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化学水浴法制备CuxS薄膜
1
作者
汤会香
严密
+2 位作者
张辉
王志浩
杨德仁
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第z1期70-72,共3页
CuInS2薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料.为了用化学水浴法制备CuIn岛薄膜,该文研究了化学水浴法制备CuxS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分,并且对薄膜的光学性质进行了讨论.
关键词
化学水浴法
cuxs薄膜
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职称材料
电沉积法制备Cu_xS薄膜及其性质研究
2
作者
张辉
汤会香
+2 位作者
马向阳
杨尚炯
杨德仁
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期444-447,共4页
利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),...
利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。
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关键词
电沉积
cuxs薄膜
相结构
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职称材料
由离子注入引起的Cu_xS薄膜的状态变化
3
作者
屈晓声
李德杰
姚保纶
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期285-287,共3页
讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比...
讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的 Cux S状态出现。
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关键词
cuxs薄膜
离子注入
透射率
状态变化
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职称材料
RF磁控溅射工艺对TiNi_(1-x)Cu_x合金薄膜组织形貌的影响
被引量:
3
4
作者
李亚东
崔大奎
骆苏华
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2002年第3期295-298,共4页
采用RF磁控溅射技术制备了TiNi(1-x)Cux合金薄膜,利用扫描电镜、电子能谱仪和XRD技术分析研究了RF磁控溅射工艺对TiNi(1-x)Cux合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明:在基片不加热的条件下溅射薄膜组织结构为非晶,并呈柱状形貌垂直于基...
采用RF磁控溅射技术制备了TiNi(1-x)Cux合金薄膜,利用扫描电镜、电子能谱仪和XRD技术分析研究了RF磁控溅射工艺对TiNi(1-x)Cux合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明:在基片不加热的条件下溅射薄膜组织结构为非晶,并呈柱状形貌垂直于基片生长;经650~720℃,3 min退火处理后,薄膜均发生晶化转变;在他它条件相同的情况下,溅射功率和工作气压对薄膜组织形貌有很大影响;薄膜的柱状单胞直径、薄膜厚度和生长速度均随溅射功率的增长而增长,但当溅射功率一定时,工作气压增加使柱状单胞直径、薄膜厚度和薄膜的生长速率显著减小;RF磁控溅射过程中,沉积原子的活性及其沉积速率是影响薄膜组织形貌的主要原因.
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关键词
RF磁控溅射工艺
TiNi(1-x)
cux
合金
薄膜
组织形貌
钛镍铜合金
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职称材料
二次蒸发制备的CU_xS薄膜特性研究
被引量:
1
5
作者
田宏
《大连铁道学院学报》
2001年第2期87-89,101,共4页
在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜.硫在衬底温度为l60℃~200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜.实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系,160℃时生成的CuxS呈黄绿色...
在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜.硫在衬底温度为l60℃~200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜.实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系,160℃时生成的CuxS呈黄绿色,而在190℃左右生成的多晶状的CuxS膜,颜色为深绿色.通过XRD、SEM、TS等方法对样品的组织结构进行了研究和讨论.
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关键词
cuxs薄膜
两次蒸发
光电性
制备
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职称材料
离子注入对Cu_xS薄膜特性的影响
6
作者
田宏
屈晓声
《大连铁道学院学报》
2000年第4期73-75,共3页
讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上.实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变,很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大.
关键词
cuxs薄膜
离子注入
相变
半导体
薄膜
氮离子束
改性
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职称材料
题名
化学水浴法制备CuxS薄膜
1
作者
汤会香
严密
张辉
王志浩
杨德仁
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第z1期70-72,共3页
基金
国家"863"资助项目(2001AA513023).
文摘
CuInS2薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料.为了用化学水浴法制备CuIn岛薄膜,该文研究了化学水浴法制备CuxS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分,并且对薄膜的光学性质进行了讨论.
