构。探讨了心内跃迁与横向声学(TA)声子的耦合机理,系统观察了它的光猝灭效应,提出亚稳态模型,得出了由10K升温过程EL2能级近红外吸收与温度的依赖关系,确定了115K为亚稳态恢复至稳态的最低温度转变点。由实验结果提供的EL2能级内部结构的信息,提出EL2能级的理论模型。; 关键词 GAAS el2能级光猝灭效应低温; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱: 2; 作者朱永刚孙恒慧; 机构复旦大学物理系; 出处《红外研究》 CSCD 北大核心 1990年第5期345-350,共6页; 基金中国科学院科学基金; 文摘采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n^0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n^0-hv的理论计算和实验曲线符合得很好,并得出有关EL2能级的物理量即束缚能E_T、Frank-Condon移动d_(FC)和波函数扩展长度α^(-1)。; 关键词半绝缘砷化镓 el2能级恒流光电导; 分类号 O771 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度: 3; 作者徐文兰; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期371-374,共4页; 文摘介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物模型.分别计算了这两个模型的晶格振动态密度.为EL2深能级结构的最终确定提供了一些有用的信息.; 关键词砷化镓 el2深能级晶格振动态; Keywords GaAS, el2 deep level, density of vibrational state.; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究被引量：4: 4; 作者张显斌施卫李琦陈二柱赵卫; 机构西安理工大学应用物理系中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期815-818,共4页; 基金国家自然科学基金资助课题(50077017) 陕西省教育厅产业化培育项目资助课题(01JK25); 文摘　报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1064nmNd:YAG激光触发开关,在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。; 关键词光电导开关半绝缘GAAS el2能级非本征吸收红外激光脉冲脉冲激光器光电导体激光器; Keywords photoconductive switch semiinsulating GaAs el2 deep level nonintrinsic absorption; 分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs对脉冲Nd:YAG激光器的调Q和锁模: 5; 作者苏培林王加贤熊刚强张峻诚王娟娟; 机构华侨大学信息科学与工程学院; 出处《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期17-18,共2页; 基金福建省自然科学基金(A0610023); 文摘本文分析半导体材料GaAs对1064nm激光的可饱和吸收特性,在闪光灯抽运的平凹腔和平凸腔Nd:YAG激光器中,插入GaAs样品作为调Q器件,实现了激光器的被动调Q运转,分别获得脉冲宽度32.7ns(平凹腔)和30.9ns(平凸腔)的激光脉冲。实验上研究了平凹腔腔长和输出镜透过率对调Q激光输出性能的影响。当平凹腔腔长增加到125cm时,观察到GaAs对1064nm激光的被动锁模。对上述实验结果给予了合理的理论解释。; 关键词 GAAS 可饱和吸收被动调Q 深能级el2; Keywords GaAs saturable absorption passively Q- switched deep level of el2; 分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	半绝缘GaAs中EL2能级低温精细结构和光猝灭效应	李光平何秀坤王琴郑驹阎萍	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1989	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱	朱永刚孙恒慧	《红外研究》 CSCD 北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度	徐文兰	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究	张显斌施卫李琦陈二柱赵卫	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaAs对脉冲Nd:YAG激光器的调Q和锁模	苏培林王加贤熊刚强张峻诚王娟娟	《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料