期刊文献+
共找到42篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
用于高效光伏器件的Cu(In,Ga)Se2薄膜的微结构特征
1
作者 HassonFS 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期50-50,共1页
关键词 cu(IN ga)se2 高效光伏器件 薄膜 微结构特性
在线阅读 下载PDF
大面积Cu(In,Ga)Se2薄膜的生长和特征
2
作者 HermannAM 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期49-49,共1页
关键词 大面积 cu(In ga)se2薄膜 生长 光伏电池
在线阅读 下载PDF
30cm×30cm基板上的在线Cu(In,Ga)Se共蒸发
3
作者 VoorwindenG 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期50-50,共1页
关键词 30cm×30cm基板 蒸发 cu(IN ga)se2 光伏器件
在线阅读 下载PDF
Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池二极管特性的研究 被引量:5
4
作者 刘芳芳 孙云 +2 位作者 张力 何青 李长健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期455-459,共5页
本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数。在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复... 本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数。在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内。量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520~1100nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的。这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键。 展开更多
关键词 cu(IN ga)se2 太阳电池 品质因子 反向饱和电流 二极管特性
在线阅读 下载PDF
Cu(In,Ga)Se_2薄膜电沉积制备及性能研究 被引量:5
5
作者 夏冬林 徐慢 +1 位作者 李建庄 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1146-1150,共5页
采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度... 采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度对C IGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能。实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数。 展开更多
关键词 cu(In ga)se2(CIGS) 薄膜 电沉积 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
电化学沉积太阳电池用CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2薄膜的研究进展 被引量:4
6
作者 刘芳洋 赖延清 +5 位作者 张治安 刘军 匡三双 李轶 李劼 刘业翔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期36-40,45,共6页
综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和... 综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和PVD调整成分的研究状况。回顾了基于电化学沉积的CIS和CIGS太阳电池研究的发展过程,并介绍了目前实验室和产业化研究的最新成果,指出了存在的问题并展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 cuInse2(CIS) cu(In ga)se2(CIGS) 太阳电池 电化学沉积
在线阅读 下载PDF
柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜的影响(英文) 被引量:4
7
作者 夏冬林 赵修建 李建庄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期704-708,共5页
本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜... 本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌。结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀。 展开更多
关键词 cu(In ga)se2 薄膜 电沉积 柠檬酸钠 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜反应过程及其性能研究 被引量:2
8
作者 郑春满 韦永滔 +1 位作者 谢凯 韩喻 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期701-706,共6页
以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,... 以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,采用霍尔效应测试仪和吸收光谱分析等对多晶CIGS薄膜的性能进行了表征。研究结果表明,纳米金属氧化物主要含CuO、In2O3、Ga2O3和铜-铟、铜-镓二元合金氧化物等成分,在还原反应中逐渐转变成Cu11In9、Cu9In4等产物,同时薄膜中形成大量孔隙;硒化过程中,硒蒸气沿孔隙通道进入还原产物的晶格,反应生成CIS和CGS,从而形成具有黄铜矿结构的多晶CIGS薄膜;多晶CIGS薄膜表面晶粒排列紧密,属于p型半导体,其载流子浓度为2.3×1015cm-3,迁移率为217 cm2/(V.s),电阻率为36.cm,带隙宽度约为1.15 eV。 展开更多
关键词 氧化物 cu(In ga)se2薄膜 光学性能 反应过程
在线阅读 下载PDF
多晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池光强特性的研究 被引量:2
9
