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不同温度生长DKDP晶体的性质 被引量:2
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作者 程秀凤 徐明霞 +5 位作者 刘宝安 张清华 张剑锋 王正平 孙洵 许心光 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期129-133,共5页
用点籽晶快速生长法在不同温度区间生长了四块氘含量60%DKDP晶体,观察了不同温度下晶体生长过程,同时测量了晶体的透过光谱、摇摆曲线和1053nm激光损伤阈值。结果表明,在高温区间晶体生长外形优于低温生长的晶体。不同温区晶体的透过光... 用点籽晶快速生长法在不同温度区间生长了四块氘含量60%DKDP晶体,观察了不同温度下晶体生长过程,同时测量了晶体的透过光谱、摇摆曲线和1053nm激光损伤阈值。结果表明,在高温区间晶体生长外形优于低温生长的晶体。不同温区晶体的透过光谱并无明显变化,但是随着生长温度的降低,晶体的结构完整性变差,1053nm激光损伤阈值降低。 展开更多
关键词 dkdp晶体 温度 摇摆曲线 激光损伤阈值
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355 nm和1064 nm激光辐照下DKDP晶体的表面损伤特性
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作者 史晋芳 邱荣 +6 位作者 郭德成 周磊 蒋勇 周强 余健 陈元攀 谢准 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期25-32,共8页
利用Nd:YAG激光器研究了DKDP晶体元件在激光辐照下的表面损伤特性,对比研究了355 nm和1064 nm激光辐照下晶体元件的表面损伤形貌,分析了每种损伤形貌对应的前驱体和损伤机制。研究结果表明:相对于体损伤,晶体的表面损伤更加复杂,在脉宽... 利用Nd:YAG激光器研究了DKDP晶体元件在激光辐照下的表面损伤特性,对比研究了355 nm和1064 nm激光辐照下晶体元件的表面损伤形貌,分析了每种损伤形貌对应的前驱体和损伤机制。研究结果表明:相对于体损伤,晶体的表面损伤更加复杂,在脉宽约10 ns、损伤概率小于等于50%的激光能量密度辐照下,DKDP晶体的表面损伤主要有带坑底空腔损伤坑、表面损伤裂纹、平底损伤坑、表面烧蚀四种典型形貌。通过光学显微镜和扫描电子显微镜的成像和分析发现:带坑底空腔损伤坑和表面损伤裂纹的前驱体都是晶体体缺陷,平底损伤坑的前驱体则可能是表面加工裂纹、裂纹内碎屑、表层体缺陷等中的一种或多种,表面烧蚀主要由表面污染和浅表层缺陷形成。与熔石英光学元件一样,表面损伤仍然是晶体元件抗激光辐照损伤的薄弱环节。 展开更多
关键词 激光诱导表面损伤 dkdp晶体 损伤形貌 材料体缺陷 表面加工缺陷
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不同原料DKDP晶体的生长和损伤阈值 被引量:3
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作者 孙绍涛 季来林 +5 位作者 王正平 刘冰 牟晓明 孙洵 许心光 史崇德 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期755-759,共5页
采用传统降温法,利用不同原料从氘化程度为85%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并选取部分样品进行三倍频光损伤阈值测试。实验结果表明:不同纯度原料对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长溶液稳定性的影响效果相反,即由于... 采用传统降温法,利用不同原料从氘化程度为85%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并选取部分样品进行三倍频光损伤阈值测试。实验结果表明:不同纯度原料对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长溶液稳定性的影响效果相反,即由于原料中杂质金属离子含量的差别,高纯原料生长的晶体较一般原料生长的晶体损伤阈值可提高1.5倍,但其生长溶液的稳定性比一般原料低。 展开更多
关键词 dkdp晶体 损伤阈值 晶体生长 传统降温法 惯性约束聚变
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355 nm和1064 nm双波长预处理对DKDP晶体损伤性质的影响 被引量:2
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作者 李云飞 史晋芳 +3 位作者 邱荣 余健 郭德成 周磊 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期13-18,共6页
为了研究3ω预处理、3ω和1ω同时辐照预处理情况后DKDP晶体的3ω损伤特性,建立了双波长预处理和损伤测试实验系统,重点研究了双波长同时辐照预处理情况下1ω能量密度对预处理效果的影响,分析了双波长同时辐照预处理过程中的能量耦合机... 为了研究3ω预处理、3ω和1ω同时辐照预处理情况后DKDP晶体的3ω损伤特性,建立了双波长预处理和损伤测试实验系统,重点研究了双波长同时辐照预处理情况下1ω能量密度对预处理效果的影响,分析了双波长同时辐照预处理过程中的能量耦合机制。研究结果表明:双波长同时辐照预处理在提升DKDP晶体抗3ω激光损伤性能方面的效果明显好于单波长预处理;在双波长同时辐照预处理情况下,远低于自身预处理阈值的1ω参与了预处理作用过程;在相同3ω能量密度、能量阶梯的预处理策略下,1ω能量密度存在最佳值。 展开更多
