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用于高效光伏器件的Cu(In,Ga)Se2薄膜的微结构特征
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作者 HassonFS 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期50-50,共1页
关键词 cu(IN ga)se2 高效光伏器件 薄膜 微结构特性
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大面积Cu(In,Ga)Se2薄膜的生长和特征
2
作者 HermannAM 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期49-49,共1页
关键词 大面积 cu(In ga)se2薄膜 生长 光伏电池
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30cm×30cm基板上的在线Cu(In,Ga)Se共蒸发
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作者 VoorwindenG 《可再生能源》 CAS 北大核心 2002年第6期50-50,共1页
关键词 30cm×30cm基板 蒸发 cu(IN ga)se2 光伏器件
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Cu(In,Ga)Se_2薄膜电沉积制备及性能研究 被引量:5
4
作者 夏冬林 徐慢 +1 位作者 李建庄 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1146-1150,共5页
采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度... 采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度对C IGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能。实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数。 展开更多
关键词 cu(In ga)se2(CIGS) 薄膜 电沉积 太阳能电池
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Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池二极管特性的研究 被引量:5
5
作者 刘芳芳 孙云 +2 位作者 张力 何青 李长健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期455-459,共5页
本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数。在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复... 本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数。在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内。量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520~1100nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的。这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键。 展开更多
关键词 cu(IN ga)se2 太阳电池 品质因子 反向饱和电流 二极管特性
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Cu(In,Ga)Se_2集成电池吸收层的三步共蒸工艺 被引量:5
6
作者 张力 孙云 +4 位作者 何青 徐传明 肖建平 薛玉明 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期895-899,共5页
利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生... 利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4.23%、5.16%和7.03%(测试条件为:AM1.5,1000W/cm^2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。 展开更多
关键词 cuIn0.7ga0.3se2薄膜 预置层(In0.7ga0.3)2se3 集成组件
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电化学沉积太阳电池用CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2薄膜的研究进展 被引量:4
7
作者 刘芳洋 赖延清 +5 位作者 张治安 刘军 匡三双 李轶 李劼 刘业翔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期36-40,45,共6页
综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和... 综述了电化学沉积太阳电池用CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究和发展;对CIS和CIGS预制层的电化学沉积路线,包括一步沉积、分步沉积和特种电沉积的研究进展进行了详细的评述;综述了电沉积预制层的后处理,包括退火、化学处理和PVD调整成分的研究状况。回顾了基于电化学沉积的CIS和CIGS太阳电池研究的发展过程,并介绍了目前实验室和产业化研究的最新成果,指出了存在的问题并展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 cuInse2(CIS) cu(In ga)se2(CIGS) 太阳电池 电化学沉积
