期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到88篇文章
< 1 2 … 5 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
CuInS_2/ZnS核壳结构量子点的水相制备与性能研究 被引量：3
1
作者 周蓓莹 陈东 +3 位作者 刘佳乐 江莞 罗维 王连军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期279-283,共5页
因不含Cd、Pb、Te等有毒元素,且具有在可见光至近红外光波段可调的发光性能,铜铟硫(CuInS_2)量子点作为一种新型的I-III-VI型三元半导体材料,广泛应用于分析检测和生物成像等领域。本研究采用一种低毒低温的方法快速合成CuInS_2量子点及... 因不含Cd、Pb、Te等有毒元素,且具有在可见光至近红外光波段可调的发光性能,铜铟硫(CuInS_2)量子点作为一种新型的I-III-VI型三元半导体材料,广泛应用于分析检测和生物成像等领域。本研究采用一种低毒低温的方法快速合成CuInS_2量子点及其ZnS核壳结构量子点,不仅利用ZnS带隙较宽且表面缺陷少的特点,弥补了CuInS_2量子点的劣势,提高了CuInS_2量子点的发光性能;同时由于低毒性ZnS壳层的包覆,进一步降低生物毒性。当Cu∶In摩尔比为1∶1时,CuInS_2量子点于530 nm处出现明显的发射峰,且随着In含量的增加,发光峰逐渐红移。包覆ZnS壳层后,CuInS_2量子点的发光强度明显增大,且谱峰明显红移。当Cu∶Zn比为1∶1,回流时间为45 min时,合成的CuInS_2/ZnS量子点发光性能最优。该合成方法节省能源、生产效率高、绿色环保,具有较大的应用前景。 展开更多
关键词 cuins2 cuins2/ZnS 核壳结构 水相制备
在线阅读 下载PDF
溶剂热合成CuInS_2纳米粉体及薄膜的制备 被引量：10
2
作者 邹正光 陈壁滔 +2 位作者 龙飞 谢春艳 聂小明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1191-1195,共5页
本文以氯化铜、氯化铟、硫脲为原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法在常压下合成了片状的CuInS2（C IS）纳米粉体。研究了合成温度、合成时间、溶液浓度对合成产物C IS物相和形貌的影响。采用涂覆工艺对粉体成膜,研究了热处理对C IS薄膜... 本文以氯化铜、氯化铟、硫脲为原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法在常压下合成了片状的CuInS2（C IS）纳米粉体。研究了合成温度、合成时间、溶液浓度对合成产物C IS物相和形貌的影响。采用涂覆工艺对粉体成膜,研究了热处理对C IS薄膜的影响。采用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）及能谱仪（EDS）对合成产物进行了分析表征。研究结果表明：随着合成温度的升高和合成时间的延长,合成粉体的纯度提高。随着溶液浓度的增大,衍射峰出现宽化现象,合成粉体的粒径变小。在合成温度为195℃,保温时间为12 h,反应溶液浓度为氯化铜0.02 mol/L、氯化铟0.02 mol/L、硫脲0.04 mol/L的条件下,制备得到单一的C IS片状纳米粉体,片状颗粒的大小为200~500 nm,最终经过热处理能获厚度在5~8μm左右的相对致密的C IS薄膜。 展开更多
关键词 溶剂热 cuins2 纳米粉体
在线阅读 下载PDF
电沉积法制备CuInSe_2薄膜的组成与形貌 被引量：10
3
作者 张治安 刘芳洋 +3 位作者 吕莹 赖延清 李劼 刘业翔 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期560-566,共7页
采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6～-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440～610℃范围内;... 采用电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明:最佳的沉积电位范围为-0.6～-0.8 V(vs SCE);硒化退火是获得高质量CuInSe2薄膜的必要过程,硒化退火温度应控制在440～610℃范围内;在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中,通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜;沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加,晶型完善,且杂相减少;随着电解质浓度的增加,电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好,颗粒变得粗壮,致密性也有所改善;电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大,当沉积电位为-0.7和-0.8 V时,铜铟摩尔比约为1较为理想,且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。 展开更多
