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双层硅外延片在大功率器件中的应用
被引量：
5
1
作者
谢夏云
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期40-43,共4页
主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用，并介绍了具体工艺方法。
关键词
双层杂质浓度
硅外延片
大功率器件
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
双层硅外延片在大功率器件中的应用
被引量：
5
1
作者
谢夏云
机构
成都半导体材料厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期40-43,共4页
文摘
主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用，并介绍了具体工艺方法。
关键词
双层杂质浓度
硅外延片
大功率器件
Keywords
doubledecker impurity extension silicon highpower device
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
双层硅外延片在大功率器件中的应用
谢夏云
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
5
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