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一步法电化学沉积Cu(In1-x, Gax)Se2薄膜的特性 被引量:8
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作者 敖建平 孙国忠 +6 位作者 闫礼 康峰 杨亮 何青 周志强 李凤岩 孙云 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1073-1079,共7页
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制... 在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹. 展开更多
关键词 电沉积 cu(In1-x gax)se2薄膜 循环伏安法 pH缓冲溶液
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柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜的影响(英文) 被引量:4
9
作者 夏冬林 赵修建 李建庄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期704-708,共5页
本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜... 本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌。结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀。 展开更多
关键词 cu(In ga)se2 薄膜 电沉积 柠檬酸钠 太阳能电池
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纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜反应过程及其性能研究 被引量:2
10
作者 郑春满 韦永滔 +1 位作者 谢凯 韩喻 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期701-706,共6页
以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,... 以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,采用霍尔效应测试仪和吸收光谱分析等对多晶CIGS薄膜的性能进行了表征。研究结果表明,纳米金属氧化物主要含CuO、In2O3、Ga2O3和铜-铟、铜-镓二元合金氧化物等成分,在还原反应中逐渐转变成Cu11In9、Cu9In4等产物,同时薄膜中形成大量孔隙;硒化过程中,硒蒸气沿孔隙通道进入还原产物的晶格,反应生成CIS和CGS,从而形成具有黄铜矿结构的多晶CIGS薄膜;多晶CIGS薄膜表面晶粒排列紧密,属于p型半导体,其载流子浓度为2.3×1015cm-3,迁移率为217 cm2/(V.s),电阻率为36.cm,带隙宽度约为1.15 eV。 展开更多
关键词 氧化物 cu(In ga)se2薄膜 光学性能 反应过程
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电子束蒸镀法制备CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜太阳电池的性能 被引量:3
11
作者 王星星 张福勤 +3 位作者 周俊 郑吉祥 黎炳前 刘怡 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期103-111,共9页
封装石英管真空熔炼合成CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)块体,再采用电子束蒸镀此块体,制备用于太阳电池吸收层的CIGS薄膜,然后对薄膜进行不同温度的真空退火处理。分别采用XRD、EDS、SEM及光谱分析等方法,研究CIGS块体和退火薄膜的表面形貌、... 封装石英管真空熔炼合成CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)块体,再采用电子束蒸镀此块体,制备用于太阳电池吸收层的CIGS薄膜,然后对薄膜进行不同温度的真空退火处理。分别采用XRD、EDS、SEM及光谱分析等方法,研究CIGS块体和退火薄膜的表面形貌、晶体结构、成分或者光电性能。结果表明:在1200℃、保温2 h后,采用真空熔炼获得结晶性能较好、单一黄铜矿结构的CuIn0.7Ga0.3Se2块体。随着退火温度的升高,薄膜中In-Se杂质相分解,从而获得单一相的CIGS薄膜;并且颗粒不断长大,达到1.03.5μm;成分和光学禁带不断得到优化。600℃退火薄膜是比较符合理想太阳电池要求的吸收层材料。 展开更多
关键词 太阳电池 cuIn0.7ga0.3se2 真空熔炼 电子束蒸镀 退火处理
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Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜太阳电池吸收层材料研究进展 被引量:1
12
作者 田晶 陈金伟 +3 位作者 杨鑫 王刚 汪雪芹 王瑞林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期13-18,共6页
