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电镀法制备超高密度Cu/Sn凸点和Cu/SnAg凸点及其微观形貌研究
1
作者 罗灿琳 林畅 +6 位作者 曾煌杰 张永爱 孙捷 严群 吴朝兴 郭太良 周雄图 《光电子技术》 2025年第1期10-17,共8页
以超高密度Cu/Sn微凸点和Cu/SnAg微凸点为研究对象,采用COMSOL软件建立仿真模型,研究了不同焊料凸点高度对键合可靠性的影响;采用电镀法制备Cu/Sn凸点阵列和Cu/SnAg凸点阵列,重点对界面处金属间化合物(Intermetallic compounds,IMC)进... 以超高密度Cu/Sn微凸点和Cu/SnAg微凸点为研究对象,采用COMSOL软件建立仿真模型,研究了不同焊料凸点高度对键合可靠性的影响;采用电镀法制备Cu/Sn凸点阵列和Cu/SnAg凸点阵列,重点对界面处金属间化合物(Intermetallic compounds,IMC)进行研究。结果表明,Cu/SnAg凸点高度的增加有利于降低凸点键合界面应力,从而提高芯片键合可靠性。金属凸点尺寸越小,界面处金属间化合物生长越快,空洞数量越多。雾锡凸点的晶粒尺寸大于亮锡凸点,而且晶界数量较少,使得凸点界面上IMC的生长速度较慢。因此,雾锡凸点能够有效减少凸点界面空洞的形成,SnAg合金替代纯锡材料可以进一步减少凸点界面空洞的形成。通过优化工艺条件,成功制备出点间距为8μm,像素阵列为1920×1080的超高密度Cu/SnAg金属凸点。 展开更多
关键词 cu/sn凸点 cu/snAg凸点 金属间化合物 电镀
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静电纺丝法制备SnSbCuFeZn高熵合金/碳纳米纤维复合负极材料 被引量：2
2
作者 辛玉 潘石 +2 位作者 聂淑晴 缪畅 肖围 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第4期61-66,共6页
采用静电纺丝技术,结合煅烧工艺,将SnSbCuFeZn高熵合金纳米颗粒均匀地锚定在导电互联的碳纳米纤维中,成功制备了SnSbCuFeZn@CNFs锂离子电池复合负极材料。结果表明,煅烧温度对材料的物相组成和形貌特征有重要影响,且直接影响SnSbCuFeZn... 采用静电纺丝技术,结合煅烧工艺,将SnSbCuFeZn高熵合金纳米颗粒均匀地锚定在导电互联的碳纳米纤维中,成功制备了SnSbCuFeZn@CNFs锂离子电池复合负极材料。结果表明,煅烧温度对材料的物相组成和形貌特征有重要影响,且直接影响SnSbCuFeZn高熵合金纳米颗粒的晶相、尺寸和分布,决定SnSbCuFeZn@CNFs电极的电化学性能。其中SnSbCuFeZn@CNFs-900电极展现出优良综合性能:0.1 A/g时,初始放电比容量达1232.8 mA/g,循环200次后可逆放电比容量保持在786.0 mA/g;1.0 A/g时,循环500次后放电比容量仍有433.8 mA/g;2.0 mV/s扫描速度下,赝电容贡献率高达93.37%。 展开更多
关键词 静电纺丝法 snSbcuFeZn高熵合金 碳纳米纤维 负极材料 锂离子电池
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Sn和Ni对过冷Ag-28.1Cu共晶合金凝固组织的影响
3
作者 李宏 金青林 林水根 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期50-57,共8页
为了揭示在共晶相中具有不同固溶度的Sn和Ni元素对过冷共晶凝固组织的影响和作用机理,使用熔融玻璃净化和循环过热相结合的方法制备了过冷Ag-28.1Cu-xM(x=0%0.5%、1%,质量分数;M=Sn,Ni)共晶合金试样,分析了第3组元Sn和Ni对过冷Ag-Cu共... 为了揭示在共晶相中具有不同固溶度的Sn和Ni元素对过冷共晶凝固组织的影响和作用机理,使用熔融玻璃净化和循环过热相结合的方法制备了过冷Ag-28.1Cu-xM(x=0%0.5%、1%,质量分数;M=Sn,Ni)共晶合金试样,分析了第3组元Sn和Ni对过冷Ag-Cu共晶合金凝固组织的影响。结果表明添加Sn元素不会改变宏观组织的分区特征,微观组织中出现反常共晶增多和粗化的现象,并具有随机的取向分布。凝固过程中Sn会形成垂直于固-液界面的浓度梯度,造成胞状界面失稳形成树枝状,但仍能够维持耦合共晶生长。而添加Ni元素会使宏观组织的分区特征消失,微观组织中则出现了单相枝晶,且表现出单一取向分布,原因是第3组元Ni平行于固-液界面扩散,使共晶合金生长方式从耦合生长转变为离异生长。 展开更多
关键词 Ag-28.1cu共晶合金 深过冷 合金元素sn和Ni 凝固组织 EBSD
