期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
1.3μm InGaAsP/InP DCC结构半导体激光器
被引量：
1
1
作者
刘益春
张月清
+1 位作者
何胜夫
朱有才
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期75-78,共4页
用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T_0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生...
用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T_0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生的过热载流子在第二有源区内辐射复合参与激射的机会;降低了这些热载流子进入限制层产生损耗的几率,提高了T_0值,说明了DCC结构激光器阈值以下特征EL光谱半宽度与注入电流密度的关系并讨论了两个有源区组分匹配及薄夹层厚度对特征温度T_0和阈值电流的影响。
展开更多
关键词
半导体
激光器
dcc结构
INGAASP
在线阅读
下载PDF
职称材料
1.3μm InGaAsP DCC结构半导体激光器的远场分布
2
作者
刘春光
白金昌
+1 位作者
刘益春
陈大伟
《东北师大学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1999年第1期42-45,共4页
采用强耦合方法，计算了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣＣ双源五层平面波导结构半导体激光器的远场分布，得到了薄夹层厚度与空间发散角的依赖关系．理论计算与实验结果进行了对比，二者具有很好的一致性．分析了ＤＣＣ结构半导体激光器第...
采用强耦合方法，计算了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣＣ双源五层平面波导结构半导体激光器的远场分布，得到了薄夹层厚度与空间发散角的依赖关系．理论计算与实验结果进行了对比，二者具有很好的一致性．分析了ＤＣＣ结构半导体激光器第一有源区的激励作用和第二有源区Ｆ－Ｐ腔标准具的选模作用及双有源区对空间发散角的影响．
展开更多
关键词
INGAASP
半导体激光器
dcc结构
远场分布
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
1.3μm InGaAsP/InP DCC结构半导体激光器
被引量：
1
1
作者
刘益春
张月清
何胜夫
朱有才
机构
东北师范大学物理系
中国科学院长春物理研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期75-78,共4页
文摘
用普通的LPE技术,严格控制两个有源区组分的匹配、各层掺杂浓度及生长条件,获得了1.3μm双载流子限制DCC结构半导体激光器(T_0=150K)。此结构中第二有源区形成的势阱对热载流子具有二次限制作用,增加了第一个有源区泄漏和俄歇过程产生的过热载流子在第二有源区内辐射复合参与激射的机会;降低了这些热载流子进入限制层产生损耗的几率,提高了T_0值,说明了DCC结构激光器阈值以下特征EL光谱半宽度与注入电流密度的关系并讨论了两个有源区组分匹配及薄夹层厚度对特征温度T_0和阈值电流的影响。
关键词
半导体
激光器
dcc结构
INGAASP
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
1.3μm InGaAsP DCC结构半导体激光器的远场分布
2
作者
刘春光
白金昌
刘益春
陈大伟
机构
东北师范大学物理系
白求恩医科大学预防医学院
出处
《东北师大学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1999年第1期42-45,共4页
基金
吉林省科委基础研究项目
文摘
采用强耦合方法，计算了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣＣ双源五层平面波导结构半导体激光器的远场分布，得到了薄夹层厚度与空间发散角的依赖关系．理论计算与实验结果进行了对比，二者具有很好的一致性．分析了ＤＣＣ结构半导体激光器第一有源区的激励作用和第二有源区Ｆ－Ｐ腔标准具的选模作用及双有源区对空间发散角的影响．
关键词
INGAASP
半导体激光器
dcc结构
远场分布
Keywords
InGaAsP
semiconductor laser
space conherence effect
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1.3μm InGaAsP/InP DCC结构半导体激光器
刘益春
张月清
何胜夫
朱有才
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
1.3μm InGaAsP DCC结构半导体激光器的远场分布
刘春光
白金昌
刘益春
陈大伟
《东北师大学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1999
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