简要介绍了Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的结构特点,阐述目前其吸收层材料CIGS薄膜典型制备方法的特点、研究应用现状及发展趋势;提出了目前CIGS薄膜太阳电池实现大规模商业化应用存在的问题,并对其发展进行展望。
关键词 cu(Inxga1-x)se2(CIGS)薄膜 薄膜太阳电池 制备方法
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面向氨燃料发动机废气N_(2)O去除的Cu/TiO_(2)催化剂的性能及催化机理
13
作者 高宇 李坤 《科学技术与工程》 北大核心 2025年第13期5681-5688,共8页
推动绿氨燃料上船应用已被普遍认为是实现全球航运业绿色低碳转型可行途径。然而,船用氨燃料发动机存在的N_(2)O排放问题已成为阻碍氨动力船舶发展的关键技术瓶颈之一。针对这一问题,采用浸渍法制备出一系列以TiO_(2)为载体的过渡金属... 推动绿氨燃料上船应用已被普遍认为是实现全球航运业绿色低碳转型可行途径。然而,船用氨燃料发动机存在的N_(2)O排放问题已成为阻碍氨动力船舶发展的关键技术瓶颈之一。针对这一问题,采用浸渍法制备出一系列以TiO_(2)为载体的过渡金属氧化物催化剂,考察了过渡金属元素类型对催化剂N_(2)O去除性能的影响,并研究获得了性能优化的Cu_(x)/TiO_(2)催化剂。结果表明,与Fe_(5)/TiO_(2)、Mn_(5)/TiO_(2)、Co_(5)/TiO_(2)、Ni_(5)/TiO_(2)催化剂相比,Cu_(5)/TiO_(2)催化剂显示出优异的催化活性,其N_(2)O转化率可在350℃达到100%。除此之外,Cu_(5)/TiO_(2)催化剂还具有良好的抗水性能。5%是最佳的铜负载量。采用X射线衍射、N_(2)吸附脱附、H_(2)程序升温还原、O_(2)程序升温脱附、原位漫反射傅里叶变换红外光谱等表征手段对性能较优的Cu_(5)/TiO_(2)催化剂的物化性质和表面反应中间体进行了表征,从多角度深入讨论了相关催化反应机理。结果显示,与其他Cu_(x)/TiO_(2)催化剂相比,Cu_(5)/TiO_(2)催化剂具有较高的活性物种分散度、比表面积、氧空位含量以及较强的氧化还原性能,有利于其展现出较优的催化活性。Cu_(5)/TiO_(2)催化剂表面的主要活性物种为Cu^(2+)和Cu^(+),N_(2)O的吸附和解离是催化反应的关键步骤。 展开更多
关键词 氨燃料发动机 废气处理 cu/TiO_(2)催化剂 N_(2)O催化分解
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Cu(In,Ga)Se2太阳电池窗口层光学常数的测量与计算 被引量:1
14
作者 何炜瑜 孙云 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期141-144,共4页
采用多层薄膜反射率与透射率非相干叠加的方法,计算Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)多晶薄膜太阳电池的窗口层(CdS薄膜和ZnO薄膜)的光学常数,并通过科希方程和塞尔迈耳方程对计算的折射率进行了拟合,给出了拟合公式,为CIGS多晶薄膜太阳电池结构的... 采用多层薄膜反射率与透射率非相干叠加的方法,计算Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)多晶薄膜太阳电池的窗口层(CdS薄膜和ZnO薄膜)的光学常数,并通过科希方程和塞尔迈耳方程对计算的折射率进行了拟合,给出了拟合公式,为CIGS多晶薄膜太阳电池结构的光学设计和优化奠定了基础。 展开更多
关键词 cu(IN ga)se2 CDS ZNO 光学常数 色散关系
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束状Co_(0.85)Se/Cu(OH)_(2)纳米复合物的制备及其吸附刚果红的研究 被引量:2
15
作者 宋吉明 韩荣蓉 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第6期82-89,共8页
有机染料在生活和工业生产中被广泛使用,由于染料的过度使用而带来的污染日益严重,对人类的健康产生重大威胁.笔者通过一步水热法合成由多个纳米片组成的束状Co_(0.85)Se/Cu(OH)_(2)纳米复合物.室温下该复合物对废水中的刚果红(CR)具有... 有机染料在生活和工业生产中被广泛使用,由于染料的过度使用而带来的污染日益严重,对人类的健康产生重大威胁.笔者通过一步水热法合成由多个纳米片组成的束状Co_(0.85)Se/Cu(OH)_(2)纳米复合物.室温下该复合物对废水中的刚果红(CR)具有较高的吸附能力,对CR最大吸附容量为1450.0 mg·g^(-1).对CR的吸附动力学方程和吸附等温线模型进行探究,结果表明:纳米复合物对CR的吸附过程符合准二级动力学方程和Langmuir等温吸附模型.该复合物还具有优异的稳定性和可回收性. 展开更多
关键词 Co_(0.85)se/cu(OH)_(2)纳米复合物 吸附 刚果红 污水处理
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Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究
16
作者 徐传明 许小亮 +5 位作者 谢家纯 徐军 杨晓杰 冯叶 黄文浩 刘洪图 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期53-56,70,共5页
讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变... 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响. 展开更多
关键词 cu(In ga)3se5 有序缺陷化合物 XRD 四方结构扭曲
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宽带隙Cu(In,Al)Se_2薄膜的制备及表征 被引量:6
17