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先进封装Cu-Sn互连焊点界面金属间化合物研究进展
4
作者 陈平 《微纳电子技术》 CAS 2024年第11期31-43,共13页
对先进封装中Cu-Sn焊点之间的界面金属间化合物(IMC)形成机理与生长控制进行阐述,分别从Cu-Sn焊点界面之间增加阻挡层与锡焊点内部掺杂合金元素两个方面介绍了Cu-Sn焊点之间良性IMC层的形成与生长控制机理。重点介绍了尺寸效应、热迁移... 对先进封装中Cu-Sn焊点之间的界面金属间化合物(IMC)形成机理与生长控制进行阐述,分别从Cu-Sn焊点界面之间增加阻挡层与锡焊点内部掺杂合金元素两个方面介绍了Cu-Sn焊点之间良性IMC层的形成与生长控制机理。重点介绍了尺寸效应、热迁移和电迁移三种因素促进焊点界面恶性IMC层的形成原理,分析了恶性IMC层对焊点可靠性的影响与失效模式。对国内外控制良性IMC层的形成与生长的研究和抑制恶性IMC层的形成与生长的研究进行了评述,总结了近年来IMC层生长过程对先进封装Cu-Sn焊点可靠性影响的研究进展。最后,从焊点可靠性角度对良性IMC层的控制方法进行了分析总结,并从改良和创新两个方面对该领域未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 先进封装 铜-锡焊点 可靠性 金属间化合物(IMC) 界面反应
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Sn-Zn-Cu/Cu界面反应及剪切强度 被引量：5
5
作者 王来 马海涛 +1 位作者 谢海平 于大全 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期663-667,共5页
为探讨Cu的加入对Sn-Zn钎料性能的影响,研究了Sn-Zn-xCu与Cu箔钎焊界面处金属间化合物(IMC)成分、形貌及剪切强度. 试验结果表明,含0～1%Cu时,Sn-Zn-xCu钎料与Cu母材钎焊界面处IMC主要为层状Cu5Zn8相;在含2%～6%Cu时,为Cu6Sn5相和Cu5Zn... 为探讨Cu的加入对Sn-Zn钎料性能的影响,研究了Sn-Zn-xCu与Cu箔钎焊界面处金属间化合物(IMC)成分、形貌及剪切强度. 试验结果表明,含0～1%Cu时,Sn-Zn-xCu钎料与Cu母材钎焊界面处IMC主要为层状Cu5Zn8相;在含2%～6%Cu时,为Cu6Sn5相和Cu5Zn8相共同组成;在含8%Cu时,为Cu6Sn5相. 这是由于合金基体中生成的Cu-Zn化合物阻碍了Zn向Cu界面处扩散,进而使得界面处IMC由层状Cu5Zn8逐渐向扇贝状Cu6Sn5转变. 另外,随着Sn-Zn钎料中Cu含量的增加,Sn-Zn-xCu/Cu接头剪切强度因界面IMC类型的变化以及钎料合金自身强度的提高而使得钎焊接头剪切强度明显提高. 展开更多
关键词 无铅钎料 sn—Zn—cu 金属间化合物 剪切强度
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PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性 被引量：5
6
作者 刘磊 余亮 +2 位作者 李学留 汪壮兵 梁齐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1311-1319,共9页
利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(... 利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley4200-SCS半导体参数分析仪研究了Cu掺杂量对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和电学性能的影响。结果表明:所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,SnS∶5%Cu薄膜的结晶质量最好且具有SnS特征拉曼峰。随着Cu掺杂量的增大,平均颗粒尺寸逐渐增大。不同Cu掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105cm-1数量级。SnS∶5%Cu薄膜的禁带宽度Eg为2.23eV,光暗电导率比值为2.59。同时,在玻璃衬底上制备了p-SnS∶Cu/n-ZnS异质结器件,器件在暗态及光照的条件下均有良好的整流特性,并具有较弱的光伏特性。 展开更多
关键词 snS薄膜 脉冲激光沉积 cu掺杂 异质结器件
