提出一种蓄电池充电控制芯片的设计,具有恒流、恒压、过压、浮充等多种不同充电模式,可以在外部微处理器的支持下针对不同种类电池和应用场合的需要实现电池的高效优化充电。讨论并给出了芯片的系统组成及主要电路的设计,在1.5μm 50 V ...提出一种蓄电池充电控制芯片的设计,具有恒流、恒压、过压、浮充等多种不同充电模式,可以在外部微处理器的支持下针对不同种类电池和应用场合的需要实现电池的高效优化充电。讨论并给出了芯片的系统组成及主要电路的设计,在1.5μm 50 V BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺下予以实现。测试结果表明芯片工作正常,电路功能及芯片预期的主要功能已成功实现。展开更多
研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么Logic EE IP的数据保持力将会失效。因此适当的SAB膜厚度对保证Logic EE...研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么Logic EE IP的数据保持力将会失效。因此适当的SAB膜厚度对保证Logic EE IP的数据保持力通过合格性测试非常重要。主要研究在标准工艺条件下,通过3种SAB膜厚(标准厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老衬底(标准厚度55 nm)、新衬底延长清洗时间(标准厚度55 nm)以及新衬底新生长材料的SAB膜(标准厚度55 nm)等试验,最终确定了在华虹宏力0.18μm BCD工艺平台上,当SAB膜厚度为100 nm时,Logic EE IP核的数据保持力通过了JEDEC标准的合格性测试。展开更多
文摘提出一种蓄电池充电控制芯片的设计,具有恒流、恒压、过压、浮充等多种不同充电模式,可以在外部微处理器的支持下针对不同种类电池和应用场合的需要实现电池的高效优化充电。讨论并给出了芯片的系统组成及主要电路的设计,在1.5μm 50 V BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺下予以实现。测试结果表明芯片工作正常,电路功能及芯片预期的主要功能已成功实现。
文摘研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么Logic EE IP的数据保持力将会失效。因此适当的SAB膜厚度对保证Logic EE IP的数据保持力通过合格性测试非常重要。主要研究在标准工艺条件下,通过3种SAB膜厚(标准厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老衬底(标准厚度55 nm)、新衬底延长清洗时间(标准厚度55 nm)以及新衬底新生长材料的SAB膜(标准厚度55 nm)等试验,最终确定了在华虹宏力0.18μm BCD工艺平台上,当SAB膜厚度为100 nm时,Logic EE IP核的数据保持力通过了JEDEC标准的合格性测试。