关键词 激光诱导损伤 dkdp晶体 激光预处理 双波长激光 能量耦合效应
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不同脉冲宽度355 nm波长激光诱导DKDP晶体损伤特性 被引量:3
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作者 徐子媛 王岳亮 +1 位作者 赵元安 邵建达 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期19-25,共7页
研究了用于三倍混频的Ⅱ类DKDP晶体在35 ps,850 ps和7.6 ns三种不同脉宽355 nm波长激光作用下的损伤特性。实验对比分析了损伤阈值、概率和损伤针点形貌、尺寸和密度,并根据损伤阈值及概率得到前驱体阈值及密度。结果表明,前驱体的激光... 研究了用于三倍混频的Ⅱ类DKDP晶体在35 ps,850 ps和7.6 ns三种不同脉宽355 nm波长激光作用下的损伤特性。实验对比分析了损伤阈值、概率和损伤针点形貌、尺寸和密度,并根据损伤阈值及概率得到前驱体阈值及密度。结果表明,前驱体的激光能量吸收量与脉宽线性相关。35 ps激光作用下DKDP有一种前驱体吸收激光能量形成熔融状损伤针点。850 ps激光作用下有两种前驱体吸收激光能量并产生力学破坏形成中心熔融四周断裂的损伤针点。7.6 ns激光作用下只有一种前驱体吸收激光能量,并且形成的损伤针点与850 ps对应的损伤针点有相同特征。 展开更多
关键词 dkdp晶体 脉冲宽度 激光损伤特性 损伤针点形貌 前驱体
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不同方法DKDP晶体生长和损伤阈值 被引量:1
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作者 孙绍涛 季来林 +4 位作者 王正平 牟晓明 孙洵 许心光 史崇德 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期331-334,共4页
生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方... 生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方法对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长速度的影响效果正好相反,即由于生长溶液过饱和度的差别,点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍,但晶体损伤阈值下降了50%,且紫外波段透过性能下降明显。 展开更多
关键词 dkdp晶体 损伤阈值 晶体生长 惯性约束聚变
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薄片DKDP晶体前后表面损伤识别技术研究
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作者 万能 达争尚 +1 位作者 李红光 袁索超 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第8期109-113,共5页
在全内反射边缘照明的基础上,利用DKDP晶体的双折射特性,解决了区分DKDP晶体自身前后表面损伤的问题。紫外光入射到11 mm厚的DKDP晶体会分解为o光和e光,并在出射面产生254.738μm(理论值)的偏离量。这个偏离量导致DKDP晶体后表面损伤在... 在全内反射边缘照明的基础上,利用DKDP晶体的双折射特性,解决了区分DKDP晶体自身前后表面损伤的问题。紫外光入射到11 mm厚的DKDP晶体会分解为o光和e光,并在出射面产生254.738μm(理论值)的偏离量。这个偏离量导致DKDP晶体后表面损伤在CCD上成双像(一个是o光成像,另一个是e光成像),可以用偏振片对双像进行调制;DKDP晶体前表面损伤在CCD上只有单像,不受偏振调制影响。通过偏振调制,可以避免重复提取同一个损伤信息,提高损伤识别精度。实验证明:该方法可以区分厚度为11 mm的DKDP晶体前后表面损伤。 展开更多
关键词 dkdp晶体 双折射 偏振 损伤检测 前后表面
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异型籽晶DKDP晶体的激光损伤
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作者 孙绍涛 季来林 +4 位作者 王正平 牟晓明 孙洵 许心光 史崇德 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期437-439,共3页
籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分II类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观... 籽晶是影响K(DxH1-x)2PO4(DKDP)晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。该文采用传统降温法,分别利用Z片和[101]晶片作为籽晶,从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并加工部分II类3倍频晶片样品,进行了3倍频光损伤阈值测试和损伤形貌观测的实验。结果表明,相较于Z片籽晶,[101]晶片作为籽晶所得晶体样品光损伤阈值提高1.54倍且能有效缩短晶体的生长周期。 展开更多
关键词 K(DxH1-x)2PO4(dkdp)晶体 损伤阈值 晶体生长 籽晶
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