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达林顿硅光电晶体管的光放大特性
被引量：
1
1
作者
郑云光
张培宁
+2 位作者
郭维廉
李树荣
王海英
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期9-11,29,共4页
通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度， 并用１２Ｖ、０２５Ａ 的小灯泡作为输出发光元件， 在２６５μＷ （即９０ｌｘ） 的红光照射下， 器件可输出光电流１００ｍ Ａ 以上， 输出光功率为２０００μＷ 。
关键词
达林顿
硅光电晶体管
光功率增益
DSPT
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职称材料
题名
达林顿硅光电晶体管的光放大特性
被引量：
1
1
作者
郑云光
张培宁
郭维廉
李树荣
王海英
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期9-11,29,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
通过提高达林顿硅光电晶体管的光电灵敏度， 并用１２Ｖ、０２５Ａ 的小灯泡作为输出发光元件， 在２６５μＷ （即９０ｌｘ） 的红光照射下， 器件可输出光电流１００ｍ Ａ 以上， 输出光功率为２０００μＷ 。
关键词
达林顿
硅光电晶体管
光功率增益
DSPT
Keywords
darlington silicon photo transistor light power gain
分类号
TN322.3 [电子电信—物理电子学]
TN364.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
达林顿硅光电晶体管的光放大特性
郑云光
张培宁
郭维廉
李树荣
王海英
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
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