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透明导电CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)薄膜的固溶度扩展和c轴外延生长被引量：2: 1; 作者沈艳刘丹丹 +4 位作者宋世金唐艳艳胡一丁武浩荣虞澜《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期10008-10012,共5页; 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al_(2)O_(3)(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)系列薄膜。随Mg掺杂量增加,薄膜均为单相铜铁矿结构,表现出符合Arrhenius热激活模式的半导体电输运行为,室温... 展开更多; 关键词 cucr_(1-x)mg_(x)o_(2)薄膜透明导电脉冲激光沉积固溶度扩展 c轴外延生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜: 2; 作者谭黎张俊 +3 位作者张敏赵荣力邓朝勇崔瑞瑞《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期281-288,共8页; β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝... 展开更多; 关键词 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)o_(3) Ga_(2)o_(3) AL掺杂半导体薄膜高温扩散可调带隙磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷的电传导及各向异性被引量：1: 3; 作者孟佳源李毅 +4 位作者赵裕春武浩荣汪雪松骆婉君虞澜《人工晶体学报》北大核心 2024年第1期163-169,共7页; 采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,... 展开更多; 关键词 c轴择优 cucr_(1-x)mg_(x)o_(2)多晶各向异性电阻率晶界缺陷电输运; 在线阅读下载PDF 职称材料

Mg掺杂调制铜铁矿结构CuAlO_(2)多晶的微结构和电热传导: 4; 作者李毅武浩荣 +7 位作者胡一丁孟佳源宋宏远唐艳艳黎振华陈亮维刘斌虞澜《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第8期1422-1430,共9页; 采用固相反应法制备铜铁矿结构的CuAl_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.01、0.02、0.03、0.04)多晶,研究了Mg掺杂对CuAlO_(2)多晶结构和性能的影响。Mg掺杂量x从0增加到0.02,样品均为菱方R3m单相,密度依次提高;所有样品呈半导体的热激... 展开更多; 关键词 CuAl_(1-x)mg_(x)o_(2)多晶微结构电阻率晶格热导率点缺陷-声子散射 mg—o键; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透明导电CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)薄膜的固溶度扩展和c轴外延生长被引量：2: 1; 作者沈艳刘丹丹宋世金唐艳艳胡一丁武浩荣虞澜; 机构昆明理工大学材料科学与工程学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期10008-10012,共5页; 基金国家自然科学基金(51962017,51462017)。; 文摘采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在0~15°斜切的α-Al_(2)O_(3)(0001)衬底上生长了c轴外延的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)系列薄膜。随Mg掺杂量增加,薄膜均为单相铜铁矿结构,表现出符合Arrhenius热激活模式的半导体电输运行为,室温电阻率单调下降2~3个数量级,热激活能由0.22 eV下降至0.025 eV,由此推断薄膜中Mg的固溶度至少为0.08,与多晶(~0.03)相比显著扩展。这是由于PLD薄膜生长具有非平衡、瞬时爆炸特征,使靶材第二相(MgCr_(2)O_(4))中的Mg重新以等离子态定向运输到衬底上,迁移固溶到薄膜晶格中,固溶度扩展。薄膜(x=0,0.02)在380~780 nm可见光区的透过率为60%~80%,直接光学带隙E g分别为3.06 eV、3.04 eV。更多Mg^(2+)替代Cr^(3+)时,会在价带顶上方引入受主能级并展宽,使热激活能显著下降,产生更多空穴载流子,透过率和光学带隙略有下降;Mg固溶到晶格中,促进薄膜层状晶粒长大,外延性提高,使电阻率进一步下降。; 关键词 cucr_(1-x)mg_(x)o_(2)薄膜透明导电脉冲激光沉积固溶度扩展 c轴外延生长; Keywords cucr_(1-x)mg_(x)o_(2) films transparent conductive pulsed laser deposition solid solubility extension c-axis epitaxial growth; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜: 2; 作者谭黎张俊张敏赵荣力邓朝勇崔瑞瑞; 机构贵州大学大数据与信息工程学院贵州商学院计算机与信息工程学院贵阳学院电子与通信工程学院; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期281-288,共8页; 基金贵州省科学技术基金(ZK[2021]一般328) 贵州省教育厅科技拔尖人才项目(黔教技[2022]085号) 贵州省教育厅滚动支持省属高校科研平台团队项目(黔教技[2022]036号)。; 文摘 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝石衬底上成功制备了β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)纳米薄膜。利用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计对其进行了表征。由于高温下蓝宝石衬底中的Al原子向Ga_(2)O_(3)层扩散,β-Ga_(2)O_(3)薄膜将转变为Al、Ga原子比例不同的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜。实验结果显示:当退火温度从1 010℃增加到1 250℃时,薄膜中Al的平均含量从0.033增加到0.371;当退火温度从950℃增加到1 250℃时,薄膜的厚度从186 nm增加到297 nm,粗糙度从2.31 nm增加到15.10 nm;当退火温度从950℃增加到1 190℃时,薄膜的带隙从4.79 eV增加至5.96 eV。