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Cu(In,Ga)Se_2薄膜电沉积制备及性能研究 被引量:5
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作者 夏冬林 徐慢 +1 位作者 李建庄 赵修建 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1146-1150,共5页
采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度... 采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜。研究了不同热处理温度对C IGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能。实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数。 展开更多
关键词 cu(In ga)Se2(CIGS) 薄膜 电沉积 太阳能电池
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柠檬酸钠的浓度对电沉积制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜的影响(英文) 被引量:4
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作者 夏冬林 赵修建 李建庄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期704-708,共5页
本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜... 本文详细介绍了电沉积制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的原理。电解液由CuCl2,InCl3,GaCl3和柠檬酸钠溶液组成。溶流组成通过改变柠檬酸钠的浓度,铟和镓的沉积电位接近或等于铜和硒的沉积电位。Cu(In,Ga)Se2薄膜的性能研究分别采用扫描电镜自带能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜分析Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成、晶体结构和表面形貌。结果表明当柠檬酸钠浓度为1.0M时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为单一的黄铜矿结构,晶粒大小均匀。 展开更多
关键词 cu(In ga)Se2 薄膜 电沉积 柠檬酸钠 太阳能电池
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CuInSe_2和Cu(In,Ga)Se_2薄膜的制备进展 被引量:2
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作者 陈志钢 马冠香 +1 位作者 唐明华 胡俊青 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第15期122-125,130,共5页
综述了CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的最新制备和研究进展,重点论述了几种制备方法如热蒸发、喷涂热解、电化学沉积、溶解-旋涂、高温液相合成等对相应薄膜的形貌、结构、成分以及所组成太阳能电池光电性能的影响,探讨了这类... 综述了CuInSe2(CIS)和Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的最新制备和研究进展,重点论述了几种制备方法如热蒸发、喷涂热解、电化学沉积、溶解-旋涂、高温液相合成等对相应薄膜的形貌、结构、成分以及所组成太阳能电池光电性能的影响,探讨了这类薄膜太阳能电池存在的问题,展望了今后的研究方向。 展开更多
关键词 铜铟硒 铜铟镓硒 薄膜 制备方法
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纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜反应过程及其性能研究 被引量:2
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作者 郑春满 韦永滔 +1 位作者 谢凯 韩喻 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期701-706,共6页
以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,... 以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,采用霍尔效应测试仪和吸收光谱分析等对多晶CIGS薄膜的性能进行了表征。研究结果表明,纳米金属氧化物主要含CuO、In2O3、Ga2O3和铜-铟、铜-镓二元合金氧化物等成分,在还原反应中逐渐转变成Cu11In9、Cu9In4等产物,同时薄膜中形成大量孔隙;硒化过程中,硒蒸气沿孔隙通道进入还原产物的晶格,反应生成CIS和CGS,从而形成具有黄铜矿结构的多晶CIGS薄膜;多晶CIGS薄膜表面晶粒排列紧密,属于p型半导体,其载流子浓度为2.3×1015cm-3,迁移率为217 cm2/(V.s),电阻率为36.cm,带隙宽度约为1.15 eV。 展开更多
关键词 氧化物 cu(In ga)Se2薄膜 光学性能 反应过程
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多晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池光强特性的研究 被引量:2
5
作者 刘芳芳 孙云 +4 位作者 张力 李长健 乔在祥 何青 王赫 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期576-580,共5页
