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Mg掺杂氧化镓研究进展: 1; 作者孙汝军张晶辉 +2 位作者李一帆郝跃张进成《人工晶体学报》北大核心 2025年第3期361-370,共10页; 氧化镓(Ga_(2)O_(3))材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度,在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电,但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N... 展开更多; 关键词氧化镓 Mg掺杂半绝缘衬底电流阻挡层电学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响被引量：5: 2; 作者曹伟伟朱彦旭 +4 位作者郭伟玲刘建朋俞鑫邓叶徐晨《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期480-483,共4页; 电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与... 展开更多; 关键词发光二极管(LED) 电流阻挡层(cbl) 光效; 在线阅读下载PDF 职称材料

TiCl_4水解法制备的阻挡层对染料敏化太阳能电池光电性能的影响被引量：12: 3; 作者陈东坡张晓丹 +2 位作者魏长春刘彩池赵颖《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期425-431,共7页; 通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外... 展开更多; 关键词染料敏化太阳能电池阻挡层 TIO2薄膜暗电流 TICL4; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压XLPE电缆阻水缓冲层电–热场分析及模拟烧蚀试验研究被引量：42: 4; 作者刘英陈佳美《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期1260-1270,共11页; 近年来,高压交联聚乙烯波纹铝护套电缆中由于阻水缓冲层烧蚀引发的故障屡见不鲜,且烧蚀部位多集中于缓冲层与铝护套紧密接触位置。为充分了解烧蚀故障的成因机理,对故障检测与预防提供理论与数据支撑,该文首先通过电–热场耦合仿真,探... 展开更多; 关键词阻水缓冲层电流集中局部温升模拟烧蚀实验电–热场分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计被引量：6: 5; 作者徐正文曲轶 +2 位作者王钰智高婷王鑫《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第4期1094-1098,共5页; 设计了980 nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器,并在结构中插入电流阻挡层,有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980 nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟,与传统的980 nm对称宽波导量子阱激光器相比,非对称宽波导量子阱... 展开更多; 关键词非对称宽波导激光器高功率电流阻挡层; 在线阅读下载PDF 职称材料

电流阻挡层对大功率LED光电热特性的影响被引量：1: 6; 作者杨新郭伟玲 +3 位作者王嘉露邓杰邰建鹏孙捷《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期368-372,共5页; LED芯片作为LED光源的核心,其质量直接决定了器件的性能、寿命等,因此在内量子效率已达到高水平的情况下,致力于提高光提取效率是推动LED芯片技术发展的关键一步。由于蓝宝石衬底具有绝缘特性,传统LED将N和P电极做在芯片出光面的同一侧... 展开更多; 关键词大功率LED 电流阻挡层(cbl) 光功率光谱热阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有反射电极的高亮度LED芯片设计被引量：4: 7; 作者陈才佳李珅 +1 位作者王静辉李晓波《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期361-364,共4页; 根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率... 展开更多; 关键词电流阻挡层 Al反射镜反射电极化学气相沉积(CVD) 电子束蒸发; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Mg掺杂氧化镓研究进展: 1; 作者孙汝军张晶辉李一帆郝跃张进成; 机构西安电子科技大学西安电子科技大学集成电路学部; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第3期361-370,共10页; 基金国家自然科学基金(62204186) 陕西省三秦英才引进计划青年项目 +1 种基金中央高校基本科研业务费专项资金(ZYTS23027)。; 文摘氧化镓(Ga_(2)O_(3))材料具有超宽禁带宽度、高击穿电场强度,在电力电子器件和光电器件领域具有巨大应用前景。虽然氧化镓难以实现p型导电,但仍可以利用p型掺杂调控能带实现电学性能设计。实验上已验证的氧化镓p型掺杂杂质有Mg、Fe、N、Zn、Cu、Ni、Co等,其中,Mg掺杂由于形成能最低、能级位置最靠近价带顶,以及掺入方法多而被大量研究。本文聚焦Mg掺杂,首先对Mg掺杂氧化镓的受主能级的理论计算认识和实验测试结果进行综述;接着总结了Mg掺杂氧化镓半绝缘单晶和外延层的各种掺杂方法、掺杂浓度,以及在热处理中Mg扩散等关键问题;最后指出关于Mg掺入、激活及扩散机制还值得进一步研究,并对其未来进行了展望。