随着工艺制程的不断微缩,动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的集成度持续提高,单颗芯片上存储单元的数目呈指数增长,随之带来的是芯片发热严重和泄漏电流增大等问题,为了实时监测内部温度并控制相应的刷新操作,DRAM需...随着工艺制程的不断微缩,动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的集成度持续提高,单颗芯片上存储单元的数目呈指数增长,随之带来的是芯片发热严重和泄漏电流增大等问题,为了实时监测内部温度并控制相应的刷新操作,DRAM需要在内部集成温度传感器。文章从DRAM的基本结构、工作原理和实际工作中对内置温度传感器的需求出发,研究不同读出架构的集成式温度传感器的优缺点,考虑到感温精度、感温范围、功耗和成本等因素以及DRAM产品规格说明书中对内置温度传感器的要求,设计出一款基于时域读出架构的免校准低功耗温度传感器。采用19 nm的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺进行仿真验证,结果表明,免校准的前提下,该温度传感器在0~110℃的感温范围内具有3℃的仿真精度,版图面积为0.189 mm^(2),平均功耗为340.31μW,感温时间为550μs。文章设计的温度传感器满足DRAM对于内置温度传感器的要求,且大大降低了DRAM的生产成本。展开更多
Petri 网理论已日益成为复杂系统设计与分析中不可或缺的工具.而ARM嵌入式处理器是一种高性能,低功耗的RISC芯片.同步动态RAM控制器状态间的相互转换较为复杂,且通过状态图只能描述它的静态特征,难以分析其动态特性.Petri网能够直观地...Petri 网理论已日益成为复杂系统设计与分析中不可或缺的工具.而ARM嵌入式处理器是一种高性能,低功耗的RISC芯片.同步动态RAM控制器状态间的相互转换较为复杂,且通过状态图只能描述它的静态特征,难以分析其动态特性.Petri网能够直观地描述非确定性,以图形化的方式表示及运用数学工具模拟与分析复杂系统.文章正是利用Petri网的这些特性来描述和分析ARM体系结构中同步DRAM控制器的状态和转换.展开更多
p53凋亡刺激蛋白2(apoptosis stimulating protein 2 of p53,ASPP2)能特异性地与p53蛋白结合并增强其促凋亡功能,进而发挥抗肿瘤作用.最近文献提示,自噬对肿瘤发生、发展及肿瘤细胞对抗肿瘤药物的反应都具有重要作用.在本研究中,甲基磺...p53凋亡刺激蛋白2(apoptosis stimulating protein 2 of p53,ASPP2)能特异性地与p53蛋白结合并增强其促凋亡功能,进而发挥抗肿瘤作用.最近文献提示,自噬对肿瘤发生、发展及肿瘤细胞对抗肿瘤药物的反应都具有重要作用.在本研究中,甲基磺酸(MMS)处理HepG2细胞24 h后,用calcein AM/PI和M30染色检测细胞凋亡,可引起早期(M30免疫组化阳性)和晚期细胞凋亡(PI染色阳性).给HepG2细胞转染GFP-LC3质粒后,发现MMS处理24 h可引起自噬的发生.ASPP2腺病毒(rAd-ASPP2)感染HepG2细胞引起ASPP2过表达后,再用MMS处理24 h,能引起更明显的早期、晚期细胞凋亡和自噬.荧光定量PCR检测发现,rAd-ASPP2诱导了更高的BCL-2相关X蛋白基因(BAX)和p53蛋白的目的基因p53诱导的自噬调节蛋白(p53-induced modulator of autophagy,DRAM)的表达.但仅用rAd-ASPP2处理HepG2细胞不能引起自噬和凋亡.利用2条DRAM特异性的siRNA下调DRAM的表达,发现rAd-ASPP2引起的自噬被完全抑制,早期和晚期凋亡均部分被抑制,同时BAX的mRNA水平也明显下降.以上结果说明,ASPP2可通过上调BAX和DRAM基因的转录而促进MMS引起的HepG2细胞凋亡;另外,DRAM介导的自噬是ASPP2促进MMS引起的肿瘤细胞凋亡的机制之一.该研究可为肝癌的基因治疗提供新的思路.展开更多
文摘随着工艺制程的不断微缩,动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)的集成度持续提高,单颗芯片上存储单元的数目呈指数增长,随之带来的是芯片发热严重和泄漏电流增大等问题,为了实时监测内部温度并控制相应的刷新操作,DRAM需要在内部集成温度传感器。文章从DRAM的基本结构、工作原理和实际工作中对内置温度传感器的需求出发,研究不同读出架构的集成式温度传感器的优缺点,考虑到感温精度、感温范围、功耗和成本等因素以及DRAM产品规格说明书中对内置温度传感器的要求,设计出一款基于时域读出架构的免校准低功耗温度传感器。采用19 nm的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺进行仿真验证,结果表明,免校准的前提下,该温度传感器在0~110℃的感温范围内具有3℃的仿真精度,版图面积为0.189 mm^(2),平均功耗为340.31μW,感温时间为550μs。文章设计的温度传感器满足DRAM对于内置温度传感器的要求,且大大降低了DRAM的生产成本。
文摘p53凋亡刺激蛋白2(apoptosis stimulating protein 2 of p53,ASPP2)能特异性地与p53蛋白结合并增强其促凋亡功能,进而发挥抗肿瘤作用.最近文献提示,自噬对肿瘤发生、发展及肿瘤细胞对抗肿瘤药物的反应都具有重要作用.在本研究中,甲基磺酸(MMS)处理HepG2细胞24 h后,用calcein AM/PI和M30染色检测细胞凋亡,可引起早期(M30免疫组化阳性)和晚期细胞凋亡(PI染色阳性).给HepG2细胞转染GFP-LC3质粒后,发现MMS处理24 h可引起自噬的发生.ASPP2腺病毒(rAd-ASPP2)感染HepG2细胞引起ASPP2过表达后,再用MMS处理24 h,能引起更明显的早期、晚期细胞凋亡和自噬.荧光定量PCR检测发现,rAd-ASPP2诱导了更高的BCL-2相关X蛋白基因(BAX)和p53蛋白的目的基因p53诱导的自噬调节蛋白(p53-induced modulator of autophagy,DRAM)的表达.但仅用rAd-ASPP2处理HepG2细胞不能引起自噬和凋亡.利用2条DRAM特异性的siRNA下调DRAM的表达,发现rAd-ASPP2引起的自噬被完全抑制,早期和晚期凋亡均部分被抑制,同时BAX的mRNA水平也明显下降.以上结果说明,ASPP2可通过上调BAX和DRAM基因的转录而促进MMS引起的HepG2细胞凋亡;另外,DRAM介导的自噬是ASPP2促进MMS引起的肿瘤细胞凋亡的机制之一.该研究可为肝癌的基因治疗提供新的思路.