关键词 cuinse2(CIS) 太阳电池 薄膜 电沉积 硒化退火
在线阅读 下载PDF
溶剂热法CuInSe_2粉体的形貌可控制备与表征 被引量：6
4
作者 段学臣 蒋波 +3 位作者 程亚娟 孙巧珍 朱磊 刘扬林 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期293-297,共5页
采用溶剂热法,通过改变反应温度和初始nCu/nIn比制备了一系列CuInSe2粉体。粉体的物相结构、形貌、光吸收性能分别用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)进行了表征。结果表明:180℃... 采用溶剂热法,通过改变反应温度和初始nCu/nIn比制备了一系列CuInSe2粉体。粉体的物相结构、形貌、光吸收性能分别用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)进行了表征。结果表明:180℃反应即可形成纯黄铜矿型CuInSe2粉体;随着反应温度的升高,粉体形貌有"片-片簇-球簇"的演变规律,其光吸收性能也随之增强,出现"红移"现象;初始nCu/nIn比能有效调控片簇的致密度。同时探讨了粉体不同形貌的形成机理。 展开更多
关键词 溶剂热 cuinsE2 形貌 光吸收 机理
在线阅读 下载PDF
花状CuInS2微晶的溶剂热合成及表征 被引量：4
5
作者 蔡文 胡杰 +3 位作者 向卫东 赵寅生 王晓明 黄文旵 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期42-45,共4页
以CuCl2.2H2O为铜源,InCl3为铟源,硫脲（Tu）为硫源,分别以N,N二甲基甲酰胺（N,N-dimethylformamide,DMF）、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂在200℃下反应12h合成花状CuInS2微晶。用X射线粉末衍射仪、X射线光电子能谱、场发射扫描电... 以CuCl2.2H2O为铜源,InCl3为铟源,硫脲（Tu）为硫源,分别以N,N二甲基甲酰胺（N,N-dimethylformamide,DMF）、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂在200℃下反应12h合成花状CuInS2微晶。用X射线粉末衍射仪、X射线光电子能谱、场发射扫描电子显微镜对粉体的结构、形貌、相组分进行表征。研究表明：以DMF、乙二醇、乙醇、聚乙二醇-300为溶剂均能得到由厚度为100-200nm的纳米片组成的花状CuInS2微晶。并对其形成机理进行探讨。 展开更多
关键词 溶剂热法 cuins2太阳电池材料 花状微晶 纳米片 硫脲
在线阅读 下载PDF
CuInS_2纳米晶的制备和发光性质 被引量：6
6
作者 王秀英 刘学彦 赵家龙 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期7-11,共5页
以十二硫醇为溶剂,通过选择合适的金属源制备了各种尺寸的CuInS2量子点。观察到随着粒子的尺寸减小,其吸收和发光光谱明显蓝移,存在明显的量子尺寸效应。通过在CuInS2纳米晶表面包覆ZnS壳层,发现随着壳层厚度增加,其发光量子效率明显提... 以十二硫醇为溶剂,通过选择合适的金属源制备了各种尺寸的CuInS2量子点。观察到随着粒子的尺寸减小,其吸收和发光光谱明显蓝移,存在明显的量子尺寸效应。通过在CuInS2纳米晶表面包覆ZnS壳层,发现随着壳层厚度增加,其发光量子效率明显提高,最大达到了48%;继续增加壳层厚度,其发光量子效率反而降低。进一步测量它们的荧光寿命,发现包覆ZnS壳层后的CuInS2纳米晶的荧光寿命明显增加,证实表面包覆明显减少其表面的无辐射复合中心,提高了其发光效率。进一步制备了CuInS2/ZnS核壳量子点发光二极管,并对其电致发光性质进行了研究。 展开更多
关键词 cuins2 量子点 纳米晶 发光二极管
在线阅读 下载PDF
电沉积CuInSe_2薄膜的热处理研究 被引量：6
7
作者 陈鸣波 邓薰南 尤金跨 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期102-104,共3页
报道了热处理对电沉积ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的表观形貌、结构及光电性质的影响。
关键词 cuinsE2 薄膜 热处理 电沉积
在线阅读 下载PDF
电沉积制备CuInS_2半导体薄膜及其光学性能研究 被引量：4
8
作者 孙倩 关荣锋 张大峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期65-71,83,共8页
