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题名多微通道内存系统设计方法
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作者
张广飞
王焕东
陈新科
黄帅
陈李维
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机构
中国科学院计算机系统结构重点实验室
中国科学院计算技术研究所
中国科学院研究生院
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出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期685-693,共9页
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基金
国家"核高基"科技重大专项课题(2009ZX01028-002-003
2009ZX01029-001-003)
+1 种基金
国家自然科学基金(60921002
61003064)资助项目
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文摘
通过建立内存系统排队模型,分析了影响内存系统性能的原因——内存控制器的内存命令处理速度受访存请求页命中率、Bank级并行度和读写命令切换率的影响,进而提出了一种多微通道内存系统设计方法。用此方法多微通道内存控制器通过对内存颗粒进行细粒度控制,可以提高访存请求页命中率和Bank级并行度,隐藏数据总线读写切换延迟。该结构在提高内存系统带宽利用率的同时,缩短访存请求延迟,并提高内存功耗有效性。将多微通道内存控制器设计应用于多核处理器平台,充分分析各种宽度访存通道对应用程序性能的影响。实验结果表明,相比传统内存控制器设计方法,多微通道内存控制器将内存系统带宽提高了21.8%,访存延迟和功耗分别降低14.4%和26.2%。
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关键词
dram系统
内存控制器
片上多核
多通道
访存特性
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Keywords
dram system, memory controller, chip muhiprocessor, multi-channel, memory access charac.teristic
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分类号
TP333.1
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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