作者 黄灿领 胡彬彬 +3 位作者 王广君 李洪伟 龚时江 杜祖亮 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2739-2742,共4页
以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜,经硒化退火后在氧化铟锡(ITO)基底上制备了Cu(InAl)Se2(CIAS)薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(X... 以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜,经硒化退火后在氧化铟锡(ITO)基底上制备了Cu(InAl)Se2(CIAS)薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)对其形貌、结构、成分及光学吸收性质进行了表征.结果表明,制备的CIAS薄膜颗粒均匀,表面平整致密,呈黄铜矿结构.薄膜在可见光区具有良好的吸收,带隙约为1.65 eV. 展开更多
关键词 特殊脉冲电沉积 真空蒸镀 cuInse2薄膜 cu(InAl)se2薄膜
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Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池研究进展 被引量:5
18
作者 张雪 韩洋 +4 位作者 柴双志 胡南滔 杨志 耿会娟 魏浩 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1330-1346,共17页
CdTe和Cu(In,Ga)(S,Se)_2(CIGSSe)光吸收材料在新型化合物半导体太阳电池研究中占据着主导地位。尽管CdTe和CIGS太阳电池拥有较高的转换效率和先进的技术,但是仍存在着一些问题,如所用材料中的元素地壳丰度低或有毒,这阻碍了其未来的大... CdTe和Cu(In,Ga)(S,Se)_2(CIGSSe)光吸收材料在新型化合物半导体太阳电池研究中占据着主导地位。尽管CdTe和CIGS太阳电池拥有较高的转换效率和先进的技术,但是仍存在着一些问题,如所用材料中的元素地壳丰度低或有毒,这阻碍了其未来的大规模应用。近年来,由于Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe)薄膜太阳电池使用的元素地壳含量丰富且环境友好,逐渐成为了研究的热点。CZTSSe光吸收材料被认为能够取代CdTe和CIGS成为下一代光伏技术的潜力材料。基于此,本文将简单介绍CZTSSe材料的结构、性质和制备方法。重点阐述CZTSSe材料的组装技术和沉积方法的发展和优势,如基于真空的沉积方法和基于溶液的沉积方法,简述其优缺点。此外,本文对CZTSSe组装和CZTSSe纳米晶制备方法的最新研究进展也进行了总结。最后,对CZTSSe光伏技术的一些限制因素进行了分析,并对CZTSSe薄膜电池未来的研究前景进行了展望。 展开更多
关键词 cu2ZnSn(S se)4 薄膜 太阳电池 制备方法 研究进展
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纳米Cu2Se的制备及其生长机理分析 被引量:3
19
作者 严伟 胡陈果 +4 位作者 刘宏 奚伊 张密超 黎飞云 张燕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期474-477,共4页
采用一种新的合成技术,在复合氢氧化物熔融体中,以CuCl2·2H2O和Se粉为原料在200℃下合成了Cu2Se纳米晶体,X射线衍射谱表明合成的Cu2Se纳米晶体属立方晶系结构,格点对称群为Fm3m(225),格点参数a=0.5765nm。扫描电子显微镜(... 采用一种新的合成技术,在复合氢氧化物熔融体中,以CuCl2·2H2O和Se粉为原料在200℃下合成了Cu2Se纳米晶体,X射线衍射谱表明合成的Cu2Se纳米晶体属立方晶系结构,格点对称群为Fm3m(225),格点参数a=0.5765nm。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)图表明Cu2Se纳米晶体为厚度为10~20nm,宽度为200-300nm的片状结构。生长时加入少量的水会导致棒状非晶产生,水量越多棒状非晶的尺寸越大,使得Cu2Se晶体的均匀性和品质变差。根据配位多面体生长机理模型,计算了生长基元的稳定能,并探讨了在复合氢氧化物熔融中纳米Cu2Se晶体的形成机理。 展开更多
关键词 cu2se 纳米晶体 配位多面体生长机理模型
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Se及Cu_2Se纳米线的大面积合成及其纳米电子学器件性能 被引量:1
20
作者 赵云 覃东欢 +2 位作者 陶洪 兰林峰 Keith Chan 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期26-28,共3页
通过液相化学反应制备了高质量硒(Se)纳米线,同时以Se纳米线为模板,合成了Cu2Se纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米线的形貌结构特征。结果显示,Se纳米线为单晶结构,生长方向沿其[001]面... 通过液相化学反应制备了高质量硒(Se)纳米线,同时以Se纳米线为模板,合成了Cu2Se纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米线的形貌结构特征。结果显示,Se纳米线为单晶结构,生长方向沿其[001]面。结合先进的光刻技术及磁控溅射,成功制备了Se和Cu2Se纳米电子学器件。初步测试表明,这种Se纳米线为p型半导体,而Cu2Se纳米线则表现出明显的相变行为。这些发现有利于开发纳米线场效应晶体管以及相变存储器件方面的应用。 展开更多
关键词 se cu2se 纳米线
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