利用电化学循环伏安法研究了Cu2+、In3+及S2O23-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8 V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料Cu... 利用电化学循环伏安法研究了Cu2+、In3+及S2O23-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8 V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料CuInS2半导体薄膜。为提高膜层的结晶度,选取空气、Ar、及Ar+S三种气氛对沉积的膜层进行热处理,SEM、XRD及Raman光谱结果表明,经Ar气氛中硫化热处理才可以得到结晶度好且形貌均匀致密的薄膜。Cu2+/In3+比影响薄膜的结晶生长,结果表明,随着Cu/In比的增大,薄膜以典型的黄铜矿结构为主,当沉积电位为-0.8V且Cu2+/In3+=1.8时基底上得到的高质量CuInS2半导体薄膜的光学带隙是1.55 eV。 展开更多
关键词 半导体薄膜 太阳能电池 cuins2 黄铜矿结构 光学带隙
在线阅读 下载PDF
热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS_2薄膜的影响 被引量：3
9
作者 汤会香 严密 +1 位作者 张辉 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期363-366,共4页
采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高... 采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理,薄膜容易被氧化,而在低真空下,采取低温-高温两步退火处理后,薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高,因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。 展开更多
关键词 cuins2薄膜 化学水浴沉积法 热处理
在线阅读 下载PDF
粉末涂敷法制备CuInSe_2薄膜的硒化烧结过程研究 被引量：3
10
作者 聂洪波 王延来 +1 位作者 王义民 果世驹 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期132-137,共6页
用粉末涂敷法在Mo箔上涂敷CuInSe2前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理制备了太阳能薄膜电池吸收层用CuInSe2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征,对硒化烧结过程中化学反应的可... 用粉末涂敷法在Mo箔上涂敷CuInSe2前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理制备了太阳能薄膜电池吸收层用CuInSe2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征,对硒化烧结过程中化学反应的可能性进行了热力学计算。结果表明:硒化烧结过程分为三个阶段:二元化合物CuSe和三元化合物CuInSe2的形成均出现在硒化烧结的前两个阶段;第三个阶段主要是CuInSe晶粒长大和薄膜的致密化过程。H气氛在CuInSe薄膜烧结过程中可能起到催化剂的作用。 展开更多
关键词 cuinsE2 Cu—In合金 烧结 热力学
在线阅读 下载PDF
电化学法制备CuInSe_2薄膜工艺的研究 被引量：3
11
作者 徐玲 刘昌龄 +4 位作者 吴世彪 陈少华 张信义 王利群 汪星和 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期547-550,共4页
实验主要从基体材料的选择、络合剂的引用以及热处理试样等制备条件进行了初步的研究。通过分析与比较各种特定条件下制备出的试样的X射线衍射实验结果得知、导电玻璃作基体材料的镀层质量要比铜片和铁片的好;络合剂的加入有利于薄膜晶... 实验主要从基体材料的选择、络合剂的引用以及热处理试样等制备条件进行了初步的研究。通过分析与比较各种特定条件下制备出的试样的X射线衍射实验结果得知、导电玻璃作基体材料的镀层质量要比铜片和铁片的好;络合剂的加入有利于薄膜晶粒更加均匀和致密,可以改善镀层的质量;退火有利于薄膜晶粒的增大,使其结晶程度更好。 展开更多
关键词 电沉积 cuinse2薄膜 X射线衍射分析 X射线光电子能谱
在线阅读 下载PDF
CuInSe_2薄膜特性研究 被引量：4
12
作者 季秉厚 罗永胜 李蓉萍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期33-40,共8页
利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。
关键词 薄膜 特性 半导体材料 cuinsE2
在线阅读 下载PDF