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Sn/Cu电极电化学还原CO_2的研究 被引量：6
7
作者 赵晨辰 郭建伟 +3 位作者 王莉 何向明 王诚 刘志祥 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期169-173,共5页
采用电沉积法制备Sn/Cu电极,由SEM观察并研究了电沉积电流密度对电极形貌的影响.在碱性三电极体系中考察了Sn/Cu电极对析氢、CO2还原的影响.发现10 mA.cm-2和15 mA.cm-2电沉积电流密度下制得的电极活性较高,尤以15 mA.cm-2时电极性能更... 采用电沉积法制备Sn/Cu电极,由SEM观察并研究了电沉积电流密度对电极形貌的影响.在碱性三电极体系中考察了Sn/Cu电极对析氢、CO2还原的影响.发现10 mA.cm-2和15 mA.cm-2电沉积电流密度下制得的电极活性较高,尤以15 mA.cm-2时电极性能更佳,并指出了电还原CO2关键材料的结构特性. 展开更多
关键词 sn/cu电极 CO2电化学还原
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含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术 被引量：4
8
作者 吕亚平 刘孝刚 +1 位作者 陈明祥 刘胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期64-70,共7页
研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度... 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。 展开更多
关键词 三维封装 硅通孔(TSV) cu sn低温键合 多层堆叠 系统封装
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锂离子电池三维多孔Cu_6Sn_5合金负极材料的制备及其性能 被引量：7
9
作者 樊小勇 庄全超 +3 位作者 江宏宏 黄令 董全峰 孙世刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第7期973-977,共5页
以三维多孔泡沫铜为基底,通过直接电沉积的方法制备锂离子电池Cu6Sn5合金负极材料.发现合金表面大量的微孔和“小岛”不仅增大电极的表面积,而且显著缓解充放电过程中的体积变化.测得三维多孔Cu6Sn5合金的初始放电(嵌锂)容量为620mAh... 以三维多孔泡沫铜为基底,通过直接电沉积的方法制备锂离子电池Cu6Sn5合金负极材料.发现合金表面大量的微孔和“小岛”不仅增大电极的表面积,而且显著缓解充放电过程中的体积变化.测得三维多孔Cu6Sn5合金的初始放电(嵌锂)容量为620mAh·g-1,充电(脱锂)容量为560mAh·g-1,库仑效率达到90.3%,具有较好的循环性能.扫描电子显微镜(SEM)结果显示,在泡沫铜基底上制备的Cu6Sn5合金电极具有比通常的铜片基底更好的结构稳定性,经过50周充放电循环后无明显的脱落现象. 展开更多
关键词 泡沫铜 电镀 cu6sn5 三维多孔结构
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以多孔铜为集流体制备Cu_6Sn_5合金负极及其性能 被引量：12
10
作者 樊小勇 庄全超 +4 位作者 魏国祯 柯福生 黄令 董全峰 孙世刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第4期611-616,共6页
以氢气泡为动力学模板电沉积获得多孔铜,并通过热处理增强其结构稳定性.进一步将多孔铜作为基底通过电沉积制备Cu-Sn合金负极.XRD结果给出其组成为Cu6Sn5合金,扫描电子显微镜(SEM)观察到Cu6Sn5合金电极为三维(3D)多孔结构.充放电结果指... 以氢气泡为动力学模板电沉积获得多孔铜,并通过热处理增强其结构稳定性.进一步将多孔铜作为基底通过电沉积制备Cu-Sn合金负极.XRD结果给出其组成为Cu6Sn5合金,扫描电子显微镜(SEM)观察到Cu6Sn5合金电极为三维(3D)多孔结构.充放电结果指出,Cu6Sn5合金电极具有较好的充放电性能,其首次放电(嵌锂)和充电(脱锂)容量分别为735和571mAh·g-1,并且具有较好的容量保持率.运用电化学阻抗谱研究了Cu6Sn5合金电极在商业电解液中的界面特性. 展开更多
关键词 多孔铜集流体 cu6sn5合金 锂离子电池 负极 电化学阻抗谱
