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一种应用于毫米波雷达的小型化模拟基带电路
被引量：
1
1
作者
李菲
马凯学
+1 位作者
刘兵
张新
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期633-641,共9页
基于28 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺实现了一种应用于毫米波雷达接收机的小型化模拟基带电路,该电路包括三级内嵌有直流失调消除(DC Offset Cancellation,DCOC)电路的可编程增益放大器...
基于28 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺实现了一种应用于毫米波雷达接收机的小型化模拟基带电路,该电路包括三级内嵌有直流失调消除(DC Offset Cancellation,DCOC)电路的可编程增益放大器和六阶巴特沃斯型低通滤波器,实现可重构的增益和带宽.在模拟基带中采用可复用的电阻和电容阵列,并在直流失调消除环路中引入工作在亚阈值区的晶体管作为有源电阻,大幅减小了芯片的面积.测试结果表明,该模拟基带在0.1 mm^(2)的面积下实现了-0.6~68.4 dB的增益范围、5.8 dB的增益步进、500 kHz~17 MHz的带宽调节范围和22.4 dBm的输出三阶交调点,在1.8 V电源电压下消耗的功耗为12 mW.
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关键词
模拟基带
可编程增益放大器
低通滤波器
dcoc
小型化
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职称材料
题名
一种应用于毫米波雷达的小型化模拟基带电路
被引量：
1
1
作者
李菲
马凯学
刘兵
张新
机构
天津大学微电子学院
出处
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期633-641,共9页
基金
国家重点研发计划(2018YFB2202500)。
文摘
基于28 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺实现了一种应用于毫米波雷达接收机的小型化模拟基带电路,该电路包括三级内嵌有直流失调消除(DC Offset Cancellation,DCOC)电路的可编程增益放大器和六阶巴特沃斯型低通滤波器,实现可重构的增益和带宽.在模拟基带中采用可复用的电阻和电容阵列,并在直流失调消除环路中引入工作在亚阈值区的晶体管作为有源电阻,大幅减小了芯片的面积.测试结果表明,该模拟基带在0.1 mm^(2)的面积下实现了-0.6~68.4 dB的增益范围、5.8 dB的增益步进、500 kHz~17 MHz的带宽调节范围和22.4 dBm的输出三阶交调点,在1.8 V电源电压下消耗的功耗为12 mW.
关键词
模拟基带
可编程增益放大器
低通滤波器
dcoc
小型化
Keywords
analog baseband
programmable gain amplifier
low⁃pass filter
dcoc
miniaturization
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
TN713 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种应用于毫米波雷达的小型化模拟基带电路
李菲
马凯学
刘兵
张新
《南京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
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