题名 湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究
被引量：2
1
作者
高丽艳 陈国鹰 花吉珍 张世祖 郭艳菊
机构
河北工业大学信息工程学院微电子所 中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期41-44,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60476025) 河北省自然科学基金资助项目(603080)
文摘
论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。
关键词
化学湿法腐蚀 dfb半导体激光器 扫描电子显微镜 电了束光刻
Keywords
wet chemical etching dfb semiconductor lasers SEM electron lithographic
分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
题名 两段式DFB半导体激光器波长调谐实验研究
被引量：3
2
作者
罗斌 吕鸿昌 杨新民
机构
西南交通大学计算机与通信工程学院 武汉电信器件公司
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
1997年第8期30-32,共3页
基金
铁道部科技发展计划资助
文摘
采用国产普通折射率耦合型两段式DFB半导体激光器进行了波长调谐实验研究，实验结果表明，通过分别调节激光器两段的工作电流，不仅可以使器件单模工作，而且还能进行波长调谐。波长调谐范围为6．2nm，连续波长调谐范围为0．9nm。
关键词
两段式dfb半导体激光器 波长调谐
Keywords
Two-segment dfb semiconductor lasers, Wavelength tuning
分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
题名 取样结构λ/8 DFB半导体激光器特性研究
被引量：2
3
作者
易准 卢林林 俞力
机构
江苏省邮电规划设计院有限责任公司
出处
《光通信技术》
北大核心
2015年第11期37-39,共3页
文摘
研究了基于取样光栅结构的λ/8相移DFB半导体激光器的调制特性。实验结果表明,λ/8 DFB半导体激光器单模特性良好,边模抑制比在45d B以上。在70m A的注入电流情况下,激光器的调制带宽达到16GHz,其无杂散动态范围也达到87d B/Hz2/3。
关键词
λ/8相移 取样光栅 dfb半导体激光器
Keywords
λ/8 phaseshift, sampling grating, dfb semiconductor laser
分类号
TN248
[电子电信—物理电子学]
题名 氧化锌单晶DFB半导体激光器的设计与分析
被引量：1
4
作者
杨海艳 胡芳仁 郑煌晏 朱敏杰 陈凯文
机构
南京邮电大学光电工程学院
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第9期1045-1048,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.61274121) 江苏省自然科学基金资助项目(No.BK2012829) 南京邮电大学人才引进科研启动基金资助项目(No.NY212007)资助
文摘
基于严格耦合波理论(RCWA)和介质平板波导理论,针对光通信中的1550 nm波长,设计了一种基于氧化锌(Zn O)单晶的分布反馈式(DFB)半导体激光器的光栅结构,分析了二维电场模式图以及激射波长线宽图,得到了光栅结构的变化对其单纵模传输的影响。仿真结果表明,当光栅的周期为489 nm,占空比为50%,光栅深度为400 nm时,全局电场能量达到了8.3×107J,光谱线宽小于0.1。该激光器具有很好的窄线宽输出以及波长选择特性。理论分析与仿真结果基本一致为后期进行该器件的制备提供了较好的参考。
关键词
严格耦合波理论 dfb半导体激光器 氧化锌单晶 1550 nm波长
Keywords
Rigorous Coupled-wave Theory dfb Laser Zinc Oxide signal-crystal 1550 nm wavelength
分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
题名 全息曝光实现的20波长DFB半导体激光器阵列
5
作者
卢林林
机构
江苏省邮电规划设计院有限责任公司
出处
《激光杂志》
北大核心
2017年第1期5-7,共3页
基金
国家自然科学基金(61090392)
文摘
