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一步法电化学沉积Cu(In1-x， Gax)Se2薄膜的特性
被引量：
8
1
作者
敖建平
孙国忠
+6 位作者
闫礼
康峰
杨亮
何青
周志强
李凤岩
孙云
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1073-1079,共7页
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制...
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹.
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关键词
电沉积
cu
(In1
-x
Gax)
se
2
薄膜
循环伏安法
pH缓冲溶液
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职称材料
Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜太阳电池吸收层材料研究进展
被引量：
1
2
作者
田晶
陈金伟
+3 位作者
杨鑫
王刚
汪雪芹
王瑞林
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期13-18,共6页
简要介绍了Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的结构特点,阐述目前其吸收层材料CIGS薄膜典型制备方法的特点、研究应用现状及发展趋势;提出了目前CIGS薄膜太阳电池实现大规模商业化应用存在的问题,并对其发展进行展望。
关键词
cu
(
inxga
1
-x
)
se
2(
cigs
)
薄膜
薄膜
太阳电池
制备方法
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职称材料
题名
一步法电化学沉积Cu(In1-x， Gax)Se2薄膜的特性
被引量：
8
1
作者
敖建平
孙国忠
闫礼
康峰
杨亮
何青
周志强
李凤岩
孙云
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1073-1079,共7页
基金
国家863基金(2006AA03Z217,2004AA513021)资助项目
文摘
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹.
关键词
电沉积
cu
(In1
-x
Gax)
se
2
薄膜
循环伏安法
pH缓冲溶液
Keywords
Electrodeposition
cu
（In1
-x
9 Gax）
se
2 thin film
Cyclic voltammetry
pH buffer solution
分类号
O614.121 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜太阳电池吸收层材料研究进展
被引量：
1
2
作者
田晶
陈金伟
杨鑫
王刚
汪雪芹
王瑞林
机构
四川大学材料科学与工程学院
教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期13-18,共6页
基金
高等学校博士学科点专项科研基金(20110181110003)
成都市科技局攻关计划(10GGYB380GX-023
+2 种基金
10GGYB828GX-023)
中物院-四川大学协同创新基金(XTCX2011001)
云南省教育厅科学研究基金(2012Y170)
文摘
简要介绍了Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的结构特点,阐述目前其吸收层材料CIGS薄膜典型制备方法的特点、研究应用现状及发展趋势;提出了目前CIGS薄膜太阳电池实现大规模商业化应用存在的问题,并对其发展进行展望。
关键词
cu
(
inxga
1
-x
)
se
2(
cigs
)
薄膜
薄膜
太阳电池
制备方法
Keywords
cu
(
inxga
1
-x
)
se
2(
cigs
) thin film
thin film solar cell
preparation process
分类号
TK511-55 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一步法电化学沉积Cu(In1-x， Gax)Se2薄膜的特性
敖建平
孙国忠
闫礼
康峰
杨亮
何青
周志强
李凤岩
孙云
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜太阳电池吸收层材料研究进展
田晶
陈金伟
杨鑫
王刚
汪雪芹
王瑞林
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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