本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10-100 mW/cm^2范围内的性能参数。结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显... 本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10-100 mW/cm^2范围内的性能参数。结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm^2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm^2时,电池性能衰减明显。这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高。其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退。最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7%)比低Ga含量(6.9%)的电池弱光特性好。 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 光强特性 弱光特性
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蒸发法制备CIGS薄膜太阳电池的研究进展 被引量:5
6
作者 冯金晖 杜光远 +3 位作者 王赫 李微 赵彦民 乔在祥 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期788-792,共5页
多元共蒸发技术制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜具有结晶质量高,梯度带隙,成分易于精确控制等优点,被认为是制备高效率CIGS薄膜太阳电池的最佳工艺。目前,该工艺制备的CIGS电池的实验室转换效率已经超过20%,通过改进和优化共蒸发工艺流程... 多元共蒸发技术制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜具有结晶质量高,梯度带隙,成分易于精确控制等优点,被认为是制备高效率CIGS薄膜太阳电池的最佳工艺。目前,该工艺制备的CIGS电池的实验室转换效率已经超过20%,通过改进和优化共蒸发工艺流程,继续提高电池性能、发展柔性衬底薄膜电池、尽快将实验室技术转移为CIGS电池组件的商业化生产成为新的研究热点。主要介绍了共蒸发工艺的特点,以及近年来在制备CIGS薄膜太阳电池及组件方面的研究进展。 展开更多
关键词 cu(In ga)Se2薄膜 共蒸发工艺 太阳电池及组件 商业化生产
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薄膜太阳电池的研究进展及应用前景 被引量:22
7
作者 徐立珍 李彦 秦锋 《可再生能源》 CAS 2006年第3期9-12,共4页
阐述了非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池、锑化镉薄膜电池、铜铟镓硒薄膜太阳电池和染料敏化TiO2太阳电池的研究现状,简要介绍了我国薄膜太阳电池研究的进展,指出了太阳电池在我国的应用前景。
关键词 薄膜电池 非晶硅 多晶硅 锑化镉 铜铟镓硒 染料敏化
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衬底温度对低温制备铜铟镓硒薄膜结晶性能的影响 被引量:1
8
作者 曹章轶 吴敏 张冬冬 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期65-69,共5页
采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系... 采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系。结果表明:随着第二步和第三步衬底温度同时升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,镓的两相分离现象逐渐消失;保持第二步衬底温度不变,随着第三步衬底温度进一步升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸继续增大,薄膜的结晶质量显著改善;第二步和第三步衬底温度的变化对CIGSe薄膜的织构取向基本没有影响。 展开更多
关键词 铜铟镓硒薄膜 衬底温度 低温生长 结晶质量
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化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜研究进展 被引量:2
9
作者 崔占奎 邹正光 +1 位作者 龙飞 吴一 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2008年第4期8-10,18,共4页
硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜... 硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜作为一种性能优良、制备成本低廉、对环境友好的功能薄膜材料具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 化学水浴沉积 硫化锌薄膜 cu(In ga)Se2 太阳电池
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络合剂对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响 被引量:2
10
作者 刘琪 冒国兵 敖建平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期382-385,共4页