电化学沉积太阳电池用CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2薄膜的研究进展 被引量：4
13
作者 刘芳洋 赖延清 +5 位作者 张治安 刘军 匡三双 李轶 李劼 刘业翔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期36-40,45,共6页
综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和... 综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和PVD调整成分的研究状况。回顾了基于电化学沉积的CIS和CIGS太阳电池研究的发展过程,并介绍了目前实验室和产业化研究的最新成果,指出了存在的问题并展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 cuinse2(CIS) Cu(In Ga)Se2(CIGS) 太阳电池 电化学沉积
在线阅读 下载PDF
纤锌矿CuInS_2纳米晶的合成及其机理研究 被引量：2
14
作者 邹正光 高耀 +1 位作者 龙飞 张劲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2164-2170,共7页
采用一步溶剂热法合成纤锌矿结构CuInS2（W-CIS）纳米粉体,并对其生长形成机理进行了研究。利用XRD、FE-SEM及EDS对W-CIS纳米晶的结构和形貌以及元素组成进行分析,研究了溶剂热合成过程中的铜源、硫源、反应温度及反应时间对CuInS2纳米... 采用一步溶剂热法合成纤锌矿结构CuInS2（W-CIS）纳米粉体,并对其生长形成机理进行了研究。利用XRD、FE-SEM及EDS对W-CIS纳米晶的结构和形貌以及元素组成进行分析,研究了溶剂热合成过程中的铜源、硫源、反应温度及反应时间对CuInS2纳米粉体物相及形貌的影响。结果表明：以Cu Cl2·2H2O或Cu（CH3COO）2·H2O、In Cl3·4H2O和硫脲为原料,聚乙二醇-400、乙二胺为溶剂于200℃下反应2 h可以成功合成出结晶性良好的CuInS2纳米片,直径约为300 nm,厚度大约为10~20 nm。通过研究发现,乙二胺对形成纤锌矿结构CuInS2起着关键的作用,并且该粉体对亚甲基蓝的降解率可达75.04%。 展开更多
关键词 溶剂热法 纤锌矿 cuins2纳米晶 亚甲基蓝 降解率
在线阅读 下载PDF
硒化方式对CuInSe_2薄膜结构、成分和形貌的影响 被引量：3
15
作者 赵湘辉 魏爱香 +1 位作者 招瑜 刘俊 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期140-144,共5页
采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试... 采用直流磁控溅射技术,首先在玻璃衬底上制备Mo薄膜,然后制备CuIn预制层。以固态硒粉为硒源,采用硒薄膜法和硒蒸气法两种硒化工艺,经过三步升温硒化方式对CuIn预制膜进行硒化制备CuInSe2薄膜。通过X射线衍射、能量散射谱和扫描电镜测试分析手段,分析CuIn预制膜和每一步硒化热处理后薄膜结构和形貌的变化。结果表明:两种方法硒化后均形成具有单一黄铜矿相结构的CuInSe2薄膜,薄膜具有(112)面择优取向,硒蒸气法形成的晶粒较大,但均匀性差。 展开更多
关键词 太阳能电池 cuinse2薄膜 磁控溅射 硒化工艺
在线阅读 下载PDF
掺杂CuInS_2纳米晶玻璃的三阶非线性光学性质 被引量：1
16
作者 向卫东 赵海军 +5 位作者 杨昕宇 钟家松 罗红艳 郭玉清 梁晓娟 杨欣琪 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期230-235,共6页
采用溶胶-凝胶法结合气氛控制制备了CuInS2纳米晶玻璃.利用X射线粉末衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CuInS2纳米晶在玻璃中的形貌和微结构进行了表征,并利用飞秒Z扫描技术对该玻璃的三阶非线性光学性质进行了研究.结果表明,在钠硼... 采用溶胶-凝胶法结合气氛控制制备了CuInS2纳米晶玻璃.利用X射线粉末衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CuInS2纳米晶在玻璃中的形貌和微结构进行了表征,并利用飞秒Z扫描技术对该玻璃的三阶非线性光学性质进行了研究.结果表明,在钠硼硅玻璃中形成了尺寸分布为10 nm左右的均一的CuInS2四方晶系纳米晶.该玻璃体现出优良的三阶非线性光学性能,其三阶非线性光学折射率γ、吸收系数β和极化率χ(3)分别为8.57×10-16 m2/W,3.74×10-8 m/W和1.95×10-17 m2/V2. 展开更多
关键词 cuins2纳米晶 钠硼硅玻璃 溶胶-凝胶法 飞秒Z扫描技术
在线阅读 下载PDF
硫化温度对CuInS_2薄膜微结构和光学性能的影响 被引量：1
17