关键词
化学水浴法
cuxs薄膜
分类号
TK519 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
电沉积法制备Cu_xS薄膜及其性质研究
2
作者
张辉
汤会香
马向阳
杨尚炯
杨德仁
机构
硅材料国家重点实验室
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期444-447,共4页
基金
国家863资助项目No.(2001AA513023)
文摘
利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。
关键词
电沉积
cuxs薄膜
相结构
Keywords
Annealing
Copper compounds
Electrodeposition
Fabrication
Thin films
分类号
TK511.4 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
由离子注入引起的Cu_xS薄膜的状态变化
3
作者
屈晓声
李德杰
姚保纶
机构
清华大学电子工程系
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期285-287,共3页
文摘
讨论了 Cux S薄膜注入氮离子对薄膜特性的影响。铜硫化合物薄膜经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现 ,氮离子束注入引起了 Cux S薄膜中铜与硫成分的改变 ,明显观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。透射光谱分析对比证实确有新的 Cux S状态出现。
关键词
cuxs薄膜
离子注入
透射率
状态变化
Keywords
Cu xS thin films,ion implantation,phase transposition,transmissivity.
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
RF磁控溅射工艺对TiNi_(1-x)Cu_x合金薄膜组织形貌的影响
被引量:
3
4
作者
李亚东
崔大奎
骆苏华
机构
苏州大学材料工程学院
韩国全北国立大学工学院
苏州大学物理系
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2002年第3期295-298,共4页
文摘
采用RF磁控溅射技术制备了TiNi(1-x)Cux合金薄膜,利用扫描电镜、电子能谱仪和XRD技术分析研究了RF磁控溅射工艺对TiNi(1-x)Cux合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明:在基片不加热的条件下溅射薄膜组织结构为非晶,并呈柱状形貌垂直于基片生长;经650~720℃,3 min退火处理后,薄膜均发生晶化转变;在他它条件相同的情况下,溅射功率和工作气压对薄膜组织形貌有很大影响;薄膜的柱状单胞直径、薄膜厚度和生长速度均随溅射功率的增长而增长,但当溅射功率一定时,工作气压增加使柱状单胞直径、薄膜厚度和薄膜的生长速率显著减小;RF磁控溅射过程中,沉积原子的活性及其沉积速率是影响薄膜组织形貌的主要原因.
关键词
RF磁控溅射工艺
TiNi(1-x)
cux
合金
薄膜
组织形貌
钛镍铜合金
Keywords
RF magnetron sputtering
TiNi(1-x)
cux
alloy films
morphologies
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
二次蒸发制备的CU_xS薄膜特性研究
被引量:
1
5
作者
田宏
机构
大连铁道学院电气工程系
出处
《大连铁道学院学报》
2001年第2期87-89,101,共4页
文摘
在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备CuxS薄膜.硫在衬底温度为l60℃~200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应,生成CuxS薄膜.实验发现,生成的CuxS薄膜与衬底温度有很大关系,160℃时生成的CuxS呈黄绿色,而在190℃左右生成的多晶状的CuxS膜,颜色为深绿色.通过XRD、SEM、TS等方法对样品的组织结构进行了研究和讨论.
关键词
cuxs薄膜
两次蒸发
光电性
制备
Keywords
Cu_xS thin film
twice evaporation processing
photoelectricity
分类号
O484 [理学—固体物理]
在线阅读
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职称材料
题名
离子注入对Cu_xS薄膜特性的影响
6
作者
田宏
屈晓声
机构
大连铁道学院电气信息工程分院
清华大学电子工程系
出处
《大连铁道学院学报》
2000年第4期73-75,共3页
文摘
讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上.实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变,很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大.
关键词
cuxs薄膜
离子注入
相变
半导体
薄膜
氮离子束
改性
Keywords
cuxs
thin films
ion implantation
phase transiti
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学水浴法制备CuxS薄膜
汤会香
严密
张辉
王志浩
杨德仁
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
2
电沉积法制备Cu_xS薄膜及其性质研究
张辉
汤会香
马向阳
杨尚炯
杨德仁
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
3
由离子注入引起的Cu_xS薄膜的状态变化
屈晓声
李德杰
姚保纶
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
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职称材料
4
RF磁控溅射工艺对TiNi_(1-x)Cu_x合金薄膜组织形貌的影响
李亚东
崔大奎
骆苏华
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2002
3
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职称材料
5
二次蒸发制备的CU_xS薄膜特性研究
田宏
《大连铁道学院学报》
2001
1
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职称材料
6
离子注入对Cu_xS薄膜特性的影响
田宏
屈晓声
《大连铁道学院学报》
2000
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职称材料
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