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Cu-15Ni-8Sn-0.4Si合金铸态组织结构及成分偏析研究 被引量：17
11
作者 王艳辉 汪明朴 +1 位作者 洪斌 李周 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期104-107,共4页
用金相、扫描电镜及电子能谱微区成分分析等方法对添加少量Si的Cu 15Ni 8Sn合金的铸态组织结构及成分偏析进行了研究。结果发现 :Cu 15Ni 8Sn 0 .4Si合金的铸态组织分为三层 ,除具有明显的枝晶外 ,还有块状的 (Cu、Ni) 3Sn相和溶有少量C... 用金相、扫描电镜及电子能谱微区成分分析等方法对添加少量Si的Cu 15Ni 8Sn合金的铸态组织结构及成分偏析进行了研究。结果发现 :Cu 15Ni 8Sn 0 .4Si合金的铸态组织分为三层 ,除具有明显的枝晶外 ,还有块状的 (Cu、Ni) 3Sn相和溶有少量Cu的Ni2 Si和Ni3Sn相组成的第二层 ,在两层之间为组织形态复杂的过渡区。宏观上铸态组织存在Sn的反偏析 ,Sn的含量从外到内呈现下降趋势。与非真空熔铸相比真空熔铸能明显改善Cu 15Ni 8Sn 0 .4Si合金反偏析现象。均匀化退火对改善Sn的反偏析作用不大 ;枝晶组织可基本消除 ,但Ni、Si元素形成的化合物仍难以完全溶解。添加少量Si的Cu 15Ni 8Sn合金由于Ni2 Si和Ni3Si相的形成 ,通过阻碍晶粒长大和时效沉淀而强化合金。 展开更多
关键词 铸态组织 偏析 均匀化 铜合金
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Cu含量对Sn基无铅钎料组织、界面反应影响 被引量：4
12
作者 赵宁 王建辉 +2 位作者 潘学民 马海涛 王来 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期661-667,共7页
研究了Cu含量对Sn-xCu(x=0.7%,2%)、Sn-9Zn-xCu(x=0,2%,10%)两种无铅钎料的基体组织以及与Cu基板短时间钎焊时界面金属间化合物(IMC)生长行为的影响.结果表明,当Sn-Cu钎料中Cu的含量为2%时,基体中IMC粗化为块状的Cu6Sn5相;对于Sn-9Zn-xC... 研究了Cu含量对Sn-xCu(x=0.7%,2%)、Sn-9Zn-xCu(x=0,2%,10%)两种无铅钎料的基体组织以及与Cu基板短时间钎焊时界面金属间化合物(IMC)生长行为的影响.结果表明,当Sn-Cu钎料中Cu的含量为2%时,基体中IMC粗化为块状的Cu6Sn5相;对于Sn-9Zn-xCu钎料合金,2%Cu元素的加入使得Sn-9Zn基体中长针状的富Zn相转化为Cu5Zn8相以及细小的富Zn相,而当Cu含量达到10%时,钎料基体中的IMC为CuZn相与Cu6Sn5相.在260℃短时间钎焊下,Cu含量的增加加速了Sn-xCu/Cu界面IMC的粗化和生长;而对于Sn-9Zn-xCu/Cu,Cu含量的增加却明显降低了界面IMC的生长速率.同时分析、讨论了界面IMC随钎焊时间变化的生长行为. 展开更多
关键词 无铅钎料 sn-cu sn-Zn-cu 界面反应 生长行为
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纳米Al_2O_3添加剂含量对Cu-Sn合金镀层微结构及性能的影响 被引量：3
13
作者 郭燕清 宋仁国 +3 位作者 陈亮 戈云杰 王超 宋若希 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期1-4,6,共4页
当下,焦磷酸盐体系Cu-Sn合金电镀存在许多问题,将纳米Al2O3粉末加入镀液中,可解决镀层的一些结构和性能问题。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、电化学测量技术,研究了纳米Al2O3添加剂对Cu-Sn合金电镀层微结构及性能的... 当下,焦磷酸盐体系Cu-Sn合金电镀存在许多问题,将纳米Al2O3粉末加入镀液中,可解决镀层的一些结构和性能问题。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、电化学测量技术,研究了纳米Al2O3添加剂对Cu-Sn合金电镀层微结构及性能的影响。结果表明:在直流电镀过程中,纳米Al2O3能够进入Cu-Sn合金镀层,镀层微结构、性能与其含量有着较大的关系;随着纳米Al2O3含量的增加,Cu-Sn合金镀层更加致密、均匀,其硬度、耐蚀性与耐磨性不断提高;当Al2O3纳米浓度达到8 g/L时,Cu-Sn合金镀层的显微硬度、耐蚀性能、耐磨性能及与基体的结合强度处于最佳状态。 展开更多