作者 夏冬林 刘俊 +1 位作者 张兴良 赵修建 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期7-9,19,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征。结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有(112)面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV。 展开更多
关键词 磁控溅射 cuins2薄膜 硫化 微观结构 光学带隙
在线阅读 下载PDF
水热及溶剂热制备形貌可控CuInS_2光伏材料的研究进展 被引量：1
18
作者 蔡文 胡杰 +2 位作者 赵寅生 向卫东 黄文旵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期11-16,共6页
纳米CuInS_2材料是一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.50eV,吸收系数高达10~5cm^(-1),在太阳电池领域有着广阔的应用前景。水热及溶剂热法是液相制备纳米粉体的常用方法之一,其用于制备形貌可控的CuInS_2光伏材料具有独特的优势。... 纳米CuInS_2材料是一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.50eV,吸收系数高达10~5cm^(-1),在太阳电池领域有着广阔的应用前景。水热及溶剂热法是液相制备纳米粉体的常用方法之一,其用于制备形貌可控的CuInS_2光伏材料具有独特的优势。介绍了黄铜矿型CuInS_2晶体的结构和性质以及水热及溶剂热法的原理和特点;综述了近年来国内外水热及溶剂热法制备不同形貌与结构CuIS_2光伏材料的研究现状,研究了其制备特点及制备机理;最后探讨了目前存在的问题及今后研究的方向。 展开更多
关键词 水热及溶剂热 cuins2光伏材料 形貌控制
在线阅读 下载PDF
硫化时间对CuInS_2薄膜微结构的影响 被引量：1
19
作者 夏冬林 徐俊 +1 位作者 刘俊 雷盼 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期20-23,共4页
采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜。研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面形貌和晶相结构性能的影响。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱等测试手段对薄膜的... 采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜。研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面形貌和晶相结构性能的影响。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱等测试手段对薄膜的表面形貌和晶相结构进行表征。实验结果表明,采用磁控溅射金属预制膜经适当的时间硫化所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,随着硫化时间的增加,CuInS2薄膜的晶粒的形貌由球形结构向片状结构转化,并且硫化时间越长,所得薄膜的结晶性能越好,但过长的硫化时间会生成Cu-Au相而导致薄膜质量的劣化。 展开更多
关键词 磁控溅射 cuins2薄膜 固态源硫化法 微观结构
在线阅读 下载PDF
热处理对SILAR法制备CuInSe_2薄膜性能的影响 被引量：1
20
作者 杨建立 靳正国 +2 位作者 石勇 李春艳 安贺松 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1701-1704,共4页
铜铟硒（CIS）具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率。是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备，如金属前驱体硒化法、共沉积法、溅射法、电沉积法和化学气相沉积法等... 铜铟硒（CIS）具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率。是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备，如金属前驱体硒化法、共沉积法、溅射法、电沉积法和化学气相沉积法等。这些方法都有各自的不足之处。例如，对于气相硒化技术必须要用到硒化氢。而硒化氢对人体和环境都有很大的危害。如何精确控制薄膜组分和微结构并改善其电学和光学性能仍是当前研究的重点。 展开更多
关键词 cuinse2薄膜 SILAR法 煅烧温度 化学性能
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 5 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部