; 关键词氧化镓 Mg掺杂半绝缘衬底电流阻挡层电学性能; Keywords Ga_(2)O_(3) Mg doping semi-insulating substrate current blocking layer electrical property; 分类号 O483 [理学—固体物理] O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响被引量：5: 2; 作者曹伟伟朱彦旭郭伟玲刘建朋俞鑫邓叶徐晨; 机构北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期480-483,共4页; 基金北京市教委基金(KM201210005004) 国家自然科学基金(61107026) 国家科技支撑计划(2011BAE01B14)资助项目; 文摘电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响。本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL。通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6%。; 关键词发光二极管(LED) 电流阻挡层(cbl) 光效; Keywords light-emitting diodes（ LEDs）, current blocking layer（ cbl）, luminous efficacy; 分类号 TN383.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TiCl_4水解法制备的阻挡层对染料敏化太阳能电池光电性能的影响被引量：12: 3; 作者陈东坡张晓丹魏长春刘彩池赵颖; 机构南开大学光电子薄膜器件与技术研究所河北工业大学信息功能材料研究所; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期425-431,共7页; 基金国家高技术研究发展规划(863)(2007AA05Z436,2009AA050602) 国家重点基础研究发展规划(973)(2006CB202602,2006CB202603) +1 种基金国家自然科学基金(60976051) 教育部新世纪人才计划(NCET-08-0295)资助项目~~; 文摘通过不同浓度的TiCl4溶液水解,在光阳极导电玻璃(FTO)基底上制备了阻挡层薄膜,以此来抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应,采用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射分别测试了阻挡层薄膜的组成,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试了阻挡层的形貌和对光的透过率,在AM1.5和暗环境下分别测试了染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电性能.实验结果表明:用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜;阻挡层薄膜的形貌随着TiCl4溶液浓度的增加而改变,它的厚度随着TiCl4溶液浓度的增加而增加;引入阻挡层后,FTO对光的透过率都会下降;这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能,用0.04 mo·lL-1的TiCl4溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显,电池在AM1.5的条件下测试,转换效率最高7.84%.; 关键词染料敏化太阳能电池阻挡层 TIO2薄膜暗电流 TICL4; Keywords Dye-sensitized solar cell blocking layer TiO2 thin film Dark current TiCl4; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压XLPE电缆阻水缓冲层电–热场分析及模拟烧蚀试验研究被引量：42: 4; 作者刘英陈佳美; 机构西安交通大学电气工程学院; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期1260-1270,共11页; 文摘近年来,高压交联聚乙烯波纹铝护套电缆中由于阻水缓冲层烧蚀引发的故障屡见不鲜,且烧蚀部位多集中于缓冲层与铝护套紧密接触位置。为充分了解烧蚀故障的成因机理,对故障检测与预防提供理论与数据支撑,该文首先通过电–热场耦合仿真,探究电缆中径向电流分布规律及由电流不均导致的缓冲层局部温升特性,并开展模拟烧蚀试验,观察干燥及受潮带材在电流作用下的不同烧蚀表现,推导缓冲层损伤机理。仿真结果表明,缓冲层与铝护套紧密接触位置存在电流集中现象,电流密度峰值随不接触长度增加而增大,可达1×10^(3)A/m^(2)以上,造成的局部温升也随之增加。在缓冲层受潮时温升更为显著,当接触不良长度达到1或2m时,温升可超过47℃及155℃。试验测得铝电极与缓冲层接触位置不同烧蚀状态对应的特征温度,烧蚀起始温度约为165℃。最终,通过缓冲带材耐热性能测试及与前述结果的对应性分析,有效验证了实际电缆线路中发生缓冲层局部热烧蚀的可能性,对于优化电缆结构、提高故障预防与检测能力,保障电网安全稳定运行具有重要意义。; 关键词阻水缓冲层电流集中局部温升模拟烧蚀实验电–热场分析; Keywords water-blocking buffer layer current concentration local temperature rise simulated ablation experiment thermo-electric field analysis; 分类号 TM247 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计被引量：6: 5; 作者徐正文曲轶王钰智高婷王鑫; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第4期1094-1098,共5页; 基金吉林省科技发展计划(20111810); 文摘设计了980 nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器,并在结构中插入电流阻挡层,有效地阻止载流子的泄露。