报道了一种基于全息曝光技术实现的20波长分布反馈式(DFB)半导体激光器阵列。传统的DFB半导体激光器光栅一般是利用电子束曝光的方式来实现,这种方式精度较高,然而成本昂贵并且非常耗时,不适合大规模生产应用,而全息方式制作容易,成本很低,适合大规模生产应用。实验结果表明,利用全息曝光技术实现的DFB激光器阵列具有良好的光电特性,激光器阵列的波长偏差在-0.5 nm至0.45 nm,阈值电流在13m A至17 m A,斜效率为0.4 W/A;50 m A偏置电流下,边模抑制比都大于40 d B。
关键词
dfb半导体激光器 阵列全息曝光 取样光栅
Keywords
dfb semiconductor laser array common holographic exposure sampling grating
分类号
TN209
[电子电信—物理电子学]
题名 基于单边带调制的前馈技术压缩半导体激光器线宽
被引量：2
6
作者
袁其平 吴丽娜 童峥嵘 曹晔 张卫华
机构
天津理工大学电子信息工程学院 天津理工大学薄膜电子与通信器件重点实验室及智能计算及软件新技术重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014年第6期1699-1703,共5页
基金
天津市自然科学基金(11JCYBJC00100) 天津青年基金(13JCQNJC01800)
文摘
提出了一种基于电光单边带调制的前馈线宽压缩系统,该系统主要包括相位噪声检测和单边带调制两大部分。相位噪声检测部分输出一个与相位误差成比例的误差电压信号,电压信号通过线性调频作用于单边带强度调制器,实现对激光信号的调制。单边带调制器采用马赫增德尔强度调制器的结构,相当于内嵌四个相位调制器,通过相位调制达到强度调制的目的,最终得到线宽压缩的激光信号。实验针对波长为1552.52nm、功率10mW的分布反馈(DFB)半导体激光器,通过对闭环系统的搭建与仿真,激光器的线宽从原来的0.5nm减小到0.016nm,实现了对半导体激光器线宽的压窄。
关键词
dfb半导体激光器 单边带调制 前馈技术 频率噪声 线宽
Keywords
dfb semiconductor signal side-band modulation feed-forward technology frequency noise line-width
分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
题名 半导体激光器在光孤子通信中的应用
被引量：2
7
作者
尹庆林 王玲 徐大伟
机构
东北电子技术研究所 海军驻锦州地区军事代表室
出处
《光电技术应用》
2010年第2期18-20,24,共4页
文摘
分析了光纤通信中光源的特性.从光的相干性开始,对发光二极管(LED)和半导体激光器(LD)的原理、结构、性能和耦合效率进行对比,得出半导体激光器的特点,发现半导体激光器更适合于大容量、长距离传输的光通信系统.半导体激光器在新一代光纤通信系统——光孤子通信系统中,无论是作为光孤子光源还是EDFA的泵浦源,都发挥着重要的作用.未来半导体激光器将发挥着更重要的作用.
关键词
光纤通信 光源 LED 半导体 激光器 谐振腔 光孤子 dfb半导体激光器 EDFA
Keywords
fiber optic communications light source light-emitting diode（LED） laser diodes（LD） optical soliton EDFA
分类号
TN248
[电子电信—物理电子学]
O572.31
[理学—粒子物理与原子核物理]
题名 时分副载波半导体DFB激光多路波长锁定器
8
作者
蔡浒 赵天鹏 谢建平 明海
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期711-714,共4页
文摘
我们研制成功8路时分副载波半导体DFB激光器波长锁定器.用1kHz正弦时分电信号,分别对8个1.55μm波段的DFB激光器进行1％的幅度调制,每个DFB激光2％的光信号分成两路,一路通过自由光谱区为100 GHz的F-P标准具,另一路作参考光,两路的光电差分信号反馈控制DFB激光器的温度,使每个DFB激光器锁定在各自所需的波长上.测试结果表明波长锁定的激光频率间隔100 GHz,波长锁定精度优于±2.5GHz。该方法同样适用于50GHz频率间隔和更多路的波长锁定.本文着重介绍该锁定器的光电信号处理和控制方法.
关键词
时分副载波 半导体 dfb 激光器 波长锁定器 波分复用
Keywords
wavelength division multiplex (WDM) time division sub-carrier semiconductor dfb laser wavelength lock
分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
