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基于X射线短时照射的高压直流GIS/GIL绝缘子表面电荷主动消散方法
被引量：
17
1
作者
汪沨
梁芳蔚
+2 位作者
钟理鹏
陈赦
谢亿
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第14期3147-3151,共5页
直流气体绝缘开关装置及气体绝缘输电管道(GIS/GIL)绝缘子长期运行过程中会积聚大量表面电荷,易引起绝缘子异常闪络。近年来国内外学者开展了大量卓有成效的工作,深刻揭示了绝缘子表面电荷的积聚和消散机理,但GIS/GIL不打开罐体条件下,...
直流气体绝缘开关装置及气体绝缘输电管道(GIS/GIL)绝缘子长期运行过程中会积聚大量表面电荷,易引起绝缘子异常闪络。近年来国内外学者开展了大量卓有成效的工作,深刻揭示了绝缘子表面电荷的积聚和消散机理,但GIS/GIL不打开罐体条件下,绝缘子表面电荷的快速消散问题一直没有解决。该文首次提出基于X射线短时照射的绝缘子表面电荷主动消散新方法,试验研究发现X射线照射30s即能使空气中绝缘子表面电荷几乎完全消散。对基于X射线照射的绝缘子表面电荷消散机理进行了探讨,认为X射线可能通过促进气体侧电荷沿传导及绝缘子表面电荷脱陷而实现其快速消散。由于X射线能够穿透GIS/GIL金属罐体,相关实验结果为GIS/GIL不打开罐体条件下实现绝缘子表面电荷快速消散提供了可能途径,对进一步推进直流GIS/GIL工程化具有重要意义。
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关键词
直流
gis/
gil
绝缘子
表面电荷
X射线
主动消散
在线阅读
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职称材料
直流GIS/GIL盆式绝缘子表面电荷主导积聚方式的转变机理
被引量：
19
2
作者
罗毅
唐炬
+2 位作者
潘成
林生军
王忠强
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第23期5039-5048,共10页
构建气体侧传导(包含气体载流子产生、扩散、漂移、复合等输运过程)、绝缘材料体传导和表面传导共存条件下盆式绝缘子表面电荷积聚仿真模型,研究了三种参数变化条件下表面积聚特性。仿真表明,当气体中离子对生成率和绝缘子体电导率改变...
构建气体侧传导(包含气体载流子产生、扩散、漂移、复合等输运过程)、绝缘材料体传导和表面传导共存条件下盆式绝缘子表面电荷积聚仿真模型,研究了三种参数变化条件下表面积聚特性。仿真表明,当气体中离子对生成率和绝缘子体电导率改变时,绝缘子表面电荷极性会发生改变。在此过程中,表面电荷积聚主导途径会在气体侧传导和绝缘子体传导之间转变。根据净电荷值的规律分别定义离子对生成率和体电导率改变时积聚途径改变的临界值,由于电场分布的差异导致上表面及下表面的临界离子对生成率不同,临界体电导率为5.76×10-18S/m。当绝缘子表面电导率增大时,表面传导对电荷积聚的影响逐渐增大,可以推测出表面电导率足够大时,电荷积聚主导机理会转变为表面传导。该研究有助于理解表面电荷的积聚机理,并能够为抑制电荷积聚提供新的思路。
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关键词
直流
gis/
gil
表面电荷积聚
离子对生成率
表面电导率
体电导率
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职称材料
题名
基于X射线短时照射的高压直流GIS/GIL绝缘子表面电荷主动消散方法
被引量：
17
1
作者
汪沨
梁芳蔚
钟理鹏
陈赦
谢亿
机构
湖南大学电气与信息工程学院
湖南省电力有限公司电力科学研究院
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第14期3147-3151,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51677061)。
文摘
直流气体绝缘开关装置及气体绝缘输电管道(GIS/GIL)绝缘子长期运行过程中会积聚大量表面电荷,易引起绝缘子异常闪络。近年来国内外学者开展了大量卓有成效的工作,深刻揭示了绝缘子表面电荷的积聚和消散机理,但GIS/GIL不打开罐体条件下,绝缘子表面电荷的快速消散问题一直没有解决。该文首次提出基于X射线短时照射的绝缘子表面电荷主动消散新方法,试验研究发现X射线照射30s即能使空气中绝缘子表面电荷几乎完全消散。对基于X射线照射的绝缘子表面电荷消散机理进行了探讨,认为X射线可能通过促进气体侧电荷沿传导及绝缘子表面电荷脱陷而实现其快速消散。由于X射线能够穿透GIS/GIL金属罐体,相关实验结果为GIS/GIL不打开罐体条件下实现绝缘子表面电荷快速消散提供了可能途径,对进一步推进直流GIS/GIL工程化具有重要意义。
关键词
直流
gis/
gil
绝缘子
表面电荷
X射线
主动消散
Keywords
dc
gas
insulated
switchgear/
gas
insulated
transmission
line
(
gis/
gil
)
insul
ator
surface charge
X-ray
active dissipation
分类号
TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
直流GIS/GIL盆式绝缘子表面电荷主导积聚方式的转变机理
被引量：
19
2
作者
罗毅
唐炬
潘成
林生军
王忠强
机构
武汉大学电气与自动化学院
平高集团有限公司
国家电网高压开关绝缘设备材料实验室(平高集团有限公司)
国网河南省电力公司
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第23期5039-5048,共10页
基金
国家自然科学基金(51877156)
中国电机工程学会青年人才托举工程(2018025)
国家电网公司总部科技项目(PGKJ2018-151)资助
文摘
构建气体侧传导(包含气体载流子产生、扩散、漂移、复合等输运过程)、绝缘材料体传导和表面传导共存条件下盆式绝缘子表面电荷积聚仿真模型,研究了三种参数变化条件下表面积聚特性。仿真表明,当气体中离子对生成率和绝缘子体电导率改变时,绝缘子表面电荷极性会发生改变。在此过程中,表面电荷积聚主导途径会在气体侧传导和绝缘子体传导之间转变。根据净电荷值的规律分别定义离子对生成率和体电导率改变时积聚途径改变的临界值,由于电场分布的差异导致上表面及下表面的临界离子对生成率不同,临界体电导率为5.76×10-18S/m。当绝缘子表面电导率增大时,表面传导对电荷积聚的影响逐渐增大,可以推测出表面电导率足够大时,电荷积聚主导机理会转变为表面传导。该研究有助于理解表面电荷的积聚机理,并能够为抑制电荷积聚提供新的思路。
关键词
直流
gis/
gil
表面电荷积聚
离子对生成率
表面电导率
体电导率
Keywords
dc
gas
insulated
switchgear
(
gis
)
/gas
insulated
transmission
line
(
gil
)
surface charge accumulation
ion pair generation rate
surface conductivity
volume conductivity
分类号
TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于X射线短时照射的高压直流GIS/GIL绝缘子表面电荷主动消散方法
汪沨
梁芳蔚
钟理鹏
陈赦
谢亿
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2020
17
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
直流GIS/GIL盆式绝缘子表面电荷主导积聚方式的转变机理
罗毅
唐炬
潘成
林生军
王忠强
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2019
19
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职称材料
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