关键词 cu—sn合金电镀 焦磷酸盐体系 纳米Al2O3添加剂 镀层结构与性能
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半导体激光软钎焊Sn-Ag-Cu焊点微观组织 被引量：16
14
作者 韩宗杰 鞠金龙 +3 位作者 薛松柏 方典松 王俭辛 姚立华 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期229-234,共6页
采用90 W半导体激光焊接系统对Sn-Ag-Cu无铅钎料在纯铜基板上进行钎焊试验。针对在不同激光输出功率下形成的微焊点形貌,分析Sn-Ag-Cu钎料在纯铜基板上的润湿、铺展规律和微焊点的微观组织特征。通过分析比较在激光软钎焊和红外再流焊2... 采用90 W半导体激光焊接系统对Sn-Ag-Cu无铅钎料在纯铜基板上进行钎焊试验。针对在不同激光输出功率下形成的微焊点形貌,分析Sn-Ag-Cu钎料在纯铜基板上的润湿、铺展规律和微焊点的微观组织特征。通过分析比较在激光软钎焊和红外再流焊2种再流焊加热方式的Sn-Ag-Cu钎料微焊点的微观组织,发现:当采用半导体激光软钎焊时存在最佳输出功率,在此功率下得到的微焊点组织均匀,晶粒细小,没有产生空洞缺陷,力学性能最佳。 展开更多
关键词 半导体激光软钎焊 无铅钎料 sn-AG-cu 微观组织
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微电子封装中全Cu_3Sn焊点形成过程中的组织演变及生长形貌 被引量：2
15
作者 梁晓波 李晓延 +2 位作者 姚鹏 李扬 金凤阳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期106-112,共7页
在3D封装中,全Cu_3Sn焊点逐渐得到广泛应用。选择270℃,1N分别作为钎焊温度和钎焊压力,在不同钎焊时间下制备焊点,分析其组织演变过程,分别观察不同钎焊温度和钎焊时间下Cu_6Sn_5立体形貌,以研究Cu_6Sn_5生长规律及温度对其生长形貌的... 在3D封装中,全Cu_3Sn焊点逐渐得到广泛应用。选择270℃,1N分别作为钎焊温度和钎焊压力,在不同钎焊时间下制备焊点,分析其组织演变过程,分别观察不同钎焊温度和钎焊时间下Cu_6Sn_5立体形貌,以研究Cu_6Sn_5生长规律及温度对其生长形貌的影响。结果表明:钎焊30min后Cu基板与液态Sn之间形成扇贝状Cu_6Sn_5,Cu_6Sn_5与Cu基板之间出现一层较薄的Cu_3Sn。当钎焊时间增加到60min后,液态Sn全部被消耗,上下两层Cu_6Sn_5形成一个整体。继续增加钎焊时间,Cu_3Sn以Cu_6Sn_5的消耗为代价不断长大,直到480min时Cu_6Sn_5全部转化成Cu_3Sn。Cu_6Sn_5长大增厚过程为表面形核、长大、小晶粒融合、包裹初始大晶粒。随着钎焊温度的增加,Cu_6Sn_5的形貌逐渐由多面体状变为匍匐状。 展开更多
关键词 cu3sn焊点 cu6sn5 组织演变 形貌
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真空熔铸法和快速凝固法制备的Cu-15Ni-8Sn-XSi合金的组织研究 被引量：9
16
作者 刘施峰 汪明朴 +2 位作者 李周 郭明星 王艳辉 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期73-75,80,共4页
利用金相、扫描电镜及电子能谱微区成分分析等方法对采用真空熔铸法和快速凝固法制备的不含Si及添加不同Si含量(0.3%和1.2%)的Cu-15Ni-8Sn合金的铸态组织形貌及构成进行了研究。结果发现,采用真空熔铸法所制备的合金的铸态组织具有发达... 利用金相、扫描电镜及电子能谱微区成分分析等方法对采用真空熔铸法和快速凝固法制备的不含Si及添加不同Si含量(0.3%和1.2%)的Cu-15Ni-8Sn合金的铸态组织形貌及构成进行了研究。结果发现,采用真空熔铸法所制备的合金的铸态组织具有发达的枝晶,且明显地分为3层,添加的Si由于与Ni结合生成Ni3Si相而细化了枝晶。与真空熔铸法相比,采用快速凝固法制备的添加少量Si的合金,其晶粒均匀细小,枝晶基本消除,微区成分更均匀。相对Si含量较少(0.3%)的合金,当Si含量增加到1.2%时,由于Si抑制了Sn在基体中的固溶度,导致合金中Sn的显微偏析有所加剧。 展开更多
关键词 cu-Ni-sn 快速凝固 添加Si 铸态组织
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引线框架Cu-Cr-Sn-Zn合金时效组织与性能 被引量：7
17