结果表明高温扩散工艺能够有效调节β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜的光学带隙,为β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)基新型光电子器件提供了实验基础。; 关键词 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)o_(3) Ga_(2)o_(3) AL掺杂半导体薄膜高温扩散可调带隙磁控溅射; Keywords β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)o_(3) Ga_(2)o_(3) Al doping semiconductor thin film high temperature diffusion tunable band gap magnetron sputtering; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] TQ133.5 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷的电传导及各向异性被引量：1: 3; 作者孟佳源李毅赵裕春武浩荣汪雪松骆婉君虞澜; 机构昆明理工大学材料科学与工程学院; 出处《人工晶体学报》北大核心 2024年第1期163-169,共7页; 基金国家自然科学基金(51962017,51462017)。; 文摘采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,探讨了Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷电导率各向异性的机制。当x≤0.030时,多晶为菱方R3m单相结构,随着掺杂量的增加,晶粒在面内充分长大,气孔和晶界减少,致密度逐渐提高,多晶呈现热激活半导体电输运行为;当x=0.030时,面内取向因子F((00l))达到最高值0.912,面内c轴择优取向远优于厚度方向,面内和厚度方向的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶室温电阻率分别显著下降至1.80×10^(-3)和3.16×10^(-3)Ω·m,这是由于其结构各向异性的差异,热激活能均减小至0.03 eV,c轴择优取向对热激活能影响并不明显,最大载流子浓度比母相均增加3个量级,晶界缺陷更少,平均自由程增大,输运能力更强,电导率更高。实验表明最优掺杂量为x=0.030,当掺杂量x高于0.030时,出现MgCr_(2)O_(4)尖晶石杂相,样品的微观结构和电输运性能变差。; 关键词 c轴择优 cucr_(1-x)mg_(x)o_(2)多晶各向异性电阻率晶界缺陷电输运; Keywords c-axis preferred orientation cucr_(1-x)mg_(x)o_(2) polycrystalline anisotropy resistivity grain boundary defect electrical transportation; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程] TQ174 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Mg掺杂调制铜铁矿结构CuAlO_(2)多晶的微结构和电热传导: 4; 作者李毅武浩荣胡一丁孟佳源宋宏远唐艳艳黎振华陈亮维刘斌虞澜; 机构昆明理工大学材料科学与工程学院; 出处《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第8期1422-1430,共9页; 基金国家自然科学基金(51962017,51462017)。; 文摘采用固相反应法制备铜铁矿结构的CuAl_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.01、0.02、0.03、0.04)多晶,研究了Mg掺杂对CuAlO_(2)多晶结构和性能的影响。Mg掺杂量x从0增加到0.02,样品均为菱方R3m单相,密度依次提高;所有样品呈半导体的热激活电输运行为,x=0.02样品在室温下的电阻率是未掺杂样品的1/19,热激活能显著下降(x=0时,ρ_(300 K)~5.54Ω·m,E_(a)~0.328 eV;x=0.02时,ρ_(300 K)~0.29Ω·m,E_(a)~0.218 eV),载流子浓度增加1个量级,主要因为Mg^(2+)取代Al^(3+),引入新的受主能级。x>0.02时,MgAl_(2)O_(4)尖晶石杂相出现,使其电导率和热导率降低。CuAl_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶的晶格热导率在总热导率中占绝对优势,且随温度升高(300~500 K)而下降,晶格热导Callaway模型模拟表明,所有样品的热阻主要源于点缺陷-声子散射。与x=0相比,x=0.02样品的室温热导率增大1倍(κ~13.0650 W/(m·K)),声速增大,点缺陷-声子散射减弱,分析认为掺Mg形成强的Mg—O键,提高了晶体的弹性模量和声子频率,减弱了本征点缺陷、Mg掺杂引起的质量波动和应变场波动对声子的散射,同时Mg掺杂样品的密度提高也有利于增加热导率。; 关键词 CuAl_(1-x)mg_(x)o_(2)多晶微结构电阻率晶格热导率点缺陷-声子散射 mg—o键; Keywords CuAl_(1-x)mg_(x)o_(2)polycrystal microstructure electrical resistivity lattice thermal conductivity point defect-phonon scattering mg—o bond; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	透明导电CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0-0.08)薄膜的固溶度扩展和c轴外延生长	沈艳刘丹丹宋世金唐艳艳胡一丁武浩荣虞澜	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜	谭黎张俊张敏赵荣力邓朝勇崔瑞瑞	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷的电传导及各向异性	孟佳源李毅赵裕春武浩荣汪雪松骆婉君虞澜	《人工晶体学报》北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Mg掺杂调制铜铁矿结构CuAlO_(2)多晶的微结构和电热传导	李毅武浩荣胡一丁孟佳源宋宏远唐艳艳黎振华陈亮维刘斌虞澜	《人工晶体学报》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料