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混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜
被引量：
4
1
作者
姚丹
庄承钢
+3 位作者
张开成
余增强
冯庆荣
王福仁
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期357-360,共4页
用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密...
用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm^1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。
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关键词
MgB2薄膜
M-T曲线
X射线衍射图
SEM图
edx成分分析
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职称材料
温梯法生长CaF_2晶体中包裹物的研究
被引量：
3
2
作者
董永军
周国清
+2 位作者
苏良碧
杨卫桥
徐军
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期31-34,共4页
本文对温度梯度法生长的氟化钙(CaF2)晶体中的包裹物进行了研究,用光学显微镜和SEM观察了包裹物的形貌,对晶体中的包裹物和透明部分作了微区EDX成分分析,对包裹物所含的杂质进行了解释,提出了减小或消除包裹物的措施。分析结果表明:包...
本文对温度梯度法生长的氟化钙(CaF2)晶体中的包裹物进行了研究,用光学显微镜和SEM观察了包裹物的形貌,对晶体中的包裹物和透明部分作了微区EDX成分分析,对包裹物所含的杂质进行了解释,提出了减小或消除包裹物的措施。分析结果表明:包裹物的主要成分是碳和氧,碳来源于石墨坩埚和石墨发热体,而杂质氧则来源于原料中的含氧化合物和生长过程气氛中氧的进入。
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关键词
CaF2晶体
包裹物
温度梯度法
氟化钙
光学显微镜
SEM观察
微区
edx成分分析
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职称材料
题名
混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜
被引量：
4
1
作者
姚丹
庄承钢
张开成
余增强
冯庆荣
王福仁
机构
北京大学物理学院
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期357-360,共4页
基金
北京大学物理学院和国家重点基金研究项目(BKBRSF-G19990646-02)
文摘
用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm^1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。
关键词
MgB2薄膜
M-T曲线
X射线衍射图
SEM图
edx成分分析
Keywords
MgB2 thin films
M-T curve
X-ray diffraction patterns
SEM image
edx
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
温梯法生长CaF_2晶体中包裹物的研究
被引量：
3
2
作者
董永军
周国清
苏良碧
杨卫桥
徐军
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期31-34,共4页
基金
上海市科技发展基金项目(No.022261053)
文摘
本文对温度梯度法生长的氟化钙(CaF2)晶体中的包裹物进行了研究,用光学显微镜和SEM观察了包裹物的形貌,对晶体中的包裹物和透明部分作了微区EDX成分分析,对包裹物所含的杂质进行了解释,提出了减小或消除包裹物的措施。分析结果表明:包裹物的主要成分是碳和氧,碳来源于石墨坩埚和石墨发热体,而杂质氧则来源于原料中的含氧化合物和生长过程气氛中氧的进入。
关键词
CaF2晶体
包裹物
温度梯度法
氟化钙
光学显微镜
SEM观察
微区
edx成分分析
Keywords
calcium fluoride crystals
temperature gradient technique (TGT)
inclusion
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜
姚丹
庄承钢
张开成
余增强
冯庆荣
王福仁
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
4
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职称材料
2
温梯法生长CaF_2晶体中包裹物的研究
董永军
周国清
苏良碧
杨卫桥
徐军
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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职称材料
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