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题名基于GO法和Extend的装备技术状态评估模型
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作者
颜静波
赵金超
周跃
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机构
海军工程大学管理工程系
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出处
《兵工自动化》
2013年第4期8-11,共4页
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文摘
针对现有的装备使用决策研究难以说明所得评估值代表的物理意义的问题,重新定义了装备技术状态的概念,提出一套基于GO法和Extend的装备技术状态评估的仿真建模方法。从使用者决策需求出发,给出了技术状态的数学表达。采用GO法构建描述功能流程,提出GO模型向Extend仿真模型的转换规则,并利用该规则,将GO模型转换成Extend仿真模型,进行技术状态的仿真评估。分析结果表明:该方法具有可行性,且评估结论对决策者的价值更为直接和有效。
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关键词
技术状态评估
GO法
extend
使用决策
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Keywords
technical state assessment
GO methodology
extend
operation decisions
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分类号
TJ02
[兵器科学与技术—兵器发射理论与技术]
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题名基于Pro/E零件模具型腔自动生成技术研究
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作者
孟兴菊
吴太虎
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机构
军事医学科学院卫生装备研究所
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出处
《机械设计与制造》
北大核心
2007年第6期181-182,共2页
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文摘
介绍了应用Pro/E进行模具型芯、型腔的自动生成方法,基于应用Pro/E软件设计模具的一些实践体会,详细介绍了Copy(复制)-Extend(延拓)技术在呼吸单向阀膜片模具型芯、型腔自动生成方面的技巧。
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关键词
模具型腔
PRO/E
copy—extend技术
单向阀
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Keywords
Mould cavity
Pro/E
copy-extend technology
Single-direction valve
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分类号
TG38
[金属学及工艺—金属压力加工]
TH138.52
[机械工程—机械制造及自动化]
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题名仿真技术在半导体和集成电路生产流程优化中的应用
被引量：1
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作者
闵春燕
王岩峰
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机构
浙江大学应用数学系计算机图形图象研究所
刃之砺信息科技(上海)公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期33-36,共4页
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文摘
半导体和集成电路制造是一个流程高度复杂,资金高度密集的加工过程。集成电路制造的特殊性表现在产品工序的繁多,对设备的高利用率要求,和“再进入”(Re-entry)的流程特点。这种特殊的工艺流程特点决定了半导体集成电路工序中的排队优化选择策略比其他制造行业更为复杂,对生产效率和制造周期有更直接的影响。本文通过EXTEND仿真软件对英特尔的一个微型晶圆试验台进行初步研究,来说明计算机仿真手段在半导体集成电路生产流程优化中的作用。
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关键词
仿真技术
半导体
集成电路
extend软件包
制造工艺流程
排队策略
制造周期
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Keywords
extend
simulation
semiconductor and IC manufacturing
production sequencing
queuing policies
cycle time reduction
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名基于遗传算法的维修任务调度优化及仿真
被引量：14
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作者
杨晶
曾斌
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机构
海军工程大学管理工程系
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出处
《计算机工程》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第18期243-245,248,共4页
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文摘
针对复杂维修任务调度问题,用Matlab编写的程序计算出满足约束条件的几组备选分配方案,筛选出有用方案后,用遗传算法计算各备选分配方案下的总维修跨度时间,取其中时间最短的作为最终方案并绘制甘特图。根据甘特图采用Extend软件对调度过程进行仿真,结果证明,该算法理论调度方案的总维修跨度时间和Extend仿真时间一致,能有效节省维修时间。
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关键词
任务调度
遗传算法
甘特图
extend技术
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Keywords
task schedule
Genetic Algorithm（GA）
Gantt chart
extend technology
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分类号
E917
[军事]
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题名高纯钽板中晶粒生长的取向相关性研究
被引量：3
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作者
柳亚辉
刘施峰
范海洋
刘庆
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机构
重庆大学材料科学与工程学院
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出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2016年第1期17-21,共5页
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基金
国家科技重大专项资金资助项目(No.2011ZX02705)
重庆市科委自然科学基金计划资助项目(No.2012jj A50023)
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文摘
钽溅射靶材主要用于集成电路中导线的扩散阻挡层,其溅射性能受微观组织影响较大。本文采用电子背散射衍射(EBSD)技术,结合Extend Cahn-Hagel模型对周向轧制钽板的再结晶行为进行分析。并侧重于钽板再结晶初、中期与取向相关的晶粒生长速率的研究。结果表明,{111}〈uvw〉(〈111〉//ND)晶粒具有生长优势,初始阶段生长速率约为同期{001}〈uvw〉(〈100〉//ND)晶粒的1.6倍。
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关键词
形核机制
电子背散射衍射(EBSD)技术
extend
Cahn-Hagel模型
生长速率
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Keywords
nucleation mechanism
electron backscatter diffraction
extend Cahn-Hagel model
growth rate
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分类号
TG146.416
[金属学及工艺—金属材料]
O766.1
[理学—晶体学]
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