作者 刘芳芳 孙云 +4 位作者 张力 李长健 乔在祥 何青 王赫 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期576-580,共5页
本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10-100 mW/cm^2范围内的性能参数。结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显... 本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10-100 mW/cm^2范围内的性能参数。结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm^2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm^2时,电池性能衰减明显。这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高。其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退。最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7%)比低Ga含量(6.9%)的电池弱光特性好。 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 光强特性 弱光特性
在线阅读 下载PDF
甲脒亚磺酸添加剂提升Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜质量及其光伏性能
10
作者 倪晓萌 许方贤 +3 位作者 刘静静 张帅 郭华飞 袁宁一 《无机材料学报》 北大核心 2025年第4期372-378,I0005-I0007,共10页
硒硫化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))具有优异的光电特性,是一种很有前景的光伏材料。然而,目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳能电池的最高光电转换效率(PCE)仍与理论极限有较大差距,这部分归因于Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜中存在严重的载流子复合。本研究采... 硒硫化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))具有优异的光电特性,是一种很有前景的光伏材料。然而,目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳能电池的最高光电转换效率(PCE)仍与理论极限有较大差距,这部分归因于Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜中存在严重的载流子复合。本研究采用水热沉积法制备Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜,在前驱体溶液中引入过程性添加剂甲脒亚磺酸(FSA),不仅优化了Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的(211)、(221)晶面取向和Se/S原子比例,还控制了薄膜中载流子复合中心Sb_(2)O3的含量。添加了FSA的太阳能电池的暗饱和电流密度(J0)和复合阻抗(Rrec)分别为1.10×10^(-5)mA·cm^(-2)和3147Ω·cm^(-2),明显优于参照器件(J0=5.17×10^(-5)mA·cm^(-2),Rrec=974.3Ω·cm^(-2)),表明FSA显著抑制了Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳能电池的载流子复合。在AM1.5G太阳光模拟器照射下,添加了FSA的太阳能电池的开路电压(VOC)、短路电流密度(JSC)、填充因子(FF)和PCE的平均值分别为0.69 V、18.46 mA·cm^(-2)、63.60%和8.04%,较参照器件(0.67 V、17.82 mA·cm^(-2)、62.27%和7.70%)均明显提升,最优未封装器件PCE达8.21%,在空气中老化120 d仍保持初始PCE的82.1%。 展开更多
关键词 Sb_(2)(S se)_(3) 添加剂 甲脒亚磺酸 载流子复合 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
Cu(In,Ga)Se2太阳电池窗口层光学常数的测量与计算 被引量:1
11
作者 何炜瑜 孙云 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期141-144,共4页
采用多层薄膜反射率与透射率非相干叠加的方法,计算Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)多晶薄膜太阳电池的窗口层(CdS薄膜和ZnO薄膜)的光学常数,并通过科希方程和塞尔迈耳方程对计算的折射率进行了拟合,给出了拟合公式,为CIGS多晶薄膜太阳电池结构的... 采用多层薄膜反射率与透射率非相干叠加的方法,计算Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)多晶薄膜太阳电池的窗口层(CdS薄膜和ZnO薄膜)的光学常数,并通过科希方程和塞尔迈耳方程对计算的折射率进行了拟合,给出了拟合公式,为CIGS多晶薄膜太阳电池结构的光学设计和优化奠定了基础。 展开更多
关键词 cu(IN ga)se2 CDS ZNO 光学常数 色散关系
在线阅读 下载PDF
热注入法制备CuIn(Se,S)_2纳米材料的研究进展 被引量:1
12
作者 向卫东 杨海龙 +5 位作者 王京 赵寅生 钟家松 赵斌宇 骆乐 谢翠萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期15-20,共6页
介绍了CuIn(Se,S)2纳米材料的晶体结构和性质,以及热注入法的原理和特点。重点论述了近年来国内外采用热注入法制备不同形貌和结构CuIn(Se,S)2纳米材料的研究进展,概括了其反应机理和影响因素。综述了CuIn(Se,S)2纳米材料在太阳能电池、... 介绍了CuIn(Se,S)2纳米材料的晶体结构和性质,以及热注入法的原理和特点。重点论述了近年来国内外采用热注入法制备不同形貌和结构CuIn(Se,S)2纳米材料的研究进展,概括了其反应机理和影响因素。综述了CuIn(Se,S)2纳米材料在太阳能电池、QD-LED及生物标记上的应用。探讨了目前存在的问题及今后的研究方向。 展开更多
关键词 热注入法 cuIn(se S)2 纳米材料 太阳能电池
在线阅读 下载PDF
一种制备MexSey(Me=Cu,In,Ga)的简便工艺 被引量:1
13
作者 冯海权 李晨辉 +2 位作者 杨腾飞 谭志龙 管伟明 《化学与生物工程》 CAS 2014年第2期38-41,共4页