用LASTIP软件对980 nm非对称宽波导量子阱激光器进行理论模拟,与传统的980 nm对称宽波导量子阱激光器相比,非对称宽波导量子阱激光器波导和量子阱之间有更小的能带差,非对称宽波导结构具有更低的阈值电流,更高的斜效率以及更低的阻抗,所以带有电流阻挡层的980nm非对称宽波导InGaAs/InGaAsP量子阱激光器有更高的光电转换效率和输出功率。; 关键词非对称宽波导激光器高功率电流阻挡层; Keywords asymmetric broad waveguide laser diode high power current blocking layer; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电流阻挡层对大功率LED光电热特性的影响被引量：1: 6; 作者杨新郭伟玲王嘉露邓杰邰建鹏孙捷; 机构北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期368-372,共5页; 基金国家重点研发计划项目(2017YFB0403102)资助; 文摘 LED芯片作为LED光源的核心,其质量直接决定了器件的性能、寿命等,因此在内量子效率已达到高水平的情况下,致力于提高光提取效率是推动LED芯片技术发展的关键一步。由于蓝宝石衬底具有绝缘特性,传统LED将N和P电极做在芯片出光面的同一侧,而芯片出光面上的P电极焊盘金属会遮挡吸收其正下方发光区发出的大部分光而造成光损失,为改善这一现象并缓解P电极周围的电流拥挤效应,本文设计制备了在P电极正下方的氧化铟锡(ITO)透明导电层和p-GaN之间插入SiO 2薄膜作为电流阻挡层(CBL)的大功率LED,并与无CBL结构的大功率LED相比较。对未封装的有无CBL结构的LED在350 mA电流下进行正向偏压,辐射通量,主波长等裸芯性能测试,结果显示两种芯片的正向偏压均集中在3~3.1 V,而有CBL结构的LED光输出功率有明显提升,这是因为CBL阻挡了电流在P电极正下方的扩散,减少流向有源区的电流密度,故减小了P电极对光的吸收和遮挡,且电流通过CBL引导至远离P电极的区域,缓解了电极周围的电流拥挤。对两种芯片进行相同结构和工艺条件的封装,并对封装样品进行热特性及10~600 mA的变电流光电特性测试,得到两种器件的发光光谱及光功率等光学特性。结果表明随着电流增加,两种器件的光谱曲线均发生蓝移,且有CBL结构的LED主波长偏移量较无CBL结构LED少10 nm,可见有CBL结构的LED光谱受驱动电流变化的影响更小,因此其显色性能更为稳定。而在小电流条件下,CBL对器件光功率的影响不大,随着工作电流的增大,CBL对器件光功率的改善效果逐渐提升。在大电流条件下,无CBL结构的LED结温更高,正向电压更低,随电流的增大二者之间的电压差增大。在25℃的环境温度,350 mA工作电流下,加入CBL结构使器件电压升高约0.04 V,但器件光功率最高提升了9.96%,且热阻明显小于无CBL结构器件,说明有CBL结构LED产热更少。因此CBL结构大大提高了器件的光提取效率,并使其光谱漂移更小,显色性能更为稳定。; 关键词大功率LED 电流阻挡层(cbl) 光功率光谱热阻; Keywords Highpower LED current blocking layer(cbl) Light output power Spectra Thermal resistance; 分类号 O462.3 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有反射电极的高亮度LED芯片设计被引量：4: 7; 作者陈才佳李珅王静辉李晓波; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所同辉电子科技股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期361-364,共4页; 文摘根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1%,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构。实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6%,成功制备出高亮度LED芯片。; 关键词电流阻挡层 Al反射镜反射电极化学气相沉积(CVD) 电子束蒸发; Keywords current blocking layer A1 reflective mirror reflection electrode chemical vapordeposition （CVD） beam evaporation; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Mg掺杂氧化镓研究进展	孙汝军张晶辉李一帆郝跃张进成	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响	曹伟伟朱彦旭郭伟玲刘建朋俞鑫邓叶徐晨	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	TiCl_4水解法制备的阻挡层对染料敏化太阳能电池光电性能的影响	陈东坡张晓丹魏长春刘彩池赵颖	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2011	12	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高压XLPE电缆阻水缓冲层电–热场分析及模拟烧蚀试验研究	刘英陈佳美	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2022	42	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高功率980nm非对称宽波导半导体激光器设计	徐正文曲轶王钰智高婷王鑫	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	电流阻挡层对大功率LED光电热特性的影响	杨新郭伟玲王嘉露邓杰邰建鹏孙捷	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	具有反射电极的高亮度LED芯片设计	陈才佳李珅王静辉李晓波	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料