作者 苏娟华 董企铭 +2 位作者 刘平 李贺军 康布熙 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期201-203,共3页
研究了不同时效工艺对Cu Cr Sn Zn合金的显微组织、硬度和导电性能的影响。合金在 4 5 0℃时效 1小时形成了有序的原子排列 ;同时细小弥散的Cr相与基体保持着共格关系。 5 0 0℃时效 30min比 5 0 0℃时效1 5min析出相更加弥散。最佳时... 研究了不同时效工艺对Cu Cr Sn Zn合金的显微组织、硬度和导电性能的影响。合金在 4 5 0℃时效 1小时形成了有序的原子排列 ;同时细小弥散的Cr相与基体保持着共格关系。 5 0 0℃时效 30min比 5 0 0℃时效1 5min析出相更加弥散。最佳时效工艺条件可取 4 5 0℃时效 3h～ 6h ,硬度为 1 2 0～ 1 0 6HV ,导电率达 6 8%IACS～70 %IACS。 5 0 0℃时效 2h～ 3h ,硬度为 1 1 2～ 1 0 9HV ,导电率达 6 6 %IACS～ 6 9%IACS。 展开更多
关键词 引线框架 cu-Cr-sn-Zn合金 时效组织 显微组织 硬度 导电性能
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Sn在Cu(111)上欠电位沉积的现场STM研究 被引量：1
18
作者 颜佳伟 吴琼 +1 位作者 林龙刚 毛秉伟 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期636-639,共4页
本文用现场扫描隧道显微镜 (in situSTM)研究Sn在Cu( 1 1 1 )上的欠电位沉积 (underpotentialdepositionUPD)过程。实验结果表明 ,Sn原子在Cu( 1 1 1 )表面上的UPD首先在晶面的边缘处发生 ,随后向晶面的其余地方发展并取代吸附在表面的S... 本文用现场扫描隧道显微镜 (in situSTM)研究Sn在Cu( 1 1 1 )上的欠电位沉积 (underpotentialdepositionUPD)过程。实验结果表明 ,Sn原子在Cu( 1 1 1 )表面上的UPD首先在晶面的边缘处发生 ,随后向晶面的其余地方发展并取代吸附在表面的SO2 -4 ,这一过程伴随着显著的台阶轮廓的变化。在Sn的UPD层溶出过程中 ,台阶边缘形状发生了更剧烈的变化 ,并且观察到凹洞的出现 ,表明Sn与Cu( 1 1 1 ) 展开更多
关键词 现场扫描隧道显微镜 cu(111) sn 欠电位沉积 凹洞 晶体表面
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国内Spinodal分解Cu-Ni-Sn系合金研究进展 被引量：16
19
作者 张少宗 江伯鸿 丁文江 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期84-86,共3页
全面回顾了国内自开展Spinodal分解Cu-Ni-Sn系合金研究以来所做的工作,系统介绍了Cu-Ni-Sn系合金的组织、性能、添加元素的作用以及制备方法,并指出进一步提高合金性能、开发能抑制Sn偏析的合金制备新技术是今后研究的方向。
关键词 cu-Ni-sn系合金 SPINODAL分解 组织 性能 添加元素
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微电子封装中Sn-Ag-Cu焊点剪切强度研究 被引量：1
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作者 谷博 王珺 +2 位作者 唐兴勇 俞宏坤 肖斐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期325-328,333,共5页
提出了一种对微电子封装器件中焊点剪切强度进行测试的方法,可有效降低测试误差。利用该方法,对Sn-Ag-Cu无铅焊料分别在Cu基板和Ni-P基板上形成的焊点,经不同的热时效后的剪切强度进行了测量,并对断裂面的微观结构进行了研究。结果表明... 提出了一种对微电子封装器件中焊点剪切强度进行测试的方法,可有效降低测试误差。利用该方法,对Sn-Ag-Cu无铅焊料分别在Cu基板和Ni-P基板上形成的焊点,经不同的热时效后的剪切强度进行了测量,并对断裂面的微观结构进行了研究。结果表明,新的剪切测试方法误差小,易于实施,焊点剪切强度、断裂面位置与焊料在不同基板界面上金属间化合物的形貌、成分有关。 展开更多
关键词 sn—Ag—cu 无铅焊料 剪切强度 金属间化合物
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