提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英... 提出了一种制备太阳能电池靶材CIGS的中间产物Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3的简便工艺。以高纯铜粉、铟块、镓块、硒粉为原料,根据中间产物的化学计量比配制混合粉末,先进行热分析,然后将粉末装入石英管中,在抽真空的状态下用乙炔火焰将石英管密封,分别加热到300℃、500℃、650℃和770℃,最后打破石英管取出产物研成粉末,进行XRD分析。结果表明:在升温速率为1℃·min-1、冷却方式为炉冷的条件下,300℃保温3h得到单相的Cu2Se;300℃、500℃和650℃分别保温3h,得到单相的In2Se3;300℃、500℃、650℃和770℃分别保温3h,得到Ga2Se3相和少量的GaSe相。 展开更多
关键词 cu2se In2se3 ga2se3 CIGS靶材
在线阅读 下载PDF
Cs_(2)(Ag∶Cu)BiBr_(6)双钙钛矿太阳能电池 被引量:2
14
作者 曹士双 王宝宁 李林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期662-670,共9页
采用水热法合成了Cu^(+)掺杂的Cs_(2)AgBiBr_(6)双钙钛矿并基于其制备了太阳能电池。通过紫外-可见光吸收光谱、荧光发射光谱、X射线光电子能谱、单色光量子效率光谱及光电流-电压曲线等手段对其光电性能进行探究。研究发现,Cu^(+)掺杂... 采用水热法合成了Cu^(+)掺杂的Cs_(2)AgBiBr_(6)双钙钛矿并基于其制备了太阳能电池。通过紫外-可见光吸收光谱、荧光发射光谱、X射线光电子能谱、单色光量子效率光谱及光电流-电压曲线等手段对其光电性能进行探究。研究发现,Cu^(+)掺杂能够显著增强Cs_(2)AgBiBr_(6)粉末样品的光学吸收,但对于薄膜样品几乎没有效果,这是由于Cu相双钙钛矿在溶于二甲基亚砜的过程中会发生分解。实验结果表明,当Cu^(+)掺杂量较低时,太阳能电池的光电转化效率显著提升,这是由于Cu^(+)掺杂对Cs_(2)AgBiBr_(6)薄膜结晶过程的调控作用,微量Cu^(+)掺杂能够显著降低钙钛矿薄膜的缺陷态密度。最终,基于Cu^(+)掺杂的太阳能电池获得了最高1.93%的能量转化效率。 展开更多
关键词 Cs2AgBiBr6 cu+掺杂 太阳能电池 钙钛矿
在线阅读 下载PDF
Cr应力缓释层对柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)薄膜太阳电池性能的影响 被引量:1
15
作者 陈春阳 唐正霞 +2 位作者 孙孪鸿 王威 赵毅杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期482-487,共6页
柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响。结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶... 柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响。结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶质量最好,电池具有最佳的光电性能,相比没有Cr应力缓释层存在的情况,薄膜的残余应力从-7.15 GPa降低至-3.61 GPa,电池的光电转换效率(PCE)从2.89%提高至4.65%,增加了60.9%。Cr应力缓释层的引入不会影响CZTSSe薄膜的晶体结构,相反可有效提高薄膜的结晶质量,降低薄膜的残余应力,最终提高电池的光电性能。 展开更多
关键词 柔性cu_(2)ZnSn(S se)_(4)(CZTSse)薄膜太阳电池 Cr应力缓释层 残余应力 光电转换效率(PCE) 结晶质量
在线阅读 下载PDF
Effect of substrate temperature and oxygen plasma treatment on the properties of magnetron-sputtered CdS for solar cell applications
16
作者 Runxuan Zang Haolin Wang +9 位作者 Xiaoqi Peng Ke Li Yuehao Gu Yizhe Dong Zhihao Yan Zhiyuan Cai Huihui Gao Shuwei Sheng Rongfeng Tang Tao Chen 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期22-33,I0010,共13页
Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films h... Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films have emerged,among which magnetron sputtering(MS)is one of the most commonly used vacuum techniques.For this type of technique,the substrate temperature is one of the key deposition parameters that affects the interfacial properties between the target film and substrate,determining the specific growth habits of the films.Herein,the effect of substrate temperature on the microstructure and electrical properties of magnetron-sputtered CdS(MS-CdS)films was studied and applied for the first time in hydrothermally deposited antimony selenosulfide(Sb_(2)(S,Se)_(3))solar cells.Adjusting the substrate temperature not only results in the design of the flat and dense film with enhanced crystallinity but also leads to the formation of an energy level arrangement with a Sb_(2)(S,Se)_(3)layer that is more favorable for electron transfer.In addition,we developed an oxygen plasma treatment for CdS,reducing the parasitic absorption of the device and resulting in an increase in the short-circuit current density of the solar cell.This study demonstrates the feasibility of MS-CdS in the fabrication of hydrothermal Sb_(2)(S,Se)_(3)solar cells and provides interface optimization strategies to improve device performance. 展开更多