采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等。结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构。柠檬酸钠体系沉积的ZnS薄... 采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等。结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构。柠檬酸钠体系沉积的ZnS薄膜结晶和透过率最佳,但薄膜表面缺陷较多;氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜表面质量最佳,结晶和透过率也较好;氨水体系沉积的ZnS薄膜质量较差。用3种体系沉积的ZnS薄膜用于制备铜铟镓硒Cu(In,Ga)Se2太阳电池,氨水和氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜制备的电池转换效率明显高于柠檬酸钠体系沉积的ZnS制备的太阳电池。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(CBD) 络合剂 ZNS薄膜 cu(In ga)Se2太阳电
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温度对CIGS太阳电池输出特性的影响 被引量:1
11
作者 刘芳芳 王赫 +1 位作者 张毅 周志强 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第9期1762-1766,共5页
温度特性是太阳电池的一个重要特征,本文研究了Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜太阳电池的输出特性随温度变化(120~260 K))的规律。发现,随着温度升高,开路电压Voc明显降低,温度系数为-1.08m V/K,短路电流Isc小幅升高,温度系数为0.01401 m A/K... 温度特性是太阳电池的一个重要特征,本文研究了Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜太阳电池的输出特性随温度变化(120~260 K))的规律。发现,随着温度升高,开路电压Voc明显降低,温度系数为-1.08m V/K,短路电流Isc小幅升高,温度系数为0.01401 m A/K。这是因为:随着温度上升,禁带宽度下降,暗电流增加,造成开路电压的降低;更多的光生载流子被激发,串联电阻有所下降,使得短路电流增加。两者共同作用,电池效率有所下降。 展开更多
关键词 cu(In ga)Se2薄膜太阳电池 温度系数 输出特性
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基于声表面波的氢气传感器 被引量:2
12
作者 王文 梅盛超 +3 位作者 薛蓄峰 梁勇 潘勇 雷刚 《应用声学》 CSCD 北大核心 2018年第5期758-764,共7页
将钯基材料对氢气分子的特异选择性吸附能力与声表面波的快速响应特点相结合,可实现一种快速、高灵敏和低功耗的氢气检测与报警技术。传感器由双通道差分式振荡器与沉积在传感器件表面的声表面波传播路径上的钯基气敏薄膜组成。为提升... 将钯基材料对氢气分子的特异选择性吸附能力与声表面波的快速响应特点相结合,可实现一种快速、高灵敏和低功耗的氢气检测与报警技术。传感器由双通道差分式振荡器与沉积在传感器件表面的声表面波传播路径上的钯基气敏薄膜组成。为提升传感器响应速度,该文探讨了采用钯镍合金薄膜与钯铜纳米线作为气敏材料的氢气传感器响应特性,通过对气敏材料制备方法及参数的优化,研制了两种沉积不同钯基气敏材料的氢气传感器件,并对其性能进行了评测。实验测试结果表明:钯铜纳米线气敏材料由于具有大体积表面积比和多孔结构,大幅提高了SAW氢气传感器响应速度,针对浓度为10%、4%以及0.5%的氢气响应时间可达~2s。 展开更多
关键词 声表面波 氢气传感器 钯镍合金薄膜 钯铜纳米线 差分振荡器
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铜铟镓硒薄膜太阳电池辐照效应研究
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作者 张超 邓朝文 乔在祥 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1324-1326,1333,共4页
高性能、高可靠性、质量轻、抗辐照能力强、低成本是未来空间用太阳电池技术的主要发展方向。铜铟镓硒薄膜太阳电池最高转换效率已突破21%,并具有轻质、抗辐照能力强等特点,是最具有空间应用前景的新一代太阳电池。总结了国内外铜铟镓... 高性能、高可靠性、质量轻、抗辐照能力强、低成本是未来空间用太阳电池技术的主要发展方向。铜铟镓硒薄膜太阳电池最高转换效率已突破21%,并具有轻质、抗辐照能力强等特点,是最具有空间应用前景的新一代太阳电池。总结了国内外铜铟镓硒薄膜太阳电池辐照效应的研究状况,阐述了铜铟镓硒薄膜太阳电池辐照效应研究差异的主要原因,指出了未来铜铟镓硒薄膜太阳电池辐照效应的研究方向。 展开更多
关键词 铜铟镓硒薄膜 辐照损伤 空间太阳电池
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CIGS薄膜太阳电池研究进展 被引量:3
14
作者 杜园 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期748-753,共6页
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池以其具有的诸多优势成为最具发展潜力的太阳电池之一。随着CIGS薄膜太阳电池光电转换效率世界纪录的不断被刷新,继续提高电池性能、研究无Cd缓冲层材料,发展柔性衬底CIGS薄膜电池及组件,优化现有的工艺流... Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池以其具有的诸多优势成为最具发展潜力的太阳电池之一。随着CIGS薄膜太阳电池光电转换效率世界纪录的不断被刷新,继续提高电池性能、研究无Cd缓冲层材料,发展柔性衬底CIGS薄膜电池及组件,优化现有的工艺流程,开发低成本的吸收层沉积工艺,尽快将实验室技术转移为CIGS电池组件的商业化生产成为今后的研究热点。主要介绍了CIGS薄膜太阳电池近年来在这些方面的研究进展。 展开更多
关键词 cu(In ga)Se2薄膜太阳电池 高效率 低成本 商业化生产
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铜铟镓硒薄膜光伏组件中电池与封装材料界面的光学特性对组件性能的影响 被引量:2
