E类功率放大器（PA）具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输...E类功率放大器（PA）具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输出电容后的最佳负载阻抗,再结合谐波阻抗控制方法设计E类功率放大器。采用飞思卡尔的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）功率管MRF21010设计了一款工作在930~960 MHz的E类功率放大器。测试数据表明,该功率放大器的输出功率为36.8 d Bm（4.79 W）,具有79.4%的功率附加效率。展开更多
Ga NHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点。同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛。本文基于南京电子器件研究所Ga N HEMT器件,开展了Ku波段Ga N E类功率放大器设计研究。针对Ga ...Ga NHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点。同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛。本文基于南京电子器件研究所Ga N HEMT器件,开展了Ku波段Ga N E类功率放大器设计研究。针对Ga N HEMT器件较高的输出电容Cds,采用补偿微带的结构减小寄生参数的影响,设计了13.7GHz^14.2GHz的Ga N E类功率放大器。实测表明,该放大器在连续波输入功率25d Bm的情况下,在13.7GHz^14.2GHz频率范围内漏极效率大于36%,输出功率大于30d Bm。展开更多
文摘E类功率放大器（PA）具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输出电容后的最佳负载阻抗,再结合谐波阻抗控制方法设计E类功率放大器。采用飞思卡尔的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）功率管MRF21010设计了一款工作在930~960 MHz的E类功率放大器。测试数据表明,该功率放大器的输出功率为36.8 d Bm（4.79 W）,具有79.4%的功率附加效率。
文摘Ga NHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点。同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛。本文基于南京电子器件研究所Ga N HEMT器件,开展了Ku波段Ga N E类功率放大器设计研究。针对Ga N HEMT器件较高的输出电容Cds,采用补偿微带的结构减小寄生参数的影响,设计了13.7GHz^14.2GHz的Ga N E类功率放大器。实测表明,该放大器在连续波输入功率25d Bm的情况下,在13.7GHz^14.2GHz频率范围内漏极效率大于36%,输出功率大于30d Bm。