关键词 magnetron sputtering CDS substrate heating plasma treatment Sb_(2)(S se)_(3) thin film solar cell
在线阅读 下载PDF
太阳能电池材料Cu-In-Se的研究现状 被引量:2
17
作者 郑史烈 吴年强 李志章 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期14-17,共4页
综述了近年来太阳能电池材料Cu-In-Se的研究现状,对CuInSe_2薄膜的制备、薄膜的光学性质、电学性质及应用现状等几个方面作了介绍。
关键词 太阳能电池 光学性质 电学性质 铜铟硒合金
在线阅读 下载PDF
In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究
18
作者 王兴磊 敖建平 +4 位作者 何青 李凤岩 杨宇 王茺 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期420-425,共6页
(In,Ga)_2Se_3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能。实验就多源共蒸发制备In_2Se_3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究。分析讨论... (In,Ga)_2Se_3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能。实验就多源共蒸发制备In_2Se_3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究。分析讨论上述3种因素对In_2Se_3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响。发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380~400℃的较高温度时,制备的In_2Se_3预制层是单一晶相的In_2 Se_3,其X射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向。反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In_2Se_3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In_2Se_3(006)衍射峰为择优取向。 展开更多
关键词 In2se3薄膜 cu(IN ga)se2 择优取向 太阳电池
在线阅读 下载PDF
Al_(2)O_(3)扩散阻挡层对柔性CZTSSe薄膜及其太阳电池的性能影响 被引量:2
19
作者 陈文静 孙孪鸿 +4 位作者 王威 赵毅杰 袁文栋 沈哲苇 毛梦洁 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期437-442,447,共7页
柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池因具有轻便、灵活、可弯折等优点,可广泛应用于柔性电子器件和便捷式可穿戴设备。但柔性CZTSSe薄膜中的应力问题严重限制了其效率的提升。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极层之间溅射... 柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池因具有轻便、灵活、可弯折等优点,可广泛应用于柔性电子器件和便捷式可穿戴设备。但柔性CZTSSe薄膜中的应力问题严重限制了其效率的提升。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极层之间溅射Al_(2)O_(3)扩散阻挡层来减小柔性CZTSSe薄膜中的残余应力。系统研究了Al_(2)O_(3)扩散阻挡层厚度对CZTSSe薄膜物相结构、微观形貌、残余应力以及器件性能的影响。结果表明,Al_(2)O_(3)扩散阻挡层的引入可有效提高CZTSSe薄膜的结晶质量,减小残余应力,降低缺陷密度,从而抑制载流子的复合。当Al_(2)O_(3)扩散阻挡层厚度为40 nm时,CZTSSe薄膜表现出最佳的结构、形貌和光电特性,相比没有引入Al_(2)O_(3)扩散阻挡层,CZTSSe薄膜的残余应力由-3.99 GPa减小至-2.06 GPa,其太阳电池光电转换效率由2.61%提升至4.21%。 展开更多
关键词 柔性太阳电池 Al_(2)O_(3)扩散阻挡层 cu_(2)ZnSn(S se)_(4)(CZTSse) 应力 光电转换效率
在线阅读 下载PDF
柔性铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池研究进展
20
作者 花浩 孙孪鸿 +1 位作者 赵宇 庞楚泷 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期533-551,共19页
铜锌锡硫硒(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),CZTSSe)具有组成元素丰富、环境友好和理论光电转换效率高等优点,是一种具有大规模应用潜力的新型光伏材料。相比刚性衬底,柔性CZTSSe薄膜太阳能电池具有质轻和可弯折的独特优势,在光伏建筑一体化、柔... 铜锌锡硫硒(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),CZTSSe)具有组成元素丰富、环境友好和理论光电转换效率高等优点,是一种具有大规模应用潜力的新型光伏材料。相比刚性衬底,柔性CZTSSe薄膜太阳能电池具有质轻和可弯折的独特优势,在光伏建筑一体化、柔性可穿戴设备等领域有广阔的应用前景。从柔性衬底、残余应力、制备方法、掺杂、界面工程等方面对柔性CZTSSe薄膜太阳能电池的研究现状进行了详细阐述。最后,对柔性CZTSSe薄膜太阳能电池存在的问题进行了分析,并对未来的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 铜锌锡硫硒(CZTSse) 柔性薄膜太阳能电池 残余应力 掺杂 制备方法
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部