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题名ADSP2106X扩展片外EDRAM的方法
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作者
王瑞峰
米根锁
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机构
兰州交通大学自动化与电气工程学院
兰州交通大学电子与信息工程学院
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出处
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2008年第5期1172-1173,1206,共3页
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基金
甘肃省自然科学基金暨中青年科技基金项目(3ZS042-B25-045)
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文摘
在设计ADSP2106X的应用系统时,有时需要在其外部扩展大容量的存储器。EDRAM具有速度快、容量大的特点,因此可给ADSP2106X扩展片外EDRAM以满足应用需要。在对ADSP2106X片外存储结构、扩展外部存储器所用信号及连接方法、等待模式和EDRAM构成及工作原理进行分析的基础上,设计了ADSP2106X和EDRAM DM2202J-15的接口电路,对该电路的信号连接及作用、时序控制和整个电路的工作过程进行了深入分析,并说明了在编写程序时对存储器的设置问题。实验结果表明,该接口电路工作正确可靠。
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关键词
数字信号处理器
存储器扩展
增强型动态随机读写存储器
现场可编程门阵列
刷新
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Keywords
ADSP2106X
memory extension
edram
FPGA
refurbishing
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分类号
TP303
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名嵌入式DRAM的BIST测试方法的研究
被引量：3
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作者
张必超
蒋大文
于鹏
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机构
四川大学测控系
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出处
《中国测试技术》
2005年第1期69-71,共3页
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文摘
通过对比分析了嵌入式DRAM的传统测试方法和内建自测试 (BIST)方法 ,提出了嵌入式DRAM的内建自测试 (BIST)方案 ,该方案具有测试生成快 ,节约测试成本等优点 ,对其它类型电路的测试也有很好的借鉴价值。
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关键词
片上系统(SOC)
超大规模集成电路
嵌入式DRAM
内建自测试
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Keywords
SOC
VLSI
edram
BIST
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分类号
TP319
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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题名新潮DRAM芯光灿烂
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作者
Giani
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机构
四川省什邡市方亭镇东风路
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出处
《电脑硬件（现代电子技术）》
2000年第9期18-21,共4页
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关键词
DRAM
动态读写存储器
CDRAM
edram
RDRAM
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分类号
TP333.8
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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