15
作者 林舒平 单洪青 庄大明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期849-857,共9页
根据测试数据,分析模拟了铜铟镓硒(CIGS)薄膜光伏组件中电池的活性区域、非活性区域与封装材料之间界面的光学特性对组件的短路电流产生的影响。根据组件结构建立了光学模型,从光学模拟结果分析组件内的反射与吸收。发现电池前电极透明... 根据测试数据,分析模拟了铜铟镓硒(CIGS)薄膜光伏组件中电池的活性区域、非活性区域与封装材料之间界面的光学特性对组件的短路电流产生的影响。根据组件结构建立了光学模型,从光学模拟结果分析组件内的反射与吸收。发现电池前电极透明导电氧化物薄膜(TCO)与封装材料界面的反射不可忽视,提出通过在透明导电氧化物薄膜与封装材料之间添加减反射层,并以MgO作为膜层材料以降低活性区域的界面反射;模拟了在非活性区域一次反射光角度与二次反射的关系,由此分析了非活性区域反射面倾角、镜面反射与漫反射比例对光利用的影响。模拟结果显示,活性区域的减反层结构可降低透明导电氧化物薄膜表面的反射率1%以上,而通过在非活性面积区域制备光反射结构,理论上能够利用非活性区域光照超过50%。 展开更多
关键词 铜铟镓硒薄膜光伏组件 模拟 界面反射 光管理
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等离子体气相凝聚技术制备铜纳米团簇薄膜的沉积速率研究
16
作者 黄江磊 罗江山 +4 位作者 李喜波 王雅丽 张建波 易勇 唐永建 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期921-926,共6页
采用等离子体气相凝聚技术并结合差分抽气技术产生铜纳米团簇束流,然后在衬底上沉积铜纳米团簇薄膜,研究了溅射电流、氩气流量和结露区长度对其沉积速率的影响。利用X射线衍射仪和透射电子显微镜对薄膜微结构进行了表征。结果表明:保持... 采用等离子体气相凝聚技术并结合差分抽气技术产生铜纳米团簇束流,然后在衬底上沉积铜纳米团簇薄膜,研究了溅射电流、氩气流量和结露区长度对其沉积速率的影响。利用X射线衍射仪和透射电子显微镜对薄膜微结构进行了表征。结果表明:保持其他参数不变的情况下,增加溅射电流和氩气流量,铜纳米团簇薄膜的沉积速率均呈现先增大后减小的趋势,而结露区长度对沉积速率的影响无明显规律,这主要归因于铜纳米团簇粒子的平均自由程变化。铜纳米团簇薄膜主要由粒径约为几纳米的团簇颗粒组成,其结晶程度较低。 展开更多
关键词 等离子体气相凝聚技术 差分抽气技术 铜纳米团簇薄膜 沉积速率
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In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究
17
作者 王兴磊 敖建平 +4 位作者 何青 李凤岩 杨宇 王茺 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期420-425,共6页
(In,Ga)_2Se_3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能。实验就多源共蒸发制备In_2Se_3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究。分析讨论... (In,Ga)_2Se_3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能。实验就多源共蒸发制备In_2Se_3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究。分析讨论上述3种因素对In_2Se_3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响。发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380~400℃的较高温度时,制备的In_2Se_3预制层是单一晶相的In_2 Se_3,其X射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向。反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In_2Se_3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In_2Se_3(006)衍射峰为择优取向。 展开更多
关键词 In2Se3薄膜 cu(IN ga)SE2 择优取向 太阳电池
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第二步沉积速率和钠掺杂对低温生长铜铟镓硒薄膜结构及电阻率的影响
18
作者 林璠 孔慧 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期6-9,15,共5页
首先采用热蒸发法在镀钼的PI衬底上沉积NaF薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积NaF的PI衬底上沉积铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,研究了第二步沉积速率和钠掺杂对CIGSe薄膜结构及电阻率的影响。结果表明:随着第二步沉积速率增大,CIGSe薄膜的... 首先采用热蒸发法在镀钼的PI衬底上沉积NaF薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积NaF的PI衬底上沉积铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,研究了第二步沉积速率和钠掺杂对CIGSe薄膜结构及电阻率的影响。结果表明:随着第二步沉积速率增大,CIGSe薄膜的晶粒尺寸显著增大,(220/204)择优取向生长逐渐增强;随着钠掺杂量增加,CIGSe薄膜的电阻率显著下降,晶粒尺寸逐渐减小,择优取向从(220/204)织构方向转变为(112)织构方向,并出现镓的两相分离现象。 展开更多
关键词 铜铟镓硒薄膜 沉积速率 钠掺杂 低温生长
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